2025-11-18T19:37:13.758605

Ambient-Stable Transfer-Free Graphdiyne Wafers with Superhigh Hole Mobility at Room Temperature

Ma, Qi, Shen
Graphdiyne (GDY) is recognized as a compelling candidate for the fabrication of next-generation high-speed low-energy electronic devices due to its inherent p-type semiconductor characteristics. However, the development of GDY for applications in field-effect transistors (FETs), complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS), and logic devices remains constrained by the relatively low carrier mobility reported in current experimental studies. Herein, the synthesis of layer-controlled hydrogen-substituted graphdiyne (HsGDY) films directly on silicon substrates under a supercritical CO2 atmosphere is reported, along with the fabrication of these films into HsGDY-based FETs. The transfer-free growth strategy eliminates performance degradation caused by post-synthesis transfer processes. The resulting HsGDY FETs exhibit a remarkable hole mobility of up to 3800 cm2 V-1 s-1 at room-temperature, which is an order of magnitude higher than that of most p-type semiconductors. The synthesis of transfer-free HsGDY wafers provides a new strategy for resolving the carrier mobility mismatch between p-channel and n-channel two-dimensional metal-oxide-semiconductor devices.
academic

Стабильные в окружающей среде трансфер-свободные пластины графдина со сверхвысокой подвижностью дырок при комнатной температуре

Основная информация

  • ID статьи: 2510.09998
  • Название: Ambient-Stable Transfer-Free Graphdiyne Wafers with Superhigh Hole Mobility at Room Temperature
  • Авторы: Beining Ma, Jianyuan Qi, Xinghai Shen (Пекинский университет)
  • Классификация: cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
  • Автор для корреспонденции: Prof. X. H. Shen (xshen@pku.edu.cn)
  • Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2510.09998

Аннотация

Графдин (GDY) рассматривается как перспективный кандидат для создания электронных устройств следующего поколения с высокой скоростью и низким энергопотреблением благодаря его внутренним свойствам полупроводника p-типа. Однако применение GDY в полевых транзисторах (FET), комплементарных металл-оксид-полупроводниковых (КМОП) структурах и логических устройствах ограничено относительно низкой подвижностью носителей заряда, о которой сообщается в текущих экспериментальных исследованиях. В данной работе сообщается о синтезе тонких пленок водородзамещённого графдина (HsGDY) с контролируемым числом слоёв непосредственно на кремниевой подложке в атмосфере сверхкритического CO₂ и изготовлении полевых транзисторов на основе HsGDY. Стратегия роста без трансфера исключает деградацию производительности, вызванную постсинтетическими процессами переноса. Полученные полевые транзисторы HsGDY демонстрируют подвижность дырок до 3800 см² В⁻¹ с⁻¹ при комнатной температуре, что на порядок выше, чем у большинства полупроводников p-типа.

Научная база и мотивация

1. Основная проблема

В эпоху постмуровского закона кремниевая полупроводниковая технология сталкивается с критическими вызовами на узлах ниже 10 нанометров, включая короткоканальные эффекты, снижение подвижности носителей и увеличение энергопотребления. Двумерные (2D) полупроводники рассматриваются как один из наиболее перспективных кандидатов для продолжения закона Мура благодаря их атомной толщине, сверхплоским поверхностям, сверхвысокой подвижности носителей и превосходной управляемости электрических свойств.

2. Значимость проблемы

  • Несоответствие подвижности носителей: Подвижность носителей большинства полупроводников p-типа обычно находится в диапазоне 10⁻² - 10² см² В⁻¹ с⁻¹, только чёрный фосфор (BP) демонстрирует подвижность дырок при комнатной температуре выше 10³ см² В⁻¹ с⁻¹
  • Различие производительности PMOS и NMOS: Несоответствие подвижности носителей между p-канальными и n-канальными приборами значительно влияет на скорость обработки данных, увеличивает энергопотребление и снижает производительность

3. Ограничения существующих методов

  • Проблемы процесса переноса: Традиционные тонкие пленки GDY требуют переноса на кремниевые пластины, что неизбежно вводит загрязнение примесями и структурные повреждения, снижающие подвижность дырок
  • Сложность фотолитографии: Тонкие пленки GDY, перенесённые на кремниевые пластины, трудно обрабатывать с помощью фотолитографии для создания массивов FET
  • Отсутствие каталитической активности: Кремниевая подложка не обладает каталитической активностью для сочетания мономеров GDY

Основной вклад

  1. Разработка метода синтеза пластин HsGDY без переноса: Впервые реализирован прямой рост двумерных тонких пленок GDY на поверхности кремниевой подложки
  2. Достижение сверхвысокой подвижности дырок: Полевые транзисторы HsGDY демонстрируют подвижность дырок до 3,8×10³ см² В⁻¹ с⁻¹ при комнатной температуре, на порядок выше, чем у большинства полупроводников p-типа
  3. Решение проблемы несоответствия подвижности носителей: Предоставлена новая стратегия для решения несоответствия подвижности носителей между p-канальными и n-канальными двумерными КМОП приборами
  4. Совместимость со стандартной фотолитографией: Пластины HsGDY без переноса могут быть интегрированы в стандартные рабочие процессы фотолитографии

Детальное описание методов

Механизм синтеза

Используется стратегия синтеза с пространственным ограничением, реализуемая путём зажима медной фольги и кремниевой пластины в среде сверхкритического CO₂:

  1. Источник катализатора: Ионы меди, выделяемые медной фольгой, мигрируют и адсорбируются на поверхности кремния
  2. Каталитическая реакция: Ионы меди катализируют реакцию сочетания мономеров GDY
  3. Прямой эпитаксиальный рост: Реализуется прямой эпитаксиальный рост на подложке

Технические инновации

1. Стратегия пространственного ограничения

  • Реализация крупномасштабных однородных тонких пленок HsGDY с малым числом слоёв простым методом зажима (зажим кремниевой пластины и медной фольги)
  • Среда сверхкритического CO₂ обеспечивает идеальные условия реакции

2. Контроль числа слоёв

Успешное изготовление пластин HsGDY с различным числом слоёв путём точной регулировки концентрации триэтинилбензола (TEB):

  • Толщина самой тонкой пленки составляет примерно 2,2 нм, соответствуя 6-слойной пластине HsGDY
  • Диапазон толщин: 2,2-22 нм

3. Преимущества роста без переноса

  • Исключение загрязнения остатками ПММА
  • Избежание структурных повреждений
  • Повышение подвижности носителей
  • Совместимость со стандартной фотолитографией

Экспериментальная установка

Условия синтеза

  • Температура реакции: 50°C
  • Давление: 100 бар (сверхкритический CO₂)
  • Время реакции: 24 часа
  • Концентрация мономера: 0,20-0,32 мг мл⁻¹ (TEB в ацетоне)
  • Система растворителей: 70% TMEDA + 30% пиридина

Изготовление приборов

  1. Структура Hall bar: Длина 110 мкм, ширина 20 мкм
  2. Материал электродов: Au/Ti (50 нм/5 нм)
  3. Затворный диэлектрик: SiO₂ (толщина 4,8 нм, ёмкость 719,4 нФ см⁻²)
  4. Архитектура прибора: Конфигурация Hall bar с 8 электродами

Методы характеризации

  • Рамановская спектроскопия: Подтверждение характеристических пиков HsGDY (1357, 1573, 1934, 2212 см⁻¹)
  • XPS: Анализ химического состояния
  • SEM-EDS: Подтверждение однородности тонкой пленки
  • AFM: Измерение толщины
  • TEM: Анализ кристаллической структуры

Экспериментальные результаты

Основные результаты

1. Производительность подвижности носителей

  • Средняя подвижность дырок для 6-слойного полевого транзистора HsGDY: 3,8×10³ см² В⁻¹ с⁻¹
  • Зависимость от толщины: При уменьшении толщины тонкой пленки с 22 нм до 2,2 нм подвижность дырок увеличивается с 7,3×10² см² В⁻¹ с⁻¹ до 3,8×10³ см² В⁻¹ с⁻¹
  • Коэффициент переключения: Ion/Ioff = 1×10⁴

2. Электрические характеристики

  • Проводимость: 2,3×10³ С м⁻¹ (298 K)
  • Тип контакта: Омический контакт
  • Управление затвором: Явные характеристики управления затвором
  • Характеристика p-типа: Резкий скачок тока при Vg ≈ -5 В

3. Стабильность

После 60 дней хранения в окружающей среде без какой-либо инкапсуляции характеристики прибора остаются постоянными, демонстрируя превосходную стабильность в окружающей среде.

Сравнение с другими полупроводниками p-типа

Подвижность дырок HsGDY (3800 см² В⁻¹ с⁻¹) значительно превосходит другие двумерные материалы p-типа:

  • Чёрный фосфор: 1350 см² В⁻¹ с⁻¹
  • Te: 700 см² В⁻¹ с⁻¹
  • WSe₂: 250 см² В⁻¹ с⁻¹
  • MoS₂: 68 см² В⁻¹ с⁻¹

Анализ механизма

Измерения электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) раскрывают механизм поведения полупроводника p-типа:

  • HsGDY демонстрирует симметричный сигнал ЭПР с g-фактором 2,002, характерным для кислородных вакансий
  • Удаление атомов кислорода нарушает локальную сопряжённость, создавая висячие углеродные связи
  • Висячие связи действуют как сильные акцепторы электронов, захватывая электроны из валентной зоны и создавая подвижные дырки

Связанные работы

Текущее состояние исследований GDY

  • GDY как новый двумерный углеродный аллотроп с плоской структурой, содержащей sp² и sp гибридизованные углеродные атомы
  • Теоретические предсказания указывают на GDY как внутренний полупроводник p-типа со сверхвысокой подвижностью дырок
  • Существующие экспериментальные отчёты о подвижности дырок полевых транзисторов GDY относительно низки (0,033-247,1 см² В⁻¹ с⁻¹)

Сравнение методов синтеза

  • Существующие методы: медная фольга, кварц, подложки на основе MXene и др.
  • Данная работа: впервые реализирован прямой рост на поверхности кремниевой пластины

Выводы и обсуждение

Основные выводы

  1. Успешно разработан метод прямого роста HsGDY на кремниевой подложке
  2. Достигнута наивысшая подвижность дырок среди полупроводников p-типа на данный момент
  3. Решена проблема деградации производительности, вызванная процессом переноса
  4. Предоставлено решение проблемы несоответствия подвижности носителей в технологии КМОП

Перспективы применения

  • Технология КМОП: Может быть согласована с полупроводниками n-типа с высокой подвижностью носителей для изготовления гетероинтегрированных КМОП структур
  • Логические устройства: Повышение скорости переключения логических вентилей КМОП
  • Устройства с низким энергопотреблением: Достижение требуемой скорости переключения при более низком рабочем напряжении, значительное снижение энергопотребления

Ограничения

  1. В настоящее время реализирован размер пластины только 1×1 см
  2. Требуется дальнейшая оптимизация для достижения крупномасштабного роста пластин
  3. Долгосрочная стабильность требует более детальных исследований

Глубокая оценка

Преимущества

  1. Сильная техническая инновационность: Впервые реализирован прямой рост GDY на кремниевой подложке, решена ключевая техническая проблема
  2. Значительный прорыв в производительности: Подвижность дырок на порядок выше, чем у существующих двумерных полупроводников p-типа
  3. Высокая практическая ценность: Совместимость со стандартными полупроводниковыми процессами, хорошие перспективы промышленного применения
  4. Полная характеризация: Использование множества методов характеризации для всестороннего подтверждения структуры и свойств материала

Недостатки

  1. Ограничение размера пластины: В настоящее время реализирован только размер 1×1 см, что далеко от промышленного применения
  2. Недостаточное объяснение механизма: Микроскопический механизм сверхвысокой подвижности требует более детального теоретического анализа
  3. Отсутствие температурных характеристик: Недостаток характеризации производительности при различных температурах

Влияние

  1. Научная ценность: Обеспечивает важный прогресс в области электроники двумерных материалов
  2. Промышленное значение: Предоставляет новый выбор материала для развития полупроводниковых устройств следующего поколения
  3. Воспроизводимость: Метод относительно прост и обладает хорошей воспроизводимостью

Применимые сценарии

  • Высокопроизводительные КМОП устройства
  • Логические схемы с низким энергопотреблением
  • Высокочастотные электронные устройства
  • Гибкие электронные устройства

Библиография

Статья цитирует 49 связанных источников, охватывающих важные исследовательские работы в области двумерных материалов, синтеза графдина, полевых транзисторов и других смежных областей, обеспечивая прочную теоретическую базу и техническую поддержку для данного исследования.