Возможная высокотемпературная сверхпроводимость при 45 K в легированном Ge кластерном диэлектрике Мотта GaNb4Se8

Основная информация

• ID статьи: 2510.12452
• Название: Возможная высокотемпературная сверхпроводимость при 45 K в легированном Ge кластерном диэлектрике Мотта GaNb4Se8
• Авторы: Цзи-Хай Юань, Я-Дун Гу, Юнь-Цин Ши, Хао-Юй Хэ, Цин-Сун Лю, Цзюнь-Кунь И, Ле-Вэй Чэнь, Чжэн-Синь Линь, Цзя-Шэн Лю, Мэн Ван, Чжи-Ань Жэнь
• Категория: cond-mat.supr-con, cond-mat.mtrl-sci
• Принадлежность: Институт физики Китайской академии наук, Университет Китайской академии наук
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2510.12452

Аннотация

В данной работе методом твёрдофазного синтеза получены поликристаллические образцы GaNb4Se8, легированные Ge. В одной партии образцов наблюдается переход в нулевое сопротивление с максимальной начальной температурой сверхпроводимости Tc = 45 K. Это открытие может продемонстрировать новый класс высокотемпературных сверхпроводников на основе Nb, полученных путём легирования диэлектриков Мотта.

Исследовательский контекст и мотивация

1. Исторический контекст: С момента открытия Беднорцем и Мюллером в 1986 году сверхпроводимости при 30 K в легированном Ba La2CuO4, легирование носителей в сильнокоррелированных электронных системах (таких как диэлектрики Мотта) стало важным методом открытия высокотемпературных сверхпроводников.
2. Научная значимость:
   • Открытие медь-кислородных, железо-содержащих и никель-содержащих сверхпроводников следовало парадигме легирования сильнокоррелированных электронных систем
   • Исследование новых систем сверхпроводящих материалов имеет важное значение для понимания механизма высокотемпературной сверхпроводимости
3. Фон материала:
   • GaNb4Se8 — кластерное соединение с кубической структурой шпинели типа AM4X8
   • Материал является известным немагнитным диэлектриком Мотта, который может переходить в сверхпроводящее состояние под высоким давлением (Tc = 2,9 K при 13 ГПа)
   • Ранее не было успешных сообщений об исследованиях легирования носителями
4. Мотивация исследования: На основе опыта авторского коллектива в исследовании сверхпроводящих материалов на основе переходных металлов Mo/Nb, авторы предприняли попытку реализовать сверхпроводящий переход в GaNb4Se8 путём легирования Ge.

Основные вклады

1. Первая реализация: Наблюдение перехода в нулевое сопротивление в легированном Ge GaNb4Se8 с начальной Tc = 45 K
2. Новая система материалов: Возможное открытие нового класса высокотемпературных сверхпроводников на основе Nb
3. Стратегия легирования: Доказательство осуществимости легирования носителями путём замещения Ga на Ge
4. Теоретическое значение: Предоставление новых экспериментальных данных для исследования сверхпроводимости на основе кластерных диэлектриков Мотта

Методология

Синтез материала

• Метод: Твёрдофазный синтез
• Исходные материалы: Высокочистые (99,99%) Ga, Nb, Se, Ge
• Технологический процесс:
  1. Нагрев при 900°C в течение 72 часов
  2. Повторное измельчение и прессование в блок
  3. Повторный нагрев при 1000°C в течение 72 часов
• Защитные меры: Вся операция проводилась в перчаточном боксе с высокочистым аргоном для предотвращения загрязнения

Методы характеризации

1. Структурная характеризация: Порошковая рентгеновская дифракция (XRD) с использованием излучения Cu-Kα
2. Электрические измерения: Четырёхзондовый метод измерения зависимости сопротивления от температуры
3. Магнитные измерения: Измерение постоянной магнитной восприимчивости

Технические инновации

1. Стратегия легирования: Использование избытка Ge для компенсации потерь при испарении
2. Подготовка образцов: Операции в инертной атмосфере для обеспечения чистоты образца
3. Методы характеризации: Комбинированные электрические и магнитные измерения для верификации сверхпроводящих свойств

Экспериментальная установка

Подготовка образцов

• Номинальный состав: Ga0.9Ge0.2Nb4Se8
• Стратегия легирования: Добавление избытка Ge для компенсации потерь при испарении
• Характеристики образца: Чёрный цвет, относительно стабилен на воздухе

Условия измерения

• Измерение сопротивления: Система PPMS, четырёхзондовый метод, ток измерения 1 мА
• Размер образца: Длина ~5 мм, площадь поперечного сечения 1–2 мм²
• Магнитные измерения: Приложенное магнитное поле 100 Э

Контрольные образцы

• Чистый GaNb4Se8 в качестве эталона
• Известные сверхпроводники W5Si3-xPx, KxMo6Se8, Ba(FeCo)2As2 в качестве ориентиров

Экспериментальные результаты

Основные результаты

1. Сверхпроводящий переход:
   • Образец №1: начальная Tc = 45 K, температура нулевого сопротивления ~34 K
   • Образец №2: начальная Tc = 40 K
   • Оба образца достигли полного состояния нулевого сопротивления
2. Поведение сопротивления:
   • Аномалия сопротивления наблюдается в диапазоне 60–80 K, указывающая на другой фазовый переход
   • Отрицательное сопротивление наблюдается вблизи 34 K в образце №1, что объясняется сверхпроводящими путями перколяции
3. Проблемы стабильности:
   • Сверхпроводящий сигнал исчезает через несколько дней хранения образца в перчаточном боксе
   • Предполагается нестабильность легированного Ge образца с постепенным разложением до исходного соединения

Структурная и магнитная характеризация

1. Результаты XRD:
   • Основная фаза — GaNb4Se8, постоянная решётки практически идентична нелегированному образцу
   • Обнаружены фаза NbSe2 и другие незначительные примеси
2. Магнитное поведение:
   • Поведение магнитной восприимчивости после исчезновения сверхпроводящего сигнала аналогично чистому GaNb4Se8
   • Подтверждает возврат образца в состояние исходного соединения

Проблемы воспроизводимости

• Из сотен подготовленных образцов только одна партия показала переход в нулевое сопротивление
• Электрические свойства различных блоков одной партии неоднородны
• Указывает на проблемы с управляемостью и воспроизводимостью процесса легирования

Связанные работы

Исследования сверхпроводимости диэлектриков Мотта

1. Медь-кислородные сверхпроводники: La2CuO4, YBa2Cu3O7, HgBa2Ca2Cu3O8 и др.
2. Железо-содержащие сверхпроводники: Серия LaFeAsO и др.
3. Никель-содержащие сверхпроводники: Бесконечнослойные никелаты и др.

Исследования, связанные с GaNb4Se8

1. Основные физические свойства: Кластерные молекулярные орбитали, четырёхполюсное упорядочение, структурные фазовые переходы
2. Исследования под высоким давлением: Реализация сверхпроводимости при 2,9 K под давлением 13 ГПа
3. Теоретические исследования: Состояние валентной связи, эффект Яна-Теллера и др.

Связанные работы авторского коллектива

Включают открытие различных сверхпроводящих материалов на основе Mo/Nb, таких как K2Mo3As3, Mo5GeB2, Mo5Si3 и др.

Выводы и обсуждение

Основные выводы

1. Впервые наблюдена высокотемпературная сверхпроводимость при 45 K в легированном Ge GaNb4Se8
2. Возможно представляет новый класс высокотемпературных сверхпроводников на основе Nb, полученных из кластерных диэлектриков Мотта
3. Доказана эффективность стратегии легирования носителями в данной системе

Ограничения

1. Проблемы воспроизводимости: Сверхпроводящее явление наблюдается только в одной партии образцов
2. Проблемы стабильности: Сверхпроводящая фаза нестабильна и легко разлагается
3. Контроль легирования: Летучесть Ge затрудняет точный контроль концентрации легирования
4. Чистота фазы: Наличие примесных фаз в образце влияет на определение собственных сверхпроводящих свойств

Направления будущих исследований

1. Совершенствование технологии синтеза для повышения воспроизводимости и стабильности
2. Оптимизация стратегии легирования для достижения точного контроля концентрации носителей
3. Глубокое исследование механизма сверхпроводимости и фазовой диаграммы
4. Исследование возможности использования других легирующих элементов

Глубокая оценка

Преимущества

1. Важное открытие: Обнаружение относительно высокотемпературного сверхпроводящего явления в новой системе материалов
2. Теоретическое значение: Предоставление нового экспериментального примера для исследования сверхпроводимости диэлектриков Мотта
3. Технологический путь: Верификация осуществимости легирования носителями в кластерных соединениях
4. Качество данных: Чёткие данные измерения сопротивления, явное явление нулевого сопротивления

Недостатки

1. Плохая воспроизводимость: Крайне низкий процент успеха, сверхпроводимость показана только в одной партии образцов
2. Проблемы стабильности: Нестабильность сверхпроводящей фазы ограничивает углубленные исследования
3. Неясный механизм: Отсутствие глубокого анализа механизма сверхпроводимости
4. Недостаточная характеризация: Отсутствие ключевых данных сверхпроводящей характеризации, таких как магнитная восприимчивость и удельная теплоёмкость
5. Влияние примесей: Примесные фазы в образце могут влиять на надёжность результатов

Влияние

1. Научная ценность: Предоставление новой материальной платформы для исследования высокотемпературной сверхпроводимости
2. Технические вызовы: Необходимо решить проблемы воспроизводимости и стабильности для практического применения
3. Вдохновляющее значение: Может вдохновить исследования сверхпроводимости других кластерных соединений

Применимые сценарии

В настоящее время в основном применимо для фундаментальных научных исследований, в частности:

1. Исследование физики сильнокоррелированных электронных систем
2. Исследование новых сверхпроводящих материалов
3. Исследование механизма легирования диэлектриков Мотта

Библиография

Статья цитирует 24 важные работы, охватывающие историю открытия высокотемпературной сверхпроводимости, фундаментальные исследования GaNb4Se8 и связанные работы авторского коллектива, обеспечивая прочную теоретическую основу и техническую поддержку для исследования.

Общая оценка: Это открытие имеет важное научное значение, демонстрируя относительно высокотемпературное сверхпроводящее явление в новой системе материалов. Однако проблемы воспроизводимости и стабильности ограничивают его текущую научную ценность и требуют дальнейшей оптимизации технологии и углубленных исследований для верификации и понимания этого явления.