Модель темнового тока в кремниевых детекторах инфракрасного излучения с барьерной примесной зоной

Основная информация

• ID статьи: 2507.14923
• Название: Model of dark current in silicon-based barrier impurity band infrared detector devices
• Авторы: Mengyang Cui, Chengduo Hu, Qing Li, Hongxing Qi
• Классификация: physics.app-ph cond-mat.str-el
• Дата публикации: 16 октября 2025 г.
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2507.14923v2

Аннотация

Темновой ток в кремниевых детекторах инфракрасного излучения с барьерной примесной зоной (BIB) длительное время остаётся ключевым фактором, ограничивающим производительность приборов. В данной работе предложена модель спинового тока, опосредованного киральными фононами, для объяснения параболического поведения тёмного тока, наблюдаемого при низких напряжениях смещения. Одновременно применяется теория пространственно-ограниченного переноса заряда для выяснения механизмов генерации тёмного тока во всём диапазоне рабочих напряжений.

Исследовательский контекст и мотивация

Исследовательские проблемы

1. Основная проблема: Темновой ток в кремниевых BIB-детекторах является ограничивающим фактором производительности приборов, и существующие теории не могут полностью объяснить сложные характеристики вольт-амперной кривой
2. Конкретные проявления: Экспериментально наблюдаемые характеристики тёмного тока демонстрируют различные рабочие области: начальное нелинейное увеличение, внезапный переход к линейной омической проводимости и, наконец, насыщение тока
3. Особые явления: В приборах, изготовленных в неидеальных условиях, иногда наблюдается явление отрицательного дифференциального сопротивления (NDR)

Значимость исследования

1. Астрономические приложения: BIB-детекторы играют ключевую роль в астрономических наблюдениях, и темновой ток напрямую влияет на точность обнаружения
2. Потребность в оптимизации приборов: Понимание механизма тёмного тока критически важно для подавления шума и повышения практической применимости приборов
3. Теоретический пробел: Отсутствует специализированная модель тёмного тока для кремниевых BIB-приборов

Ограничения существующих методов

1. Недостаточность традиционных моделей: Существующие теории не могут объяснить параболическое поведение тёмного тока при низких напряжениях смещения
2. Отсутствие понимания механизма: Отсутствует единое понимание механизмов генерации тёмного тока во всём диапазоне рабочих напряжений
3. Игнорирование сверхпроводящих явлений: Не учитываются возможные сверхпроводящие свойства кремниевых материалов при сверхнизких температурах

Основные вклады

1. Впервые предложена специализированная модель тёмного тока для кремниевых BIB-приборов
2. Инновационная теоретическая база: Предложена модель спинового тока, опосредованного киральными фононами, для объяснения параболического поведения тёмного тока при низких напряжениях смещения
3. Единое описание механизма: Применена теория пространственно-ограниченного переноса заряда для выяснения механизмов тёмного тока во всём диапазоне напряжений
4. Интеграция сверхпроводящих эффектов: Сверхпроводящие явления при сверхнизких температурах включены в теоретическую базу описания BIB-приборов
5. Способность к количественному предсказанию: Предоставлена теоретическая модель для количественного предсказания величины тёмного тока

Подробное описание методов

Теоретическая база

Механизм образования пар Купера

Теоретическая база построена на следующих ключевых предположениях:

• Образование квазипар электронов типа Купера в локализованных электронных состояниях без строгого требования антипараллельных импульсов
• Размеры объёмного материала значительно превышают длину когерентности волновой функции при низких температурах
• Фонон-опосредованное притяжение делает образование пар Купера энергетически возможным

Расчёт ключевых физических величин

Фонон-опосредованный потенциал притяжения:

Ue−ph = −∫d³rd³r′ge−phδ(r−r′)ψ²(r)ψ²(r′)

Кулоновская энергия отталкивания:

UC = ∫d³rd³r′ e²/(ε₁|r−r′|) ψ²(r)ψ²(r′) = (I₄₋d₂/I₃₋d₂) × e²/(ε₁ξloc)

Соотношение притяжения и отталкивания:

|Ue−ph|/UC ≈ 2λ₀ > 1

указывает на то, что фонон-опосредованное образование электронных пар энергетически благоприятно.

Модель спинового тока

Гамильтониан Боголюбова-де Жена

С учётом эффекта расщепления уровней Зеемана строится матричная форма 4×4:

H(k) = [
  ξk + ηE    0        0      Δ
  0          ξk - ηE  -Δ     0
  0          -Δ       -ξ₋k - ηE  0
  Δ          0        0      -ξ₋k + ηE
]

где:

• ξk = ℏ²k²/(2m) - μ (μ — химический потенциал)
• Beff = ηE = η₀e^(-T/Tc)E (эффективное поле Зеемана)
• Δ — энергия связи электронов на одном узле решётки

Выражение для плотности спинового тока

js = -e²τn√(2mE)/(4π²ℏ³kBT) ∫₍₋μ₎^ξc dξ [ξ/√(ξ²+Δ²)] × (ξ+μ)^(3/2) × 
     {cosh⁻²[(√(ξ²+Δ²) + ηE)/(2kBT)] - cosh⁻²[(√(ξ²+Δ²) - ηE)/(2kBT)]}

Это выражение предсказывает квадратичную зависимость спинового тока от электрического поля в области низких полей.

Теория пространственно-ограниченного переноса заряда

Основная система уравнений

Уравнение Пуассона:

dF/dx = e/ε (ρ + nt(ρ) - ND)

Уравнение плотности тока:

Jn = μn(enE + kT∇n) + eμtntDE

Модель плотности ловушечных состояний

С учётом эффектов одиночной и двойной занятости:

nt = [g₁NtnNc exp(-E₁/kT) + 2g₂Ntn² exp(-E₂/kT)] / 
     [Nc² + g₁nNc exp(-E₁/kT) + g₂n² exp(-E₂/kT)]

где:

• E₁ = (Et - Ec + δEFr + δEScr)/1 (эффективный уровень ловушки при одиночной занятости)
• E₂ = [2(Et - Ec) + U + δEFr + δEScr]/2 (эффективный уровень ловушки при двойной занятости)

Экспериментальная установка

Параметры модели

В работе применяется метод теоретического моделирования с основными параметрами:

Параметры модели спинового тока:

• Время релаксации: 10 пс
• Химический потенциал: 0,15 эВ
• Энергия отсечки: 0,05 эВ
• Температура перехода: 60 К
• Коэффициент связи киральных фононов: 1×10⁻¹⁵ эВ·м/В

Параметры модели переноса заряда:

• Относительная диэлектрическая проницаемость: 11,7
• Энергия на узле: 0,03 эВ
• Эффективная масса электрона: 0,26 me
• Уровень донора: -0,04 эВ
• Плотность ловушек: 1×10²⁶ м⁻³
• Концентрация примесей: 8×10²⁵ м⁻³

Структура прибора

• BIB-прибор представлен как последовательная структура барьерного слоя, интерфейса и объёмного поглощающего слоя
• Рассматривается поглощающий слой толщиной около 200 нм с концентрацией примесей около 1×10²⁶ м⁻³
• Моделируется как кубическая структура для удобства теоретических расчётов

Экспериментальные результаты

Предсказание спинового тока

На рисунке 1 представлены теоретические кривые плотности спинового тока на интерфейсе поглощающего слоя/барьерного слоя. Результаты показывают:

• При низких напряжённостях электрического поля спиновой ток действительно демонстрирует квадратичную зависимость от электрического поля
• Температура оказывает значительное влияние на спиновой ток, что соответствует теоретическим ожиданиям вблизи температуры сверхпроводящего перехода

Анализ поверхностной плотности тока

На рисунке 2 представлены предсказания распределения поверхностной плотности тока на основе теории пространственно-ограниченного переноса заряда:

• Модель позволяет рассчитать напряжение, необходимое для достижения целевой поверхностной плотности тока при различных температурах
• Демонстрирует полный переход от нелинейности при низких напряжениях к линейности при высоких напряжениях

Влияние уровня примесей

На рисунке 3 представлены теоретические предсказания влияния различных уровней примесей на темновой ток при 20 К:

• Уровень примесей значительно влияет на величину тёмного тока
• Обеспечивает руководство для расчёта тёмного тока в BIB-приборах с различными условиями легирования

Связанные работы

Исследования сверхпроводимости

• Экспериментальные свидетельства сверхпроводимости в модифицированных кремниевых интерфейсах и легированных объёмных материалах⁵'⁶
• Экспериментальная реализация киральной сверхпроводимости в кремниевых материалах с Tc близко к 10 К
• Теоретическое моделирование образования пар Купера и фонон-опосредованного туннелирования¹¹⁻¹⁹

Теория спинового тока

• Теоретические и экспериментальные исследования киральных фононов⁷'⁸
• Киральные фононы, генерируемые электронным переносом между локализованными состояниями⁹
• Эффекты спиральных токов и эквивалентного поля Зеемана²²⁻²⁸

Исследования BIB-приборов

• Применение BIB-детекторов в астрономических наблюдениях¹'²
• Механизмы фотовозбуждения из примесной зоны в зону проводимости³'⁴
• Наблюдение явления отрицательного дифференциального сопротивления¹⁰

Выводы и обсуждение

Основные выводы

1. Выяснение механизма: Впервые теоретически объяснены сложные механизмы поведения тёмного тока в кремниевых BIB-приборах
2. Унификация модели: Интерфейсные эффекты киральных фононов и перенос заряда в объёме объединены в единую теоретическую базу
3. Количественное предсказание: Предоставлены теоретические инструменты для количественного предсказания тёмного тока
4. Руководство по проектированию: Предоставлено теоретическое руководство для подавления тёмного тока в BIB-детекторах

Физическая картина

• Область низких напряжений: Спиновой ток, опосредованный киральными фононами, доминирует, проявляясь как параболическая вольт-амперная характеристика
• Область средних напряжений: Доминирует механизм заполнения-опустошения ловушек, электроны сначала занимают ловушечные состояния, затем термически возбуждаются в зону проводимости
• Область высоких напряжений: Переход в металлическое состояние и, наконец, насыщение тока

Ограничения

1. Теоретические предположения: Предположение об образовании пар Купера требует дополнительной экспериментальной проверки
2. Зависимость от параметров: Некоторые параметры модели требуют экспериментальной калибровки
3. Диапазон температур: Главным образом применима к условиям работы при сверхнизких температурах
4. Специфичность материала: Параметры модели могут требовать корректировки для различных условий легирования

Направления будущих исследований

1. Экспериментальная проверка: Необходимо разработать эксперименты для проверки существования спинового тока, опосредованного киральными фононами
2. Оптимизация параметров: Оптимизация параметров модели путём подгонки к экспериментальным данным
3. Проектирование приборов: Разработка низкошумных BIB-приборов на основе теоретического руководства
4. Расширение применения: Расширение теории на другие типы инфракрасных детекторов

Глубокая оценка

Преимущества

1. Высокая инновационность: Впервые применена теория сверхпроводимости к анализу тёмного тока в BIB-приборах, новый подход
2. Полнота теории: Построена полная теоретическая цепь от микроскопических механизмов к макроскопическим явлениям
3. Практическая ценность: Предоставлены количественные инструменты расчёта, имеющие значение для проектирования приборов
4. Ясность физической картины: Дано чёткое объяснение физических механизмов в различных диапазонах напряжений

Недостатки

1. Отсутствие экспериментальной проверки: Чисто теоретическая работа, не подкреплённая экспериментальными данными
2. Сильные предположения: Ключевые предположения, такие как образование пар Купера, требуют более строгого теоретического или экспериментального обоснования
3. Источник параметров: Выбор некоторых параметров модели недостаточно обоснован
4. Область применимости: Конкретные условия и диапазон применимости теории требуют дальнейшего уточнения

Влияние

1. Научный вклад: Предоставлена новая теоретическая перспектива для физики BIB-приборов
2. Технологическое применение: Потенциальное значение для проектирования и оптимизации инфракрасных детекторов
3. Междисциплинарность: Способствует взаимопроникновению физики сверхпроводимости и исследований полупроводниковых приборов

Области применения

1. Астрономические наблюдения: Инфракрасные астрономические детекторы, работающие при сверхнизких температурах
2. Проектирование приборов: Оптимизация структуры BIB и подавление тёмного тока
3. Теоретические исследования: Исследование механизмов переноса заряда в низкомерных системах

Список литературы

Статья цитирует 31 соответствующий источник, охватывающий приложения BIB-приборов, теорию сверхпроводимости, спиновые токи, киральные фононы и другие области исследований, что отражает междисциплинарный характер работы и широту теоретической базы.