2025-11-10T02:49:52.806425

Spin-orbit interaction in tubular prismatic nanowires

Sitek, Erlingsson, Manolescu
We theoretically study the spin-orbit interaction in the outer regions of core-shell nanowires that can act as tubular, prismatic conductors. The polygonal cross section of these wires induces non-uniform electron localization along the wire perimeter. In particular, low-energy electrons accumulate in the corner regions, and in the case of narrow shells, conductive channels form along the sharp edges. In contrast, higher-energy electrons are shifted toward the facets. These two groups of states may be separated by large energy gaps, which can exceed the room-temperature energy in the case of triangular geometries. We compare the impact of spin-orbit interaction on the corner and side states of hexagonal and triangular shells grown on hexagonal cores as well as on triangular shells grown on triangular cores. We find that the spin-orbit splitting, and thus the degeneracy of energy states at finite wave vectors, strongly depend on the tube's geometry. We demonstrate that the weak spin-orbit coupling observed in clean wires can be significantly enhanced if the intermixing of core and shell materials takes place. Moreover, we show that the energy spectrum in the presence of spin-orbit interaction allows for estimating the interaction between states and shows that triangular shells can act as three independent wires in the low-energy regime, while they behave as interacting systems at higher-energy ranges.
academic

Спин-орбитальное взаимодействие в трубчатых призматических нанопроводах

Основная информация

  • ID статьи: 2506.07677
  • Название: Spin-orbit interaction in tubular prismatic nanowires
  • Авторы: Anna Sitek, Sigurdur I. Erlingsson, Andrei Manolescu
  • Классификация: cond-mat.mes-hall
  • Дата публикации: 16 октября 2025 г. (препринт arXiv)
  • Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2506.07677

Аннотация

В данной работе теоретически исследуется спин-орбитальное взаимодействие (СОВ) во внешней области ядро-оболочечных нанопроводов, которые могут функционировать как трубчатые призматические проводники. Многоугольное поперечное сечение нанопровода индуцирует неоднородную локализацию электронов вдоль периметра провода. В частности, электроны низких энергий накапливаются в угловых областях, а при узкой оболочке проводящие каналы формируются вдоль острых краёв. Напротив, электроны высоких энергий смещаются в сторону плоских областей. Эти две группы состояний могут быть разделены большой энергетической щелью, которая в случае треугольной геометрии может превышать энергию комнатной температуры. В работе сравнивается влияние спин-орбитального взаимодействия на угловые и краевые состояния в шестиугольных и треугольных оболочках, а также в треугольных оболочках, выращенных на треугольном ядре. Обнаружено, что спин-орбитальное расщепление и вырождение энергетических состояний при конечных волновых векторах сильно зависят от геометрии трубки.

Научный контекст и мотивация

Исследуемые проблемы

Данная работа решает проблему теоретического описания спин-орбитального взаимодействия в ядро-оболочечных нанопроводах, особенно в трубчатых структурах с многоугольным поперечным сечением.

Значимость исследования

  1. Приложения в квантовых устройствах: СОВ играет ключевую роль в спин-орбитальных кубитах, спин-транзисторах и спин-фильтрах
  2. Реализация состояний Майораны: СОВ является необходимым условием для формирования состояний Майораны в полупроводниковых нанопроводах, что имеет важное значение для топологических квантовых вычислений
  3. Исследование геометрических эффектов: Явления локализации электронов, вызванные многоугольным поперечным сечением, и их взаимодействие с СОВ остаются недостаточно изученными

Ограничения существующих подходов

  • Большинство исследований сосредоточены на однородных материальных системах или цилиндрических структурах
  • Отсутствуют или недостаточно развиты модели зонной структуры для СОВ в призматических оболочках
  • Игнорируется влияние внутренней геометрической структуры на СОВ

Научная мотивация

Авторский коллектив предлагает использовать внешнюю область ядро-оболочечных нанопроводов для размещения состояний Майораны, что требует глубокого понимания влияния призматической геометрии на СОВ и обеспечивает теоретическую основу для проектирования устройств.

Основные вклады

  1. Разработка теоретической модели СОВ в призматических трубчатых нанопроводах: На основе метода k·p с учётом геометрических эффектов многоугольного поперечного сечения
  2. Выявление решающего влияния геометрической формы на СОВ: Обнаружены различные характеристики спин-орбитального расщепления в шестиугольных, треугольных и Три-Гекс структурах
  3. Предложение механизма усиления СОВ: Показано, что смешивание материалов ядра и оболочки может значительно усилить исходно слабое СОВ
  4. Выявление уникальных свойств треугольной оболочки: В области низких энергий проявляется как три независимых провода, в области высоких энергий — как взаимодействующая система
  5. Предоставление теоретического руководства для инженерии энергетической щели: Треугольная геометрия может создавать щели, превышающие комнатную температуру

Методологический подход

Определение задачи

Исследование спин-орбитального взаимодействия электронов в ядро-оболочечных нанопроводах InP-InAs с входными параметрами геометрии и материала, выходными данными являются зонная структура и спин-орбитальное расщепление.

Архитектура модели

Восьмизонный гамильтониан Кейна

Используется восьмизонная модель Кейна для описания системы:

H = [H_cc  H_cv]
    [H_cv† H_vv]

где H_cc и H_vv описывают зону проводимости и валентную зону соответственно, H_cv — член связи.

Гамильтониан зоны проводимости

H_cc = (p²/2m₀ + V(x,y))I₂×₂

Потенциальная энергия включает две части:

V(x,y) = V_BO(x,y) + V_E(x,y)
  • V_BO: потенциал смещения расширенной зоны
  • V_E: потенциал внешнего электрического поля

Эффективный гамильтониан после преобразования свёртывания

Через преобразование свёртывания получен эффективный гамильтониан, описывающий только электроны проводимости:

H_eff = {ℏ²/2m* (k_z² - ∂²/∂x² - ∂²/∂y²) + V(x,y)}I₂×₂ + k_z(αₓσₓ + αᵧσᵧ)

где коэффициенты Рашбы определяются как:

αₓ(x,y) = -α₀ ∂V/∂y
αᵧ(x,y) = α₀ ∂V/∂x

Технические инновации

  1. Дискретизация сетки в полярных координатах: Разработан численный метод, применимый к произвольным многоугольным поперечным сечениям
  2. Моделирование смешивания материалов: Введён параметр смешивания r для описания постепенного перехода между материалами ядра и оболочки
  3. Обработка геометрических ограничений: Наложение многоугольных ограничений на полярную сетку для точного описания области оболочки
  4. Установка граничных условий: Применены граничные условия Дирихле на границах оболочка-вакуум и ядро-оболочка

Экспериментальная установка

Параметры материалов

  • Оболочка InAs: E_g = 417 мэВ, Δ_so = 390 мэВ, P₀ = 9×10⁻¹⁰ эВ·с
  • Ядро InP: E_g = 1423,6 мэВ
  • Смещение зоны проводимости: V_CBO = 656,6 мэВ

Геометрические параметры

  • Радиус ядра: R_c = 40 нм (в некоторых случаях 20 нм)
  • Толщина оболочки: d = 8-24 нм
  • Длина смешивания: r = 2 нм до r = d

Численные параметры

  • Шестиугольная оболочка: >6000 узлов сетки
  • Треугольный провод: >7000 узлов сетки
  • Структура Три-Гекс: 6200-7200 узлов сетки

Результаты исследования

Основные результаты

Характеристики поперечных состояний

  1. Режимы локализации электронов:
    • Электроны низких энергий накапливаются в угловых областях
    • Электроны высоких энергий распределяются в плоских областях
    • В треугольных и Три-Гекс структурах угловые состояния формируют независимые проводящие каналы
  2. Размеры энергетических щелей:
    • Шестиугольная: Δ_Hex = 6 мэВ
    • Треугольная: Δ_Tri = 33 мэВ
    • Три-Гекс: Δ_Tri-Hex = 31 мэВ

Влияние СОВ на различные геометрии

Шестиугольная оболочка:

  • СОВ снимает четырёхкратное вырождение только при k_z ≠ 0
  • Все состояния сохраняют орбитальное вырождение при k_z = 0
  • Эффект СОВ ослабевает с увеличением толщины оболочки

Треугольная оболочка:

  • Угловые состояния проявляют себя как три независимых провода: q = 0,44×10⁷ м⁻¹, α ≈ 15 мэВ·нм
  • Расщепление краевых состояний имеет сложный характер: невырожденные состояния q ≈ 0,88×10⁷ м⁻¹, α ≈ 30 мэВ·нм
  • Отсутствие инверсионной симметрии приводит к частичному снятию вырождения

Структура Три-Гекс:

  • Поведение, аналогичное треугольной оболочке
  • Большая угловая область требует большей длины смешивания для проявления эффектов СОВ

Эффект усиления СОВ

При длине смешивания r = d эффект СОВ значительно усиливается:

  • Энергетическая дисперсия угловых состояний становится немонотонной функцией
  • Появляются пересечения энергетических уровней при малых k_z
  • Расщепление в треугольной оболочке увеличивается примерно в 3 раза

Влияние внешнего электрического поля

При приложении перпендикулярного электрического поля:

  • Снимается вырождение при k_z = 0
  • Треугольная оболочка в области низких энергий проявляет себя как три независимых провода (пересечение уровней)
  • Краевые состояния проявляют признаки взаимодействия (отталкивание уровней)

Связанные работы

Данная работа основана на следующих исследованиях:

  1. Исследования электронной структуры ядро-оболочечных нанопроводов: Работы Bertoni и соавторов по радиальным гетероструктурам GaAs/AlGaAs
  2. Теоретические модели СОВ: Основаны на теории k·p для эффектов Рашбы и Дресселхауса
  3. Многоугольные квантовые кольца: Предыдущие работы авторов по локализации электронов в многоугольных квантовых кольцах
  4. Исследования состояний Майораны: Теоретические предложения по реализации топологической сверхпроводимости с использованием ядро-оболочечных нанопроводов

Выводы и обсуждение

Основные выводы

  1. Геометрия определяет характеристики СОВ: Форма многоугольного поперечного сечения сильно влияет на характер спин-орбитального расщепления
  2. Инженерия материалов усиливает СОВ: Контроль смешивания материалов ядра и оболочки позволяет эффективно регулировать интенсивность СОВ
  3. Уникальные свойства треугольной структуры: Возможен переход от независимых проводов к взаимодействующей системе
  4. Защита большой энергетической щелью: Треугольная геометрия может создавать защитные щели, превышающие комнатную температуру

Ограничения

  1. Игнорирование кулоновского взаимодействия: Для упрощения расчётов не учитывается потенциал Хартри между электронами
  2. Предположение идеальной геометрии: Геометрические несовершенства в реальных устройствах могут влиять на результаты
  3. Фиксированные параметры материалов: Рассмотрена только система материалов InP-InAs

Направления будущих исследований

  1. Экспериментальная верификация: Необходимы экспериментальные измерения для проверки теоретических предсказаний характеристик СОВ
  2. Приложения в устройствах: Исследование потенциала применения в спинтронных устройствах
  3. Расширение материальных систем: Изучение свойств СОВ в других комбинациях материалов III-V группы
  4. Эффекты беспорядка: Учёт влияния шероховатости интерфейса и примесей на СОВ

Глубокая оценка

Преимущества

  1. Строгая теоретическая методология: Основана на зрелой теории k·p с полным математическим выводом
  2. Инновационные численные методы: Разработан метод сетки, применимый к произвольным многоугольникам
  3. Ясная физическая картина: Хорошее объяснение влияния геометрической формы на электронные состояния
  4. Высокая практическая ценность: Предоставляет важное руководство для проектирования устройств Майораны
  5. Систематические и полные результаты: Охватывают множество геометрических конфигураций и параметров

Недостатки

  1. Отсутствие экспериментального сравнения: Теоретические результаты требуют дополнительной экспериментальной верификации
  2. Не учтены температурные эффекты: Тепловые эффекты в реальных устройствах могут быть существенными
  3. Отсутствие анализа транспортных свойств: Не рассчитаны проводимость и другие транспортные характеристики

Влияние и значимость

  1. Научный вклад: Важное дополнение к теории СОВ в нанопроводах
  2. Перспективы применения: Имеет руководящее значение для проектирования квантовых устройств
  3. Ценность методов: Численные методы могут быть обобщены на другие геометрические структуры

Области применения

  1. Проектирование квантовых кубитов: Оптимизация спин-орбитальных квантовых кубитов
  2. Топологические устройства: Теоретическое проектирование устройств с фермионами Майораны
  3. Спинтроника: Устройства спинового управления на основе СОВ

Библиография

В статье цитируется 62 связанные работы, включая:

  • Фундаментальные работы по теории СОВ (эффект Рашбы, метод k·p)
  • Экспериментальные исследования ядро-оболочечных нанопроводов
  • Теоретические исследования состояний Майораны
  • Предыдущие работы авторского коллектива по смежным вопросам