Двумерный альтермагнетизм в эпитаксиальных ультратонких плёнках CrSb

Основная информация

• ID статьи: 2510.12344
• Название: Two-Dimensional Altermagnetism in Epitaxial CrSb Ultrathin Films
• Авторы: Keren Li, Yuzhong Hu, Yue Li, Ruohang Xu, Heping Li, Kun Liu, Chen Liu, Jincheng Zhuang, Yee Sin Ang, Jiaou Wang, Haifeng Feng, Weichang Hao, Yi Du
• Классификация: cond-mat.mtrl-sci (физика конденсированного состояния - материаловедение)
• Дата публикации: январь 2025
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2510.12344

Аннотация

Альтермагнетики представляют собой новый класс колинеарных магнитных материалов, которые демонстрируют нулевую чистую намагниченность, но обладают расщеплением спиновых электронных зон, вызванным нерелятивистской симметрией спин-пространственной группы. Реализация альтермагнетизма в двумерном (2D) пределе остаётся серьёзной проблемой, поскольку снижение размерности подавляет дисперсию kZ и нарушает операции симметрии, необходимые для спинового компенсирования. В данной работе реализован истинный 2D альтермагнетизм в эпитаксиальных монослойных плёнках CrSb, выращенных на подложке Bi2Te3. Исследование выявило переход, управляемый толщиной, от ферримагнитного состояния в плёнке толщиной 1 элементарная ячейка к альтермагнитному состоянию выше критической толщины 7/4 элементарной ячейки. Этот переход обусловлен нарушением интерфейсной симметрии на Cr-терминированном слое, приводящим к дисбалансу локальных магнитных моментов. С увеличением толщины восстанавливаются критические симметрии спин-пространственной группы C2||C6Zt и C2||MZ, что приводит к возникновению альтермагнетизма с нулевой чистой намагниченностью и зависящим от импульса расщеплением спина.

Научный контекст и мотивация

Определение проблемы

Основная научная проблема, решаемая в данном исследовании, заключается в реализации альтермагнетизма в двумерном пределе. Альтермагнетики представляют собой недавно открытый класс магнитных материалов, которые сочетают нулевую чистую намагниченность антиферромагнетиков с функциональностью спинтроники ферромагнетиков, предоставляя платформу без паразитных полей для устройств спинтроники следующего поколения.

Анализ значимости

1. Технологические требования: Устройства спинтроники требуют эффективного электрического управления и соседского взаимодействия на наномасштабе, что требует двумерных свойств материала
2. Фундаментальное научное значение: Реализация альтермагнетизма зависит от специфической трёхмерной топологии зонной структуры и операций симметрии, которые могут быть нарушены в двумерном пределе
3. Перспективы применения: Истинные 2D альтермагнитные материалы могут быть интегрированы в наномасштабную архитектуру спинтроники, обеспечивая упорядочение спина без паразитных полей

Существующие ограничения

1. Ограничения размерности: Снижение размерности подавляет дисперсию kZ, которая критична для зонной структуры альтермагнетиков
2. Нарушение симметрии: Двумеризация нарушает кристаллическую симметрию, необходимую для поддержания спинового компенсирования
3. Экспериментальный пробел: Хотя альтермагнетизм был заявлен в слоистых материалах, таких как KV2Se2O и Rb2V2Te2O, эти явления фактически происходят из объёмного материала; истинный 2D альтермагнетизм ещё не был реализован

Основные вклады

1. Первая экспериментальная реализация: Впервые экспериментально реализован истинный двумерный альтермагнетизм в эпитаксиальных ультратонких плёнках CrSb
2. Обнаружение критической толщины: Выявлен переход, управляемый толщиной, от ферримагнитного состояния (1 элементарная ячейка) к альтермагнитному состоянию (выше 7/4 элементарной ячейки)
3. Уточнение механизма: Посредством СТМ, СТС, АРФЭ и расчётов ДПФ выяснены микроскопические механизмы нарушения и восстановления интерфейсной симметрии
4. Технологический путь: Установлен технологический путь интеграции альтермагнетизма в наномасштабные устройства спинтроники

Методология

Экспериментальный дизайн

Исследование использует молекулярно-лучевую эпитаксию (МЛЭ) для выращивания плёнок CrSb различной толщины на подложке Bi2Te3, в сочетании с множеством методов характеризации для систематического изучения магнитных и электронных свойств.

Подготовка материалов

• Подложка: монокристалл Bi2Te3, обеспечивающий хороший эпитаксиальный шаблон
• Условия роста: сверхвысокий вакуум (1×10⁻¹⁰ мбар), температура роста 200°C
• Соотношение потоков: Cr:Sb ≈ 1:10
• Контроль толщины: атомно-слойная точность толщины достигается путём контроля времени осаждения

Методы характеризации

1. Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ): морфология с атомным разрешением и характеризация электронной структуры
2. Сканирующая туннельная спектроскопия (СТС): анализ локальной плотности состояний и электронной структуры
3. Угловая фотоэлектронная спектроскопия (АРФЭ): зонная структура и измерения с разрешением по импульсу
4. Теория функционала плотности (ДПФ): теоретические расчёты и анализ механизмов

Технологические инновации

1. Точный контроль толщины: достигнута атомно-слойная точность контроля толщины, обнаружен специальный режим роста (1+3n)/4 элементарной ячейки
2. Инженерия интерфейсов: посредством управления Cr-терминированным интерфейсом реализован управляемый переход от ферримагнетизма к альтермагнетизму
3. Многомасштабная характеризация: сочетание локальных и глобальных методов измерения обеспечивает полную характеризацию свойств материала от атомного масштаба до электронной зонной структуры

Экспериментальная установка

Подготовка образцов

• Рост МЛЭ: подготовка плёнок CrSb с использованием резистивно нагреваемых испарителей в сверхвысоком вакууме
• Серия толщин: образцы различной толщины: 1 ЭЯ, 7/4 ЭЯ, 10/4 ЭЯ, 13/4 ЭЯ и т.д.
• Терминирование поверхности: реализация Sb-терминирования (1 ЭЯ) и Cr-терминирования (7/4 ЭЯ и выше) путём контроля роста

Условия измерения

• Измерения СТМ: 77 K, сверхвысокий вакуум (1×10⁻¹⁰ мбар)
• Измерения АРФЭ: 10 K, источник He-I (21,2 эВ)
• Измерения СТС: синхронное детектирование, частота модуляции 973 Гц

Параметры расчётов

• Расчёты ДПФ: пакет VASP, функционал PBE
• Обрезание плоских волн: 360 эВ
• Сетка k-точек: объёмный материал 15×15×12, монослой 14×14×1

Экспериментальные результаты

Основные находки

1. Зависящий от толщины переход магнитного состояния

• Плёнка толщиной 1 ЭЯ: проявляет ферримагнитное состояние с чистым магнитным моментом 0,94 μB
• 7/4 ЭЯ и выше: переход в альтермагнитное состояние с чистым магнитным моментом, близким к нулю
• Критическая толщина: 7/4 ЭЯ является критической толщиной для появления альтермагнетизма

2. Эволюция электронной структуры

Измерения СТС выявили:

• Плёнка толщиной 1 ЭЯ: появление пика Фано (пик P1) при -0,13 В, указывающее на наличие локальных магнитных моментов и эффекта Кондо
• Плёнка толщиной 7/4 ЭЯ: исчезновение пика P1, указывающее на компенсацию локальных магнитных моментов и восстановление альтермагнетизма
• Толстые плёнки: электронная структура соответствует объёмному CrSb

3. Наблюдение расщепления зон

Измерения АРФЭ показывают:

• Плёнка толщиной 7/4 ЭЯ: наблюдается расщепление зон ~0,55 эВ вдоль направления Γ-M
• Зависимость от импульса: расщепление появляется вдоль направления Γ-M, исчезает вдоль направления Γ-K
• Признаки альтермагнетизма: соответствует характеристикам зависящей от импульса спиновой поляризации альтермагнитных материалов

Проверка теоретическими расчётами

Результаты расчётов ДПФ высоко согласуются с экспериментом:

• Магнитное основное состояние: 1 ЭЯ - ферримагнитное, 7/4 ЭЯ - альтермагнитное
• Электронная структура: рассчитанная плотность состояний хорошо согласуется со спектром СТС
• Характеристики зон: теоретически предсказанное расщепление зон согласуется с наблюдениями АРФЭ

Анализ механизмов

Исследование выявило микроскопический механизм переходов магнитного состояния, управляемых толщиной:

1. Интерфейсные эффекты: Cr-терминированный интерфейс нарушает симметрию объёмного материала
2. Координационное окружение: атомы Cr на интерфейсе (Cr1) находятся в треугольно-пирамидальной координации (C3v), атомы Cr в объёме (Cr2) сохраняют октаэдрическую координацию (Oh)
3. Восстановление симметрии: толщина выше 7/4 ЭЯ восстанавливает критические симметрии спин-пространственной группы C2||C6Zt и C2||MZ

Связанные работы

Современное состояние исследований альтермагнетизма

В последние годы альтермагнетизм обнаружен в нескольких системах:

• RuO2: первый широко изучаемый альтермагнитный материал
• MnTe: демонстрирует гигантское расщепление зон
• CrSb: обладает максимальным нерелятивистским расщеплением спина (~1,0 эВ)

Двумерные магнитные материалы

• Ван-дер-ваальсовы магнитные материалы: такие как CrI3, Cr2Ge2Te6 и др. демонстрируют двумерный магнетизм
• Топологический магнетизм: реализация квантового аномального эффекта Холла в двумерных материалах
• Позиционирование данной работы: первая реализация альтермагнетизма в двумерном пределе

Заключение и обсуждение

Основные выводы

1. Первая реализация: впервые реализован истинный двумерный альтермагнетизм в эпитаксиальных ультратонких плёнках CrSb
2. Критическое явление: обнаружена критическая толщина 7/4 элементарной ячейки, ниже которой альтермагнетизм исчезает
3. Ясный механизм: выяснен микроскопический механизм переходов магнитного состояния, вызванных нарушением и восстановлением интерфейсной симметрии
4. Технологический путь: заложена основа для применения альтермагнитных материалов в устройствах спинтроники

Научное значение

• Фундаментальная физика: доказано, что альтермагнетизм может стабильно существовать в двумерном пределе
• Инженерия симметрии: продемонстрирована возможность управления квантовыми состояниями посредством инженерии интерфейсов
• Применение в устройствах: предоставлена материальная основа для устройств спинтроники без паразитных полей

Ограничения

1. Температурные ограничения: текущие измерения проводились в основном при низких температурах; свойства при комнатной температуре требуют проверки
2. Зависимость от подложки: реализация альтермагнетизма зависит от специфической подложки Bi2Te3
3. Окно толщин: альтермагнетизм стабилен только в определённом диапазоне толщин

Будущие направления

1. Альтермагнетизм при комнатной температуре: поиск двумерных альтермагнитных материалов, стабильных при комнатной температуре
2. Интеграция в устройства: интеграция двумерных альтермагнитных материалов в практические устройства спинтроники
3. Исследование новых материалов: разработка новых двумерных альтермагнитных материалов на основе принципов инженерии симметрии

Глубокая оценка

Преимущества

1. Выдающаяся инновационность: первая реализация двумерного альтермагнетизма, заполнение важного исследовательского пробела
2. Достаточность экспериментов: сочетание множества передовых методов характеризации, всесторонняя верификация результатов с различных углов зрения
3. Теоретическая поддержка: расчёты ДПФ высоко согласуются с экспериментом, механизм ясен
4. Передовая технология: реализована подготовка и характеризация материалов с атомно-слойной точностью

Недостатки

1. Отсутствие верификации применения: отсутствует верификация производительности реальных устройств
2. Ограниченный температурный диапазон: верификация проводилась в основном при низких температурах, практическая применимость ограничена
3. Ограниченность материальной системы: верификация проведена только в системе CrSb, универсальность требует подтверждения

Влияние

1. Академическая ценность: открытие нового направления исследований - двумерного альтермагнетизма
2. Технологическое значение: предоставление новой материальной платформы для устройств спинтроники
3. Вдохновляющее воздействие: предоставление идей для разработки других двумерных квантовых материалов

Применимые сценарии

• Фундаментальные исследования: фундаментальные исследования двумерного магнетизма и спинтроники
• Разработка устройств: низкопотребляющие, высокоплотные устройства спинтроники
• Квантовые технологии: применение в квантовой информации и квантовых вычислениях

Библиография

В данной работе цитируется 53 важные ссылки, охватывающие теорию альтермагнетизма, экспериментальные методы, связанные материалы и другие аспекты, обеспечивая прочную теоретическую и экспериментальную основу для исследования. Особо следует отметить полное цитирование теоретических работ Šmejkal и др. по альтермагнетизму и недавних экспериментальных исследований материалов RuO2, MnTe и др.

Общая оценка: Это высококачественная научная статья в области материаловедения, достигшая важного прорыва в передовой области двумерного альтермагнетизма. Экспериментальный дизайн обоснован, данные достаточны, теоретический анализ глубок, работа вносит значительный вклад в развитие данной области.