2025-11-15T17:07:12.333568

A One-Particle Density Matrix Framework for Mode-Shell Correspondence: Characterizing Topology in Amorphous Higher-Order Topological Insulators

Martínez, Jezequel, Bardarson et al.
We present a framework for characterizing higher-order topological phases directly from the one-particle density matrix, without any reference to an underlying Hamiltonian. Our approach extends the mode-shell correspondence, originally formulated for single-particle Hamiltonians, to Gaussian states subject to chiral constraints. In this correspondence, the mode index counts topological boundary modes, while the shell index quantifies the bulk topology in a region surrounding the modes, providing a bulk-boundary diagnostic. In one-dimensional topological insulators, the shell index reduces to the local chiral marker, recovering the winding number in the translation-invariant limit. We apply the mode-shell correspondence to a $C_4$-symmetric higher-order topological insulator with a chiral constraint and show that a fractional shell index implies that the higher-order phase is intrinsic. The one-particle density matrix is formulated in real space, so the mode-shell correspondence also applies to models without translation invariance. By introducing structural disorder into the $C_4$-symmetric higher-order insulator, we show that the mode-shell correspondence remains a meaningful diagnostic in amorphous structures. The mode-shell correspondence generalizes to interacting states with a gapped bulk spectrum in the one-particle density matrix, providing a practical and diverse route to characterize higher-order topology from the quantum state itself.
academic

Одночастичная матрица плотности для соответствия мода-оболочка: характеризация топологии в аморфных топологических изоляторах высшего порядка

Основная информация

  • ID статьи: 2509.03632
  • Название: A One-Particle Density Matrix Framework for Mode-Shell Correspondence: Characterizing Topology in Amorphous Higher-Order Topological Insulators
  • Авторы: Miguel F. Martínez, Lucien Jezequel, Jens H. Bardarson, Thomas Klein Kvorning, Julia D. Hannukainen
  • Классификация: cond-mat.mes-hall cond-mat.dis-nn
  • Дата публикации: сентябрь 2024 г. (подано на arXiv)
  • Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2509.03632

Аннотация

В данной работе предложена схема прямой характеризации фаз высшего порядка топологии непосредственно из одночастичной матрицы плотности без ссылки на базовый гамильтониан. Метод расширяет соответствие мода-оболочка, первоначально сформулированное для одночастичных гамильтонианов, на гауссовы состояния с киральными ограничениями. В этом соответствии индекс моды подсчитывает топологические граничные моды, а индекс оболочки количественно определяет объемную топологию в области вокруг моды, обеспечивая объемно-граничную диагностику. В одномерных топологических изоляторах индекс оболочки сводится к локальному киральному маркеру, восстанавливая число витков в пределе трансляционной инвариантности. Авторы применяют соответствие мода-оболочка к топологическому изолятору высшего порядка с симметрией C4C_4 с киральными ограничениями и демонстрируют, что дробные индексы оболочки подразумевают внутреннюю природу фазы высшего порядка.

Исследовательский контекст и мотивация

Определение проблемы

Характеризация топологических квантовых состояний традиционно опирается на анализ гамильтониана в импульсном пространстве, однако этот подход сталкивается с фундаментальными трудностями при работе с неупорядоченными системами и аморфными материалами. В частности:

  1. Отсутствие трансляционной инвариантности: в аморфных материалах концепция зоны Бриллюэна теряет смысл, и топологические инварианты, основанные на импульсном пространстве, не могут быть определены
  2. Сложность фаз высшего порядка топологии: угловые моды и шарнирные моды топологических изоляторов высшего порядка требуют новых методов характеризации
  3. Различие между внутренними и внешними фазами: необходимо определить, гарантирована ли топологическая фаза объемной топологией (внутренняя) или зависит от конкретного граничного завершения (внешняя)

Значимость исследования

Данное исследование решает важные проблемы физики конденсированного состояния:

  • предоставляет инструменты характеризации для аморфных топологических материалов
  • устанавливает методы прямого анализа топологических свойств из квантовых состояний
  • расширяет применимость топологической физики на неупорядоченные системы

Ограничения существующих методов

Традиционные методы, такие как вложенные циклы Вильсона и квантованные мультипольные моменты, зависят от трансляционной симметрии и не могут быть применены к:

  • аморфным материалам
  • сильно неупорядоченным системам
  • некоторым случаям взаимодействующих систем

Основные вклады

  1. Теоретическое инновирование: обобщение соответствия мода-оболочка от формулировки гамильтониана к формулировке одночастичной матрицы плотности
  2. Характеризация топологии в реальном пространстве: предоставление метода характеризации топологических фаз, не зависящего от трансляционной инвариантности
  3. Критерий внутренней природы: установление критериев для определения внутренней природы фаз высшего порядка топологии на основе дробных индексов оболочки
  4. Применение к аморфным системам: первая проверка метода на аморфных топологических изоляторах высшего порядка с симметрией C4C_4
  5. Расширение на взаимодействующие системы: демонстрация применимости метода к взаимодействующим системам с щелевой одночастичной матрицей плотности

Детальное описание методов

Схема одночастичной матрицы плотности

Для многочастичного состояния Ψ|\Psi\rangle одночастичная матрица плотности Боголюбова-де Жена имеет блочную форму:

ρ=(ρ~κκ1ρ~)\rho = \begin{pmatrix} \tilde{\rho} & \kappa \\ \kappa^\dagger & 1-\tilde{\rho}^* \end{pmatrix}

где ρ~ij=ΨcicjΨ\tilde{\rho}_{ij} = \langle\Psi|c_i^\dagger c_j|\Psi\rangle и κij=ΨcicjΨ\kappa_{ij} = \langle\Psi|c_i^\dagger c_j^\dagger|\Psi\rangle.

Соответствие мода-оболочка

Определение индекса моды

Индекс моды определяется как: Imode=λ4λ(1λ)λθCλI^{\text{mode}} = \sum_\lambda 4\lambda(1-\lambda)\langle\lambda|\theta C|\lambda\rangle

где:

  • λ\lambda — собственные значения ограниченной одночастичной матрицы плотности ρA\rho_A
  • λ|\lambda\rangle — соответствующие собственные состояния
  • θ\theta — оператор проекции на подобласть AshellAA_{\text{shell}} \subset A
  • CC — оператор киральной симметрии

Вывод индекса оболочки

Посредством циклического свойства следа и кирального ограничения {ρA,C}=C\{\rho_A, C\} = C индекс моды может быть переписан как: Ishell=2Tr(CρA[ρA,θ])I^{\text{shell}} = -2\text{Tr}(C\rho_A[\rho_A, \theta])

При разложении градиента: Ishell=2iTr(CρA[ρA,Xi]xiθ)I^{\text{shell}} = 2\sum_i \text{Tr}(C\rho_A[\rho_A, X_i]\partial_{x_i}\theta)

Эквивалентность в одномерном случае

В одномерных системах индекс оболочки эквивалентен локальному киральному маркеру: ν(x)=2trxρCXρx\nu(x) = -2\text{tr}\langle x|\rho CX\rho|x\rangle

В объемной области: Ishell=νI^{\text{shell}} = \mp\nu

Применение к топологическим изоляторам высшего порядка

Модель BBH

Рассмотрим гамильтониан модели Беналькасара-Берневига-Хьюза (BBH) в реальном пространстве: hrr=γ(σz+σyτy)δrrη2(σz+iσyτz)δr,r+axη2(σyτy+iσyτx)δr,r+ayh_{rr'} = -\gamma(\sigma_z+\sigma_y\tau_y)\delta_{rr'} - \frac{\eta}{2}(\sigma_z + i\sigma_y\tau_z)\delta_{r',r+a_x} - \frac{\eta}{2}(\sigma_y\tau_y + i\sigma_y\tau_x)\delta_{r',r+a_y}

Критерий внутренней природы

Для топологического изолятора высшего порядка с симметрией C4C_4:

  • Нечетный индекс моды: каждая точка пересечения край-оболочка вносит полуцелое значение, указывая на внутреннюю топологическую фазу
  • Четный индекс моды: целые значения вклада, не позволяющие различить внутренние и внешние фазы

Экспериментальная установка

Параметры кристаллической системы

  • Линейный размер квадратной решетки: L=20L = 20
  • Параметры модели BBH: γ=0.5\gamma = 0.5, η=1\eta = 1
  • Ограниченная область AA: нижний левый квадрант решетки (LA=10L_A = 10)

Генерация аморфной системы

  1. Генерирование малой квадратной решетки (L~=L/2\tilde{L} = L/2)
  2. Введение беспорядка через нормальное распределение с параметром аморфности ww
  3. Создание четырех копий с применением C4C_4 ротационной симметрии
  4. Установка параметров: w=0.1w = 0.1, расстояние отсечки r0=1.3r_0 = 1.3

Конструкция функции оболочки

θ(x,y)=1[1+ec(x2+y2ω)]1\theta(x,y) = 1 - [1 + e^{-c(\sqrt{x^2+y^2}-\omega)}]^{-1}

где ω=LA/2\omega = L_A/2 определяет положение оболочки, c=LA/2c = L_A/2 (кристалл) или c=2LA/3c = 2L_A/3 (аморф) контролирует резкость перехода.

Экспериментальные результаты

Результаты для кристаллической модели BBH

  • Индекс моды: Imode=0.9981I^{\text{mode}} = 0.998 \approx 1
  • Индекс оболочки: Ishell=0.9981I^{\text{shell}} = 0.998 \approx 1
  • Четыре собственных значения λ=1/2\lambda = 1/2: соответствуют четырем киральным угловым модам
  • Распределение индекса оболочки: вклад только в точках пересечения край-оболочка, каждая точка вносит 1/21/2

Результаты для аморфной модели BBH

  • Индекс моды: Imode=0.9961I^{\text{mode}} = 0.996 \approx 1
  • Индекс оболочки: Ishell=0.9961I^{\text{shell}} = 0.996 \approx 1
  • Влияние структурного беспорядка: появление большего числа собственных значений в интервале (0,1)(0,1)
  • Появление объемного вклада: положительные и отрицательные вклады индекса оболочки в объемной области, но в среднем равные нулю

Ключевые находки

  1. Точность квантования: соответствие мода-оболочка сохраняет хорошее квантование даже в аморфных системах
  2. Подтверждение внутренней природы: дробные индексы оболочки (1/21/2) подтверждают внутреннюю природу высшего порядка топологии модели BBH
  3. Устойчивость: метод демонстрирует устойчивость к структурному беспорядку

Связанные работы

Маркеры топологии в реальном пространстве

  • Локальный киральный маркер: одномерный инвариант топологии в реальном пространстве, предложенный Hannukainen и др.
  • Индекс Ботта: маркер топологии в реальном пространстве для неупорядоченных систем
  • Другие методы в реальном пространстве: включая спектральную локализацию, локальный маркер Черна и др.

Топологические изоляторы высшего порядка

  • Вложенные циклы Вильсона: традиционный метод характеризации топологии высшего порядка
  • Мультипольные моменты: топологические инварианты, основанные на центрах Ванье
  • Индикаторы симметрии: классификация топологии, основанная на представлении энергетических зон

Аморфные топологические материалы

  • Аморфные изоляторы Черна: ранние исследования аморфных топологических материалов
  • Аморфные топологические изоляторы высшего порядка: недавно развивающееся направление исследований

Заключение и обсуждение

Основные выводы

  1. Теоретический прорыв: успешное обобщение соответствия мода-оболочка на формулировку одночастичной матрицы плотности квантовых состояний
  2. Проверка практичности: подтверждение эффективности метода на кристаллических и аморфных топологических изоляторах высшего порядка
  3. Критерий внутренней природы: установление критериев внутренней фазы высшего порядка топологии на основе дробных индексов оболочки
  4. Широкая применимость: возможность расширения метода на взаимодействующие системы и произвольные размерности

Ограничения

  1. Требование киральной симметрии: метод применим только к системам с киральной симметрией
  2. Требование щели: необходима щель в одночастичной матрице плотности
  3. Выбор оболочки: выбор области оболочки требует тщательного рассмотрения релевантных масштабов длины
  4. Вычислительная сложность: для больших систем диагонализация матрицы плотности может быть вычислительно дорогостоящей

Будущие направления

  1. Другие классы симметрии: расширение на другие классы симметрии Альтланда-Цирнбауэра
  2. Трехмерные системы: применение к трехмерным топологическим изоляторам высшего порядка
  3. Сильно взаимодействующие системы: дальнейшее исследование применения к сильно коррелированным системам
  4. Экспериментальная проверка: проверка метода на реальных материалах

Глубокая оценка

Преимущества

  1. Высокая теоретическая новизна: первое обобщение соответствия мода-оболочка на формулировку матрицы плотности, открывающее новые пути исследования аморфных топологических материалов
  2. Хорошая универсальность метода: независимость от трансляционной инвариантности позволяет применение к широкому классу систем
  3. Ясная физическая картина: соответствие между индексом моды и индексом оболочки обеспечивает интуитивное понимание объемно-граничных отношений
  4. Достаточная численная проверка: детальная численная верификация как на кристаллических, так и на аморфных системах
  5. Новый критерий внутренней природы: предложение нового метода определения внутренней природы фаз высшего порядка топологии

Недостатки

  1. Ограничение симметрией: метод ограничен системами с киральной симметрией, что сужает область применения
  2. Вычислительные затраты: высокая вычислительная сложность диагонализации матрицы плотности для больших систем
  3. Чувствительность к параметрам: выбор функции оболочки θ\theta может влиять на точность результатов
  4. Ограниченная связь с экспериментом: отсутствие прямой связи с измерениями в реальных материалах

Влияние

  1. Академический вклад: предоставление важного инструмента для развития теории топологической физики
  2. Перспективы применения: создание теоретической базы для проектирования и характеризации аморфных топологических материалов
  3. Распространение методов: возможное вдохновение развития других методов характеризации топологии в реальном пространстве
  4. Междисциплинарная ценность: потенциальное применение в квантовой информации, материаловедении и других областях

Сценарии применения

  1. Аморфные топологические материалы: системы с высокой степенью беспорядка, но сохраняющие определенные симметрии
  2. Системы конечного размера: малые топологические системы, где граничные эффекты имеют значение
  3. Взаимодействующие системы: сильно коррелированные системы с щелевой одночастичной матрицей плотности
  4. Численные исследования: теоретические расчеты, требующие характеризации топологии в реальном пространстве

Библиография

В данной работе цитируется 98 источников, охватывающих ключевые работы в области топологических изоляторов, маркеров топологии в реальном пространстве, аморфных материалов и фаз высшего порядка топологии, обеспечивая прочную теоретическую базу для данного исследования.