Металлоорганическое химическое осаждение из газовой фазы тонких пленок AlScN и гетероструктур AlScN/AlN/GaN

Основная информация

• ID статьи: 2510.12074
• Название: Metalorganic Chemical Vapor Deposition of AlScN Thin Films and AlScN/AlN/GaN Heterostructures
• Авторы: Vijay Gopal Thirupakuzi Vangipuram, Abdul Mukit, Kaitian Zhang, Salva Salmani-Rezaie, Hongping Zhao
• Классификация: cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
• Учреждение: Государственный университет Огайо
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2510.12074

Аннотация

В данном исследовании успешно выращены тонкие пленки AlScN методом металлоорганического химического осаждения из газовой фазы (MOCVD) с контролируемым введением скандия (Sc) в кристаллическую решетку AlN. Путем систематического варьирования параметров роста анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) показал, что при использовании предшественника (MCp)₂ScCl содержание Sc может достигать примерно 13%. Гетероструктуры AlScN/AlN/GaN, выращенные на подложках GaN, демонстрируют формирование двумерного электронного газа (2DEG) на границе раздела AlScN/AlN-GaN, что подтверждает потенциал их применения в технологии высокоэлектронных транзисторов с модуляцией подвижности (HEMT). Варьирование толщины барьера AlScN/AlN в гетероструктурах показывает, что более толстые барьеры дают более высокую поверхностную плотность заряда как при измерениях Холла, так и при емкостно-напряжных (C-V) измерениях. При толщине барьера AlScN/AlN около 30 нм поверхностная плотность заряда, извлеченная из C-V измерений, составляет 5,22×10¹² см⁻². Высокоразрешающая сканирующая просвечивающая электронная микроскопия (S/TEM) дополнительно подтверждает введение Sc и выявляет вюрцитовую кристаллическую структуру пленок и гетероструктур.

Научный контекст и мотивация

Предпосылки исследования

Система материалов нитридов III группы (AlN, InN, GaN) за последние несколько десятилетий достигла значительных успехов в высокочастотных, высокомощных и оптоэлектронных приложениях. Все эти двоичные соединения имеют одинаковую вюрцитовую кристаллическую структуру, обеспечивающую широкую гибкость при проектировании высокопроизводительных электронных и оптоэлектронных приборов.

Научная мотивация

1. Преимущества материальных свойств: AlScN обладает рядом превосходных материальных характеристик, включая:
   • Значительно усиленный пьезоэлектрический отклик по сравнению с AlN, открывающий возможности для MEMS-резонаторов, РЧ-фильтров и акустических приборов
   • Обнаруженную сегнетоэлектричность, открывающую новые пути для приложений в области памяти
   • Перспективы инженерии запрещенной зоны для оптических и оптоэлектронных приборов
2. Преимущества согласования решеток: AlScN с содержанием Sc в диапазоне 9-14% может образовывать согласованные по решетке структуры с GaN, что позволяет выращивать более толстые слои при эпитаксии, сохраняя при этом значительное смещение зон относительно GaN
3. Технологические вызовы: Хотя осаждение тонких пленок AlScN широко исследовалось методами распыления и молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE), исследования получения высококачественных тонких пленок AlScN методом MOCVD остаются относительно ограниченными, главным образом из-за отсутствия подходящих металлоорганических предшественников

Основные вклады

1. Первое систематическое исследование: Систематическое выращивание тонких пленок AlScN методом MOCVD с использованием (MCp)₂ScCl в качестве предшественника Sc, достигнув введения Sc до 13%
2. Оптимизация процесса: Снижение температуры барботера со скандием с ранее сообщаемых 155°C до диапазона 110-120°C, оптимизация условий роста
3. Реализация гетероструктур: Успешное изготовление гетероструктур AlScN/AlN/GaN и подтверждение формирования канала 2DEG
4. Верификация характеристик приборов: Верификация электрических характеристик гетероструктур методами измерения Холла и C-V, создание основы для приложений HEMT
5. Характеризация микроструктуры: Детальная характеризация кристаллической структуры пленок и распределения Sc методом S/TEM

Методология

Экспериментальная установка

• Подложка: c-плоскость GaN/сапфир
• Реактор: модифицированная система MOCVD с подложкой из графита, покрытой SiC
• Предшественники:
  • Источник Al: триметилалюминий (TMAl)
  • Источник N: NH₃
  • Источник Sc: бис(метилциклопентадиенил)хлорид скандия ((MCp)₂ScCl)
• Газ-носитель: H₂

Оптимизация условий роста

Исследованы условия роста трех основных образцов (A, B, C):

• Образец A: температура барботера Sc 110°C, молярный расход TMAl 0,53 µmol/min, время роста 1 час
• Образец B: температура барботера Sc 120°C, молярный расход TMAl 0,53 µmol/min, время роста 1 час
• Образец C: температура барботера Sc 120°C, молярный расход TMAl 0,29 µmol/min, время роста 1,5 часа

Изготовление гетероструктур

Изготовлены три гетероструктуры AlScN/AlN/GaN с различной толщиной барьера (образцы D, E, F):

• Буферный слой GaN без намеренного легирования толщиной 300 нм
• Промежуточный слой AlN, выращиваемый в течение 2 минут
• Барьерный слой AlScN различной толщины (выращивание в течение 10, 20, 30 минут)

Экспериментальные методы

Методы характеризации

1. Структурная характеризация:
   • Рентгеновская дифракция (XRD) 2θ-ω сканирование: Bruker D8 Discover, Cu Kα излучение
   • Атомно-силовая микроскопия (AFM): система Bruker AXS Dimension
   • Сканирующая просвечивающая электронная микроскопия (S/TEM): Thermo Fisher Scientific Themis Z
2. Электрическая характеризация:
   • Емкостно-напряжные (C-V) измерения с ртутным зондом: LCR-метр Keysight E4980A
   • Измерения Холла: система Ecopia HMS-3000, постоянный магнит 0,985 Т
3. Анализ состава:
   • Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS): система ThermoFisher Nexsa G2
   • Энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия (EDS): детектор Super-X EDS

Оценочные показатели

• Содержание Sc определяется методом экстракции запрещенной зоны XPS
• Поверхностная плотность заряда 2DEG извлекается из C-V и измерений Холла
• Морфология поверхности характеризуется среднеквадратичной шероховатостью AFM
• Качество кристалла оценивается по положению и интенсивности пиков XRD

Экспериментальные результаты

Основные результаты

Контролируемость введения Sc

1. Образец A: пик XRD находится на 36,02°, соответствует расслабленному AlN, без явного введения Sc
2. Образец B: пик XRD смещается на 36,14°, анализ XPS показывает содержание Sc около 6%
3. Образец C: пик XRD дополнительно смещается на 36,18°, анализ XPS показывает содержание Sc около 13%

Улучшение морфологии поверхности

• Образцы A и B показывают явное образование трещин, являющееся результатом релаксации растягивающего напряжения
• Образец C благодаря более высокому содержанию Sc близок к условиям согласования решеток, без явных трещин на поверхности
• Среднеквадратичная шероховатость поверхности образца C составляет 2,81 нм

Электрические характеристики гетероструктур

Результаты C-V измерений:

• Образец D (барьер 10 нм): 1,59×10¹² см⁻²
• Образец E (барьер 20 нм): 2,84×10¹² см⁻²
• Образец F (барьер 30 нм): 5,22×10¹² см⁻²

Результаты измерений Холла:

• Образец D: n≈4,0×10¹³ см⁻², подвижность 780 см²/Vs
• Образец E: n≈4,8×10¹³ см⁻², подвижность 646 см²/Vs
• Образец F: n≈6,2×10¹³ см⁻², подвижность 562 см²/Vs

Анализ микроструктуры

Анализ S/TEM показывает:

• Хорошо сохраняется кристаллическая структура во всех выращенных слоях
• Относительно равномерное распределение Sc в пленке
• Наблюдается явление задержанного введения Sc
• Длительный рост может привести к образованию слоя AlGaN на границе раздела

Экспериментальные находки

1. Инженерия запрещенной зоны: анализ XPS показывает, что с увеличением введения Sc запрещенная зона уменьшается с 5,87 эВ (6% Sc) до 5,66 эВ (13% Sc)
2. Управление напряжением: AlScN с содержанием 13% Sc достигает приблизительного согласования решеток с GaN
3. Качество интерфейса: все образцы гетероструктур показывают резкий переход от области истощения к области накопления, указывая на высокое качество интерфейса GaN/AlN

Связанные работы

Основные направления исследований

1. Метод распыления: широко исследовалось осаждение тонких пленок AlScN методом распыления, но имеются ограничения в качестве кристаллов и контроле интерфейса
2. Молекулярно-лучевая эпитаксия: техника MBE может достичь высокого качества AlScN, но имеет высокую стоимость и низкую производительность
3. Технология MOCVD: Институт Фраунгофера IAF является пионером в этой области, используя реактор MOCVD с плотно связанной головкой для достижения введения Sc до 30%

Преимущества данной работы

1. Упрощение процесса: снижена рабочая температура предшественника Sc
2. Систематическое исследование: первое систематическое исследование влияния параметров процесса MOCVD на введение Sc
3. Верификация приборов: прямая верификация характеристик приборов гетероструктур AlScN/AlN/GaN

Выводы и обсуждение

Основные выводы

1. Технологическая осуществимость: успешно продемонстрирована осуществимость выращивания высококачественных тонких пленок AlScN методом MOCVD
2. Контролируемость состава: достигнуто контролируемое введение Sc до 13%
3. Потенциал приборов: гетероструктуры AlScN/AlN/GaN демонстрируют хорошие характеристики 2DEG, пригодные для приборов HEMT
4. Оптимизация процесса: достигнуто снижение температуры роста по сравнению с литературными данными, упрощены условия процесса

Ограничения

1. Скорость роста: из-за относительно низкого давления паров предшественника Sc скорость роста ограничена
2. Морфология поверхности: не наблюдается типичная морфология ступенчатого потока роста нитридов III группы
3. Расхождение измерений: существует значительное расхождение между поверхностной плотностью заряда, полученной из C-V и измерений Холла, требующее дальнейшей оптимизации методов измерения
4. Распределение Sc: наблюдается явление латерального расслоения Sc, возможно связанное с дефектами дислокаций

Будущие направления

1. Разработка предшественников: разработка новых предшественников Sc с более высоким давлением паров
2. Оптимизация процесса: дальнейшая оптимизация условий роста для улучшения морфологии поверхности и однородности распределения Sc
3. Изготовление приборов: полное изготовление и оценка производительности приборов HEMT
4. Исследование сегнетоэлектричества: исследование сегнетоэлектрических свойств тонких пленок AlScN и их применения в устройствах памяти

Глубокая оценка

Достоинства

1. Технологические инновации: впервые систематически реализовано контролируемое выращивание тонких пленок AlScN методом MOCVD, предоставляя новый выбор материалов для технологии приборов нитридов III группы
2. Достаточность экспериментов: применены различные методы характеризации (XRD, XPS, AFM, S/TEM, электрические измерения), обеспечивающие комплексный анализ материальных и приборных характеристик
3. Практическая ценность: прямая верификация формирования 2DEG, обеспечивающая экспериментальную основу для приложений HEMT
4. Улучшение процесса: снижение температуры роста по сравнению с существующей литературой, повышение практичности процесса

Недостатки

1. Ограничение содержания Sc: максимальное содержание Sc достигает только 13%, ниже уровня, достижимого методами распыления и MBE
2. Согласованность измерений: существует значительное расхождение между результатами C-V и измерений Холла, требующее лучшего понимания источников ошибок измерения
3. Анализ механизмов: теоретический анализ механизма введения Sc и явления задержанного введения недостаточно глубок
4. Верификация приборов: отсутствует полное изготовление и тестирование производительности приборов HEMT

Влияние

1. Академический вклад: предоставляет важный процессный справочник для выращивания AlScN методом MOCVD, продвигая технологическое развитие в этой области
2. Промышленная ценность: обеспечивает технологическую основу для промышленного применения высокопроизводительных электронных приборов на основе AlScN
3. Воспроизводимость: детальные условия экспериментов и методы характеризации способствуют воспроизведению результатов другими исследовательскими группами

Применимые сценарии

1. Высокочастотные электронные приборы: HEMT, усилители мощности и другие высокочастотные высокомощные приборы
2. MEMS приборы: резонаторы, фильтры и другие приборы на основе пьезоэлектрического эффекта
3. Новые приложения: сегнетоэлектрическая память, акустические приборы и другие новые области применения

Библиография

Статья цитирует 27 связанных источников, охватывающих ключевые исследовательские работы в областях технологии приборов нитридов III группы, материальных характеристик AlScN, технологии MOCVD и других ключевых областей, обеспечивая прочную теоретическую основу и технический справочник для данного исследования.

Общая оценка: Это высококачественная исследовательская работа в области материаловедения, достигшая значительного прогресса в выращивании тонких пленок AlScN методом MOCVD. Хотя в некоторых технических показателях остается место для улучшения, она предоставляет ценный вклад в развитие технологии гетероструктур нитридов III группы.