2025-11-21T16:19:16.061576

Effects of Strain-Induced Pseudogauge Fields on Exciton Dispersion, Transport, and Interactions in Transition Metal Dichalcogenides Nanoribbons

Heidari, Parsi, Ghaemi
We study the effects of strain on exciton dynamics in transition metal dichalcogenide (TMD) nanoribbons. Using the Bethe-Salpeter formalism, we derive the exciton dispersion relation in strained TMDs and demonstrate that strain-induced pseudo-gauge fields significantly influence exciton transport and interactions. Our results show that low-energy excitons occur at finite center-of-mass momentum, leading to modified diffusion properties. Furthermore, the exciton dipole moment depends on center-of-mass momentum, which enhances exciton-exciton interactions. These findings highlight the potential of strain engineering as a powerful tool for controlling exciton transport and interactions in nanoribbon-based TMD optoelectronic and quantum devices.
academic

Влияние индуцированных деформацией псевдогалеевых полей на дисперсию экситонов, транспорт и взаимодействия в нанолентах дихалькогенидов переходных металлов

Основная информация

  • ID статьи: 2503.13691
  • Название: Effects of Strain-Induced Pseudogauge Fields on Exciton Dispersion, Transport, and Interactions in Transition Metal Dichalcogenides Nanoribbons
  • Авторы: Shiva Heidari, Shervin Parsi, Pouyan Ghaemi (City College of the City University of New York)
  • Классификация: cond-mat.mes-hall (физика конденсированного состояния — мезоскопические явления и эффект Холла)
  • Дата публикации: arXiv:2503.13691v2 cond-mat.mes-hall 13 октября 2025
  • Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2503.13691v2

Аннотация

В данном исследовании рассматривается влияние деформации на динамику экситонов в нанолентах дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ). Используя формализм Бете-Солпитера, авторы вывели соотношение дисперсии экситонов в деформированных ДПМ и продемонстрировали, что индуцированные деформацией псевдогалеевы поля существенно влияют на транспорт и взаимодействие экситонов. Результаты показывают, что низкоэнергетические экситоны появляются при конечном импульсе центра масс, что приводит к изменению свойств диффузии. Кроме того, дипольный момент экситона зависит от импульса центра масс, что усиливает экситон-экситонное взаимодействие. Эти результаты подчёркивают потенциал инженерии деформации как мощного инструмента для управления транспортом и взаимодействием экситонов в оптоэлектронных и квантовых устройствах на основе нанолент ДПМ.

Научный контекст и мотивация

Исследуемые проблемы

  1. Проблемы управления экситонами: достижение контролируемого дальнодействующего транспорта экситонов в определённых направлениях в двумерных ДПМ, особенно при комнатной температуре
  2. Глубокое понимание эффектов деформации: выход за рамки локальных потенциальных эффектов и исследование влияния индуцированных деформацией псевдогалеевых полей на свойства экситонов
  3. Усиление экситон-экситонного взаимодействия: поиск механизмов для усиления экситон-экситонного взаимодействия с целью реализации новых экситонных фаз

Научная значимость

  • Приложения экситонов при комнатной температуре: большая энергия связи экситонов в ДПМ открывает возможности для устройств с экситонами при комнатной температуре
  • Потенциал инженерии деформации: контролируемые свойства деформации двумерных материалов предоставляют новые пути для управления электронными свойствами
  • Перспективы квантовых устройств: сильное экситон-экситонное взаимодействие является основой для реализации экситонных квантовых фаз и устройств

Ограничения существующих методов

  • Предыдущие исследования в основном сосредоточены на локальных потенциальных эффектах деформации (смещение энергетических зон)
  • Недостаточное изучение эффектов индуцированных деформацией псевдогалеевых полей
  • Отсутствие систематического анализа комбинированных эффектов деформации на транспорт и взаимодействие экситонов

Основные вклады

  1. Установление теоретической базы: вывод соотношения дисперсии экситонов в деформированных нанолентах ДПМ с использованием метода Бете-Солпитера
  2. Раскрытие эффектов псевдогалеева поля: демонстрация того, что индуцированные деформацией псевдогалеевы поля существенно изменяют структуру энергетических зон экситонов и свойства транспорта
  3. Усиление экситонного транспорта: обнаружение того, что деформация смещает минимум энергии экситона на конечный импульс, обеспечивая усиленную однонаправленную диффузию
  4. Управление дипольным моментом: раскрытие того, как деформация усиливает дипольный момент экситона, тем самым усиливая экситон-экситонное взаимодействие
  5. Идентификация топологических эффектов: демонстрация важной роли топологических свойств энергетических долин ДПМ в свойствах экситонов

Методология

Определение задачи

Исследование соотношения дисперсии, свойств транспорта и интенсивности взаимодействия экситонов в нанолентах ДПМ под воздействием дугообразной деформации, где входными параметрами являются параметры деформации и материала, а выходными — экситонный спектр, коэффициенты диффузии и дипольные моменты.

Архитектура модели

1. Модель электронной зонной структуры

Использование непрерывного гамильтониана для описания деформированной нанолеты ДПМ:

V_+(y) - \frac{\hbar^2}{4m_0}(\alpha+\beta)\partial_y^2 & t_0a_0(k_x + \frac{e}{\hbar}A_{1,x}) - t_0a_0\partial_y \\ t_0a_0(k_x + \frac{e}{\hbar}A_{1,x}) - t_0a_0\partial_y & V_-(y) - \frac{\hbar^2}{4m_0}(\alpha-\beta)\partial_y^2 \end{pmatrix}$$ где деформация проявляется через псевдогалеево поле $A_i = \eta_i(\hbar/ea_0)(Re[A], Im[A])$, а $A = \varepsilon_{xx} - \varepsilon_{yy} - i2\varepsilon_{xy}$ — поле деформации. #### 2. Модель экситонного взаимодействия Использование потенциала Кельдыша для описания электрон-дырочного взаимодействия: $$V(r) = \frac{\pi e^2}{2\epsilon r_0}[H_0(r/r_0) - Y_0(r/r_0)]$$ #### 3. Уравнение Бете-Солпитера Дисперсия экситонов решается через следующее интегральное уравнение: $$\int\int_{-L_y/2}^{L_y/2} dy dy' \sum_{k'_x} \kappa_{vv'}^{cc'}(y,y',k_x,k'_x,Q)\psi_{k'_x,Q}^{c',v'} = E_Q \psi_{k_x,Q}^{c,v}$$ ### Технические инновации 1. **Метод треугольных базисных функций**: использование $T_n(y) = L_y - |y-y_n|(N+1)$ для удовлетворения граничных условий жёсткой стенки 2. **Обработка псевдогалеева поля**: систематическое рассмотрение эффектов индуцированного деформацией псевдогалеева поля, отличающееся от традиционного метода локального потенциала 3. **Интеграция топологических эффектов**: учёт влияния топологических свойств энергетических долин на свойства экситонов 4. **Обработка неортогональных базисов**: разработка метода решения задач на собственные значения в неортогональных треугольных базисных функциях ## Экспериментальная установка ### Параметры расчёта - **Материал**: однослойная нанолента MoS₂ - **Геометрия**: зигзагообразные края, ширина $L_y = a_0(N+1)$, $N=20$ (≈6,6 нм) - **Деформация**: дугообразная деформация, радиус $R = 0,5L_y$, параметр деформации $\eta = 0$ до $1$ - **Количество базисных функций**: $N = 20$ треугольных базисных функций ### Физические параметры - Интеграл перепрыгивания: $t_0 = 2,34$ эВ - Параметры щели: $(\Delta_0, \Delta) = (-0,11, 1,82)$ эВ - Спин-орбитальное взаимодействие: $(\lambda_0, \lambda) = (69, 1,82)$ мэВ - Диэлектрическая проницаемость: $\epsilon = 2,5$ (MoS₂ на подложке SiO₂) ### Оценочные показатели - Энергия связи экситона и соотношение дисперсии - Коэффициент диффузии $D$ и подвижность $\mu$ - Дипольный момент экситона $d_{ex}$ - Групповая скорость $v_Q = \frac{1}{\hbar}\frac{\partial E_Q}{\partial Q}$ ## Результаты исследования ### Основные результаты #### 1. Изменения электронной зонной структуры - **Без деформации**: щель конечного размера составляет 116 мэВ (T = 1346 K) - **С деформацией** (η=1): щель значительно увеличивается до 365 мэВ (T = 4235 K) - Деформация индуцирует образование псевдоландауевских уровней, асимметрия электрон-дырка усиливается #### 2. Соотношение дисперсии экситонов - **Топологический случай**: деформация смещает минимум энергии экситона на конечный импульс $Q_x = q_0$, стабилизируя тёмные экситоны - **Нетопологический случай**: деформация оказывает слабое влияние на спектр экситонов, минимум энергии остаётся при $Q_x = 0$ - Энергия взаимодействующих экситонных состояний ниже энергии невзаимодействующих состояний, подчёркивая важность кулоновского взаимодействия #### 3. Усиление экситонного транспорта - **Коэффициент диффузии**: деформация значительно повышает коэффициент диффузии при всех температурах - **Подвижность**: подвижность при деформации постоянно превышает значения без деформации - **Пространственная диффузия**: наблюдается явное усиление диффузии на временных масштабах 1 пс и 1 нс #### 4. Значительное усиление дипольного момента - **Без деформации**: $d_{ex} \approx 0,5a_0$ - **С деформацией**: $d_{ex} \approx 8a_0$ (усиление примерно в 16 раз) - Пространственное распределение изменяется от симметричного к асимметричному и локализованному ### Абляционные исследования Сравнение топологического и нетопологического случаев: - **Топологический случай** (ненулевое число Чёрна): деформация вызывает значительные изменения спектра экситонов и гибридизацию краевых состояний - **Нетопологический случай** (нулевое число Чёрна): эффекты деформации слабые, краевые состояния не появляются ### Экспериментальные находки 1. **Пороговый эффект деформации**: η=1 соответствует примерно 6% деформации, находящейся в пределах порога разрушения структуры ДПМ 2. **Температурная зависимость**: эффекты усиления деформации остаются стабильными при различных температурах 3. **Модуляция групповой скорости**: деформация вызывает значительные колебания произведения $n_Q v_Q$, формируя локализованные потоки экситонов ## Связанные работы ### Основные направления исследований 1. **Инженерия деформации**: в основном сосредоточена на локальных потенциальных эффектах и смещении энергетических зон 2. **Транспорт экситонов**: традиционные исследования сконцентрированы на случаях без деформации или с простой деформацией 3. **Псевдогалеевы поля**: широко изучаются в графене, относительно мало в ДПМ ### Преимущества данной работы - Первое систематическое исследование комбинированного влияния индуцированного деформацией псевдогалеева поля на экситоны в ДПМ - Анализ поведения экситонов в сочетании с топологическими свойствами - Предоставление единой теоретической базы для транспорта и взаимодействия экситонов ## Заключение и обсуждение ### Основные выводы 1. Индуцированные деформацией псевдогалеевы поля существенно изменяют свойства экситонов в нанолентах ДПМ 2. Топологические свойства энергетических долин являются ключевым фактором эффектов деформации 3. Инженерия деформации может одновременно усиливать транспорт экситонов и интенсивность взаимодействия 4. Стабилизация тёмных экситонов благоприятна для приложений с долгоживущими экситонами ### Ограничения 1. **Ограничения размера**: ширина нанолеты ограничена примерно 6,6 нм, что может влиять на универсальность результатов 2. **Тип деформации**: рассмотрена только дугообразная деформация, эффекты других режимов деформации не исследованы 3. **Температурные эффекты**: стабильность экситонов при высоких температурах не проанализирована подробно 4. **Граничные эффекты**: граничные условия жёсткой стенки могут не полностью отражать реальную ситуацию ### Будущие направления 1. Исследование влияния различных режимов деформации на экситонные взаимодействующие фазы 2. Изучение применения инженерии деформации в проектировании экситонных схем 3. Экспериментальная проверка теоретически предсказанного усиления экситонного транспорта ## Глубокая оценка ### Достоинства 1. **Теоретическая строгость**: использование полного метода Бете-Солпитера для решения задачи экситонов 2. **Глубокие физические идеи**: раскрытие синергетических эффектов псевдогалеева поля и топологических свойств 3. **Инновационные вычислительные методы**: разработка численного метода решения задач на собственные значения в неортогональных базисных функциях 4. **Систематичность результатов**: полная цепь анализа от электронной структуры к экситонному транспорту ### Недостатки 1. **Отсутствие экспериментальной проверки**: чисто теоретическая работа, не содержит экспериментального сравнения 2. **Анализ чувствительности параметров**: недостаточный анализ чувствительности результатов к параметрам модели 3. **Квантовые многотельные эффекты**: обработка экситон-экситонного взаимодействия относительно упрощена 4. **Рассмотрение практических устройств**: отсутствует обсуждение изготовления и измерения в реальных устройствах ### Влияние 1. **Научная ценность**: предоставление важной теоретической базы для инженерии деформации в ДПМ 2. **Перспективы применения**: предложение новых механизмов управления для проектирования экситонных устройств 3. **Вклад методов**: возможность распространения вычислительных методов на другие системы двумерных материалов ### Применимые сценарии 1. **Оптоэлектронные устройства с экситонами**: проектирование оптоэлектронных устройств с управляемым экситонным транспортом 2. **Квантовая информация**: обработка квантовой информации на основе экситон-экситонного взаимодействия 3. **Энергетические приложения**: солнечные элементы и фотокатализаторы с эффективной экситонной диффузией ## Библиография Статья цитирует 61 соответствующую работу, охватывающую ключевые области физики экситонов в ДПМ, инженерии деформации, метода Бете-Солпитера и других важных направлений, обеспечивая прочную теоретическую базу для исследования. --- **Общая оценка**: Это высококачественная теоретическая работа по физике, вносящая значительный вклад в область инженерии деформации в ДПМ. Теоретические методы строги, физическая картина ясна, результаты имеют важную научную ценность и перспективы применения. Несмотря на отсутствие экспериментальной проверки, работа предоставляет чёткое теоретическое руководство для последующих экспериментальных исследований.