Эффект диода Джозефсона через неравновесную систему Рашба

Основная информация

• ID статьи: 2501.05671
• Название: Josephson diode effect via a non-equilibrium Rashba system
• Авторы: Michiyasu Mori, Wataru Koshibae, Sadamichi Maekawa
• Классификация: cond-mat.supr-con cond-mat.mes-hall
• Дата публикации: 17 октября 2025
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2501.05671

Аннотация

В данной работе выявлено, что неравновесное состояние системы Рашба в присутствии внутриплоскостного магнитного поля является источником эффекта диода Джозефсона. Это неравновесное состояние возникает в результате смещения по току, необходимого для измерения вольт-амперной характеристики, что приводит к отклонению фермиевского импульса от равновесного значения. Этот ключевой механизм был упущен в предыдущих исследованиях из-за неявного предположения о достаточности равновесных формул для описания эффекта Джозефсона. Авторы разработали теорию джозефсоновской связи через неравновесную систему Рашба, используя туннельный гамильтониан и моделируя систему Рашба как одномерную. Когда магнитное поле приложено перпендикулярно направлению тока, джозефсоновская связь становится асимметричной, порождая эффект диода. Величина и знак этого эффекта зависят от расстояния d между сверхпроводящими электродами, внутриплоскостного магнитного поля и силы спин-орбитального взаимодействия.

Научный контекст и мотивация

1. Решаемая проблема: В традиционных джозефсоновских переходах критический ток Ic имеет одинаковую величину в положительном и отрицательном направлениях, тогда как эффект диода Джозефсона делает величину Ic зависимой от направления тока. Данная работа направлена на выяснение микроскопического происхождения этого эффекта.
2. Значимость проблемы: Эффект диода Джозефсона имеет важные перспективы применения в сверхпроводящей электронике и квантовых устройствах. Понимание его физического механизма критически важно для оптимизации конструкции устройств.
3. Ограничения существующих подходов: Предыдущие исследования основывались на теоретической базе равновесного состояния и игнорировали неравновесные эффекты, вызванные смещением по току, что является ключевым недостатком в понимании эффекта диода Джозефсона.
4. Научная мотивация: Путём учёта неравновесного состояния при смещении по току разработать полную теоретическую базу для объяснения микроскопического механизма эффекта диода Джозефсона и предоставить руководящие принципы для оптимизации устройств.

Основные вклады

1. Выявление ключевого механизма: Впервые чётко указано, что эффект диода Джозефсона происходит из неравновесного состояния, вызванного смещением по току, а не из равновесной теории.
2. Разработка теоретической базы: Использован туннельный гамильтониан для построения теории джозефсоновской связи в неравновесной системе Рашба с учётом смещения по току.
3. Выявление зависимости от расстояния: Обнаружена и проанализирована чувствительная зависимость эффекта диода от расстояния d между сверхпроводящими электродами, предоставляющая новые пути оптимизации устройств.
4. Предоставление руководства по проектированию: Через аналитические результаты выяснено, как путём регулирования d оптимизировать величину и знак эффекта диода.

Подробное описание методов

Определение задачи

Исследование транспортных свойств джозефсоновского перехода, состоящего из двух сверхпроводников, соединённых через систему Рашба, в условиях внутриплоскостного магнитного поля и смещения по току, в частности асимметрии критического тока (эффект диода).

Архитектура модели

Полный гамильтониан:

H = H_SCL + H_SCR + H_M + H_TL + H_TR

где:

• H_SCL, H_SCR: гамильтонианы левого и правого сверхпроводящих электродов
• H_M: гамильтониан одномерной системы Рашба
• H_TL, H_TR: туннельные гамильтонианы между сверхпроводниками и системой Рашба

Ключевые физические параметры:

• αR: сила спин-орбитального взаимодействия Рашба
• hy: внутриплоскостное магнитное поле в направлении y
• d: расстояние между сверхпроводящими электродами
• qex: смещение фермиевского импульса, вызванное смещением по току

Выражение для джозефсоновской связи:

F = -t^4 U V cos φ

где фактор V содержит спин-орбитальное взаимодействие:

V = cos(Λ-d/ℏvF)cos(Λ+d/ℏvF) - (γhz)²/(Λ-Λ+)sin(Λ-d/ℏvF)sin(Λ+d/ℏvF) + (λ--λ+)/(Λ-Λ+)sin(Λ-d/ℏvF)sin(Λ+d/ℏvF)

Технические инновации

1. Обработка неравновесного состояния: Описание неравновесного состояния при смещении по току через смещение фермиевского импульса qex = -2πIB/(ev0).
2. Калибровочная инвариантность: Использование калибровочного преобразования для преобразования разности фаз в векторный потенциал, естественно вводящего смещение фермиевского импульса.
3. Теория возмущений четвёртого порядка: Расчёт джозефсоновской связи в четвёртом порядке возмущения туннельного матричного элемента, включающий процессы спин-флипа.
4. Аналитическое решение: Для случая hz = 0 получено аналитическое выражение:

V = cos[(αRqex/ℏvF + 2γhy/ℏvF)d]

Экспериментальная установка

Параметры установки

• Скорость Ферми: vF = 10⁴ м/с
• Критический ток: Ic0 ~ 1 нА
• Связь Рашба: αR = 10-100 мэВ·Å
• Магнитное поле: hy = 0,01-0,2 Тл
• Расстояние между электродами: d = 50-200 нм

Критерии оценки

Коэффициент асимметрии определяется как:

Q = (I+c - I-c)/(I+c + I-c)

Методы решения

Численное решение самосогласованной системы уравнений для определения положительного и отрицательного критических токов:

I±c/Ic0 = cos[(ξαR(I±c/Ic0) ∓ ζhy)d]

Экспериментальные результаты

Основные результаты

1. Зависимость от расстояния:
   • При малых расстояниях: Q ∝ d²
   • Аналитическое приближение: Q ~ (ξαR)·(ζhy)·d²
   • Существует точка смены знака: d = π/(ζhy)
2. Зависимость от параметров:
   • Q растёт линейно с αR (при малых αR)
   • Q растёт линейно с hy
   • При больших параметрах наблюдается эффект насыщения
3. Условия оптимизации: Путём регулирования d можно оптимизировать величину и знак эффекта диода, предоставляя руководство для проектирования устройств.

Ключевые находки

1. Необходимость трёх элементов: Все три фактора αR, hy и d необходимы; обнуление любого из них исключает эффект диода.
2. Закономерность знаков: Знак I+c - I-c определяется знаком αR·hy и может использоваться для определения знака αR.
3. Управление расстоянием: По сравнению с регулированием спин-орбитального взаимодействия, регулирование расстояния между электродами d экспериментально реализуется легче.

Связанные работы

Статья цитирует большое количество соответствующих исследований (ссылки 19-36), включая в основном:

• Экспериментальные исследования эффекта диода Джозефсона на основе спин-орбитального взаимодействия
• Теоретические работы по эффекту диода на поверхности топологических изоляторов
• Исследования эффекта диода в различных материальных системах

Основные преимущества данной работы:

1. Впервые подчёркивается важность неравновесного состояния
2. Предоставляется полная микроскопическая теоретическая база
3. Выявляется новое измерение управления — зависимость от расстояния

Заключение и обсуждение

Основные выводы

1. Неравновесная природа: Эффект диода Джозефсона по существу является неравновесным явлением, вызванным смещением фермиевского импульса, возникающим при смещении по току.
2. Микроскопический механизм: Эффект происходит из членов спин-флипа в четвёртом порядке туннельного процесса и требует одновременного присутствия спин-орбитального взаимодействия, магнитного поля и смещения по току.
3. Управление расстоянием: Расстояние между электродами d является эффективным параметром для оптимизации эффекта диода и более практично, чем регулирование параметров материала.

Ограничения

1. Одномерная модель: Использование одномерного линеаризованного дисперсионного соотношения может не полностью описать реальные двумерные или трёхмерные системы.
2. Постоянный туннельный матричный элемент: Предположение о постоянстве туннельного матричного элемента; реальная ситуация может быть более сложной.
3. Низкопорядковое приближение: Некоторые результаты основаны на разложении по малым параметрам; при больших параметрах точность может снизиться.

Направления будущих исследований

1. Расширение на двумерные и трёхмерные системы
2. Рассмотрение более сложных туннельных процессов
3. Экспериментальная проверка предсказаний зависимости от расстояния

Глубокая оценка

Достоинства

1. Теоретическая инновация: Впервые подчёркивается ключевая роль неравновесного состояния в эффекте диода Джозефсона, исправляя теоретический недостаток в данной области.
2. Методологическая строгость: Использование стандартных методов многотельной теории; процесс расчётов ясен, результаты надёжны.
3. Практическая ценность: Выявленная зависимость от расстояния предоставляет новые средства управления для экспериментального проектирования.
4. Физическое понимание: Обеспечивает глубокое понимание микроскопического механизма эффекта диода Джозефсона.

Недостатки

1. Упрощение модели: Одномерная модель может быть чрезмерно упрощённой; сложность реальных материалов недостаточно учтена.
2. Оценка параметров: Выбор некоторых параметров материала может быть неточным, влияя на количественные предсказания.
3. Экспериментальная проверка: Отсутствует прямая экспериментальная проверка, особенно предсказаний зависимости от расстояния.

Влияние

1. Теоретический вклад: Предоставляет новую теоретическую базу для эффекта диода Джозефсона, потенциально стимулируя последующие теоретические исследования.
2. Практическая ценность: Открытие управления расстоянием предоставляет новый путь для оптимизации устройств.
3. Воспроизводимость: Теоретический вывод ясен; результаты легко воспроизводятся и проверяются.

Области применения

1. Проектирование джозефсоновских переходных устройств на основе системы Рашба
2. Разработка устройств сверхпроводящей спинтроники
3. Оптимизация сверхпроводящих кубитов в квантовых вычислениях
4. Фундаментальные исследования, связанные с топологическими сверхпроводниками

Библиография

Статья цитирует 36 соответствующих источников, охватывающих экспериментальные открытия, теоретические исследования и исследования соответствующих материальных систем эффекта диода Джозефсона, предоставляя полную библиографическую базу для данной области.

Общая оценка: Это высококачественная теоретическая физическая работа, достигшая значительного прогресса в понимании эффекта диода Джозефсона. Путём подчёркивания важности неравновесного состояния и выявления зависимости от расстояния, она предоставляет новую теоретическую перспективу и практическое руководство для данной области. Несмотря на ограничения, такие как упрощение модели, её теоретический вклад и потенциальная прикладная ценность делают её важной работой в данной области.