Слабая антилокализация и спин-зависимое рассеяние на границе раздела намагниченного тяжелого металла

Основная информация

• ID статьи: 2510.10595
• Название: Weak-anti-localization-to-spin-dependent scattering at a proximity-magnetized heavy metal interface
• Авторы: Hisakazu Matsuki, Guang Yang, Jiahui Xu, Vitaly N. Golovach, Yu He, Jiaxu Li, Alberto Hijano, Niladri Banerjee, Iuliia Alekhina, Nadia Stelmashenko, F. Sebastian Bergeret, Jason W. A. Robinson
• Классификация: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.mes-hall
• Дата публикации: 12 октября 2025 г. (препринт arXiv)
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2510.10595

Аннотация

Зависимость электрического сопротивления материала от магнитного поля (магнитосопротивление) обусловлена квантовыми интерференционными эффектами и/или спин-зависимым транспортом в зависимости от свойств материала и размерности. В неупорядоченных проводниках электронная интерференция приводит к слабой локализации или антилокализации, тогда как ферромагнитные проводники поддерживают спин-зависимое рассеяние, создавая гигантское магнитосопротивление (GMR). Путём изменения толщины Au (4-28 нм) в спиновом переключателе EuS/Au/EuS исследователи наблюдали кроссовер от слабой антилокализации к интерфейсному GMR. Этот переход связан с магнитным близостным эффектом в Au, возникающим из-за электронного рассеяния на границе раздела изолирующего EuS. Индуцированное близостью обменное поле подавляет слабую антилокализацию в Au в соответствии с теорией Маэкавы-Фукуямы. С увеличением толщины Au появляется GMR наряду со спин-холловским магнитосопротивлением. Эти результаты демонстрируют спин-зависимый транспорт, контролируемый интерфейсным обменным полем, и устанавливают основу для функциональности спинтроники без металлических магнитов.

Исследовательский контекст и мотивация

Исследуемая проблема

Основная проблема, которую решает данное исследование, заключается в понимании механизмов электронного спин-транспорта на границе раздела магнитный изолятор/немагнитный металл (MI/N), в частности механизма перехода от квантовых интерференционных эффектов к спин-зависимому рассеянию при различных толщинах.

Значимость

1. Развитие спинтронных устройств: Границы раздела MI/N являются ключевыми для развития спинтроники и технологии магнонных устройств
2. Понимание фундаментальной физики: Конкурирующие механизмы квантовых интерференционных эффектов и спин-зависимого транспорта ещё полностью не поняты
3. Применение в устройствах: Предоставляет новые пути для функциональности спинтроники без необходимости в металлических ферромагнитах

Ограничения существующих методов

1. Ограничения исследований GMR: Традиционный GMR наблюдается главным образом на границах раздела металлический ферромагнит/немагнитный металл; сообщения о GMR в системах MI/N редки
2. Недостаточная теоретическая верификация: Экспериментальная проверка магнитосопротивления в области слабой локализации, вызванного магнитным обменным полем, предсказанного теорией Маэкавы-Фукуямы, отсутствует
3. Неполное понимание интерфейсных эффектов: Понимание того, как интерфейсное обменное поле регулирует квантовый транспорт, недостаточно глубоко

Исследовательская мотивация

Путём систематического исследования влияния толщины Au на магнитные транспортные свойства в структуре EuS/Au/EuS выявить механизм действия интерфейсного обменного поля в регулировании квантовых интерференционных эффектов и спин-зависимого рассеяния.

Основные вклады

1. Первое наблюдение эффекта GMR в структурах MI/N/MI, заполняющее экспериментальный пробел в этой области
2. Экспериментальная верификация теории Маэкавы-Фукуямы, доказывающая, что интерфейсное обменное поле может подавлять слабую антилокализацию
3. Обнаружение зависящего от толщины обращения знака магнитосопротивления, раскрывающее механизм перехода от слабой антилокализации к GMR
4. Наблюдение значительного аномального эффекта Холла, подтверждающее наличие сильного обменного поля на границе раздела EuS/Au
5. Установление теоретической основы регулирования спин-транспорта интерфейсным обменным полем, предоставляющей руководство для проектирования спинтронных устройств без металлических магнитов

Методология

Подготовка образцов

Исследование использовало многослойную структуру Au(3 нм)/EuS(20 нм)/Au(d)/EuS(10 нм)/SiO₂//Si, где d — переменная толщина Au в диапазоне 4-28 нм. Образцы были подготовлены методом электронно-лучевого испарения при комнатной температуре с вакуумом подложки 1×10⁻⁸ мбар.

Методы измерения

1. Измерение магнитосопротивления: Измерение изменения сопротивления с магнитным полем при внутриплоскостном и внеплоскостном магнитных полях
2. Измерение намагниченности: Измерение петель гистерезиса с использованием вибрирующего образца магнитометра
3. Измерение эффекта Холла: Измерение поперечного удельного сопротивления при перпендикулярном магнитном поле

Теоретическая аналитическая основа

Теория слабой локализации

Для тонких слоёв Au (d ≤ 6 нм) используется теория Маэкавы-Фукуямы для описания магнитосопротивления при внутриплоскостном магнитном поле:

При условиях изотропной спин-орбитальной связи и времени упругого рассеяния, значительно меньшего времени спин-орбитального рассеяния (τ₀ ≪ τₛₒ), теория MF предсказывает положительное магнитосопротивление при внутриплоскостном магнитном поле.

Интерфейсное обменное поле

Мнимая часть спин-смешанной проводимости Gᵢ создаёт близостное магнитное обменное поле (MEF):

$G_i \approx g\pi G_0 N_F \mu_B \mu_0 H_{ex} d$

где g — фактор Ланде, G₀ — квантовая проводимость, Nₓ — плотность состояний одного спина на уровне Ферми, μв — магнетон Бора.

Спин-холловское магнитосопротивление

Для структуры FI/HM/FI аномальное удельное сопротивление Холла:

$\Delta\rho_{yx} = -\theta_{SH}^2 \frac{d G_i}{G_i^2 + [G_r + \frac{\sigma_0}{2\lambda}\coth(\frac{d}{2\lambda})]^2}$

где θₛₕ — угол спин-холловского эффекта, λ — длина спин-диффузии.

Экспериментальная установка

Структура образца

• Структура спинового переключателя: EuS(20 нм)/Au(d)/EuS(10 нм), d = 4, 6, 7, 8, 10, 12, 16, 20, 28 нм
• Контрольные образцы: Однослойная плёнка Au(7 нм)/SrTiO₃
• Электроды: Электрические контакты изготовлены с помощью прокладок AlSi ультразвуковой сваркой

Условия измерения

• Диапазон температур: 2-300 К
• Диапазон магнитного поля: Внутриплоскостное ±20 мТ, внеплоскостное ±5 Т
• Частота измерения: Низкочастотные измерения переменного тока для избежания эффектов нагрева

Геометрия устройства

• Холловская полоса: 100×400 мкм² для измерения эффекта Холла
• Неструктурированные образцы: Используются для базовых измерений магнитосопротивления и намагниченности

Экспериментальные результаты

Температурная зависимость электрического сопротивления

1. Тонкие слои Au (d ≤ 6 нм): Минимум сопротивления при 10-20 К, при низких температурах сопротивление увеличивается как -ln(T), проявляя поведение области слабой локализации (WLR)
2. Толстые слои Au (d ≥ 8 нм): Сопротивление монотонно уменьшается с температурой, не соответствуя характеристикам WLR
3. Увеличение нормализованного сопротивления: При 3 К (R-Rₘᵢₙ)/Rₘᵢₙ линейно увеличивается с толщиной Au до 8 нм

Зависимость магнитосопротивления от толщины

Положительное магнитосопротивление тонких слоёв Au (d = 4, 6 нм)

• Минимум сопротивления появляется в антипараллельном (AP) состоянии намагниченности
• Магнитосопротивление определяется как MR = (Rₕ₌₀-Rₐₚ)/Rₐₚ×100%
• d = 4 нм: MR ≈ +0,01%
• d = 6 нм: MR ≈ +0,005%
• Соответствует предсказаниям теории Маэкавы-Фукуямы

Отрицательное магнитосопротивление толстых слоёв Au (d ≥ 8 нм)

• Проявляет типичное поведение GMR: Rₐₚ > Rₚ
• Значение MR уменьшается с увеличением толщины
• d = 8 нм: MR ≈ -0,005%
• d = 28 нм: MR ≈ -0,002%

Аномальный эффект Холла

В измерениях при перпендикулярном магнитном поле наблюдается значительное аномальное удельное сопротивление Холла:

• d = 4 нм: ρᵧₓ ≈ 90 пОм·м
• d = 8 нм: ρᵧₓ ≈ 42 пОм·м
• d = 16 нм: ρᵧₓ ≈ 20 пОм·м

Эти значения на три порядка выше, чем в двойном слое Au/YIG, подтверждая наличие сильного обменного поля на границе раздела EuS/Au.

Магнитные характеристики

• Коэрцитивное поле слоёв EuS: ±7 мТ и ±3 мТ
• Экстраполированная температура Кюри: около 20 К
• Намагниченность достигает насыщения при ±1,5 Т

Связанные работы

Развитие теории слабой локализации

• Теория HLN: Описание слабой локализации при внеплоскостном магнитном поле
• Теория MF: Предсказание положительного магнитосопротивления при внутриплоскостном магнитном поле, но экспериментальная верификация редка
• Эффекты спин-орбитальной связи: Магнитная анизотропия магнитосопротивления в материалах с сильной спин-орбитальной связью

Современное состояние исследований GMR

• Структуры металл F/N/F: Основной способ реализации традиционного GMR
• Разреженные магнитные полупроводники: Немногочисленные сообщения о GMR в системах MI/N
• Инженерия интерфейсов: Реализация новых магнитоэлектрических эффектов путём регулирования интерфейсов

Исследования, связанные с EuS

• Интерфейсное обменное поле: Обменная связь на границах раздела EuS с различными материалами
• Спин-инжекция: Применение EuS в качестве источника спин-инжекции
• Близостный эффект: Магнитный близостный эффект в сверхпроводниках и графене

Заключение и обсуждение

Основные выводы

1. Успешное наблюдение контролируемого толщиной обращения знака магнитосопротивления: От положительного магнитосопротивления (слабая антилокализация) в тонких слоях Au к отрицательному магнитосопротивлению (GMR) в толстых слоях
2. Верификация ключевой роли интерфейсного обменного поля: Сильное обменное поле на границе раздела EuS/Au подавляет квантовую интерференцию и индуцирует спин-зависимое рассеяние
3. Установление механизма GMR в структурах MI/N/MI: Интерфейсное обменное поле создаёт эффективную спиновую поляризацию, реализуя эффект GMR
4. Подтверждение наличия спин-холловского магнитосопротивления: Большая мнимая часть спин-смешанной проводимости создаёт значительный аномальный сигнал Холла

Физический механизм

Механизм перехода можно понять как конкурирующий эффект:

• Предел тонких слоёв: Интерфейсное обменное поле действует как эффективное поле Зеемана, подавляя слабую антилокализацию согласно теории MF
• Предел толстых слоёв: Спин-зависимое интерфейсное рассеяние и эффекты спин-накопления доминируют, создавая GMR

Ограничения

1. Температурные ограничения: Эксперименты проводились главным образом ниже температуры Кюри EuS (~20 К)
2. Специфичность материала: Результаты относятся в основном к системе EuS/Au; другие комбинации MI/N требуют дальнейшей верификации
3. Теоретическая модель: Механизм перехода в области средних толщин требует более совершенного теоретического описания

Будущие направления

1. Расширение материальной базы: Исследование комбинаций других высокообменных MI материалов с различными тяжёлыми металлами
2. Применение в устройствах: Разработка спинтронных устройств на основе интерфейсного обменного поля
3. Совершенствование теории: Создание более полной теоретической основы регулирования квантового транспорта интерфейсным обменным полем

Глубокая оценка

Преимущества

1. Изящный экспериментальный дизайн: Систематическое изменение толщины Au ясно демонстрирует переход физических механизмов
2. Тесная связь с теорией: Успешное связывание экспериментальных результатов с теорией MF и теорией SMR
3. Комплексные измерения: Сочетание измерений магнитосопротивления, эффекта Холла и намагниченности предоставляет полную физическую картину
4. Новые открытия: Первое наблюдение GMR в структурах MI/N/MI имеет важное научное значение

Недостатки

1. Ограничение температурного диапазона: Ограничено температурой Кюри EuS, что затрудняет применение при комнатной температуре
2. Объяснение механизма: Объяснение механизма перехода в области средних толщин недостаточно глубоко
3. Количественный анализ: Физический смысл некоторых параметров теоретической подгонки требует более ясного объяснения

Влияние

1. Научный вклад: Предоставляет новые экспериментальные доказательства регулирования квантового транспорта интерфейсным обменным полем
2. Технологическое применение: Предоставляет идеи проектирования для разработки новых спинтронных устройств
3. Развитие области: Может стимулировать дальнейшие исследования квантового транспорта на границах раздела MI/N

Применимые сценарии

1. Низкотемпературные спинтронные устройства: Применимо для приложений, требующих сильного интерфейсного обменного поля
2. Исследование квантового транспорта: Предоставляет платформу для исследования влияния интерфейсных эффектов на квантовую когерентность
3. Исследование новых материалов: Предоставляет справочную информацию для поиска эффективных границ раздела спин-инжекции

Библиография

Статья цитирует 59 важных работ, охватывающих теорию слабой локализации, эффект GMR, спин-холловское магнитосопротивление и исследования, связанные с EuS, предоставляя прочную теоретическую и экспериментальную основу для исследования.

Общая оценка: Это высококачественная экспериментальная статья по физике конденсированного состояния, которая путём тщательно спланированного эксперимента успешно наблюдает новые физические явления и предоставляет разумное теоретическое объяснение. Результаты исследования имеют важное значение для понимания роли интерфейсного обменного поля в квантовом транспорте и открывают новые направления для развития спинтронных устройств.