2025-11-17T12:31:12.953347

Two-Dimensional Na2LiAlP2 crystal for high-performance field-effect transistors

Peng, Wang, Yuan et al.
High-performance, low-power transistors are core components of advanced integrated circuits, and the ultimate limitation of Moore's law has made the search for new alternative pathways an urgent priority. Two-dimensional (2D) materials have become the most promising exploration target due to their exceptional electronic properties and scalability. In this work, we conducted device transport research on the previously proposed 2D quaternary semiconductor Na2LiAlP2 using the non-equilibrium Green's function method. The results demonstrate that even with a channel length of 5.7 nm, Na2LiAlP2 still exhibits excellent n-type transistor characteristics, fully meeting and surpassing the technical specifications outlined in the International Roadmap for Devices and Systems (IRDS). Encouragingly, the device can easily achieve the required on-state current of 900 μA/μm under low operating voltages of 0.1 V and 0.2 V. Moreover, at 0.1 V operating voltage, the device's subthreshold swing breaks through the theoretical limit of 60 mV/dec, reaching an astonishing value 30.33 mV/dec. Additionally, its p-type transistor performance also stands out with a subthreshold swing of ~50 mV/dec when the channel length is 7.9 nm. Our research not only showcases the exceptional transistor properties of Na2LiAlP2 but also further expands the research scope of 2D high-performance transistors.
academic

Двумерный кристалл Na2LiAlP2 для высокопроизводительных полевых транзисторов

Основная информация

  • ID статьи: 2510.12473
  • Название: Two-Dimensional Na2LiAlP2 crystal for high-performance field-effect transistors
  • Авторы: Run-Jie Peng, Xing-Yu Wang, Jun-Hui Yuan, Nian-Nian Yu, Kan-Hao Xue, Jiafu Wang, Pan Zhang
  • Классификация: cond-mat.mtrl-sci (физика конденсированного состояния - материаловедение)
  • Дата публикации: 2024
  • Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2510.12473

Аннотация

Высокопроизводительные низкопотребляющие транзисторы являются ключевыми компонентами передовых интегральных схем. Приближение к физическим пределам закона Мура создает острую необходимость в поиске новых альтернативных путей развития. Двумерные (2D) материалы представляют собой наиболее перспективные объекты исследования благодаря их превосходным электронным свойствам и масштабируемости. В данном исследовании методом неравновесной функции Грина проведено изучение транспортных характеристик устройств на основе ранее предложенного двумерного четырёхэлементного полупроводника Na2LiAlP2. Результаты показывают, что Na2LiAlP2 демонстрирует превосходные характеристики n-типового транзистора даже при длине канала 5,7 нм, полностью соответствуя и превосходя технические спецификации Международной дорожной карты устройств и систем (IRDS). При низких рабочих напряжениях 0,1 В и 0,2 В устройство легко достигает требуемого тока включения 900 μA/μm. При рабочем напряжении 0,1 В подпороговой наклон устройства преодолевает теоретический предел 60 мВ/дек, достигая поразительного значения 30,33 мВ/дек. Кроме того, при длине канала 7,9 нм p-типовой транзистор также демонстрирует отличные характеристики с подпороговым наклоном около 50 мВ/дек.

Научный контекст и мотивация

Проблемы и вызовы

  1. Физические пределы закона Мура: Кремниевые технологии сталкиваются с тремя основными узкими местами
    • При длине затвора менее 10 нм возникает эффект квантового туннелирования, приводящий к резкому увеличению тока утечки
    • Теплопроводность кремния составляет всего 150 Вт·м⁻¹·К⁻¹, при высокой плотности интеграции температура кристалла превышает 100°C
    • Снижение подвижности носителей заряда в сверхтонком кремнии влияет на скорость переключения устройства
  2. Преимущества и ограничения 2D материалов
    • Преимущества: атомная толщина (0,3-1,5 нм) эффективно подавляет короткоканальные эффекты, отсутствие висячих связей на поверхности снижает рассеяние носителей
    • Ограничения: обратная зависимость между шириной запрещённой зоны и подвижностью, компромисс между чувствительностью поверхности и стабильностью

Научная мотивация

Поиск двумерного полупроводникового материала с оптимальной шириной запрещённой зоны и высокой подвижностью носителей для преодоления физических ограничений традиционных кремниевых технологий и продвижения технологии интегральных схем к меньшим размерам, более высокой производительности и более низкому энергопотреблению.

Основные вклады

  1. Первое систематическое исследование транспортных характеристик устройств на основе Na2LiAlP2: Глубокий анализ характеристик полевого транзистора двумерного Na2LiAlP2 методом NEGF
  2. Преодоление теоретических пределов производительности устройства: Достижение подпорогового наклона 30,33 мВ/дек при длине канала 5,7 нм, преодоление предела Больцмана 60 мВ/дек
  3. Сверхвысокий ток включения: n-типовое устройство при длине канала 5,7 нм достигает тока включения 16 220 μA/μm, значительно превосходя требования стандартов ITRS
  4. Способность работать при низком напряжении: Соответствие требованиям высокопроизводительного устройства при низких рабочих напряжениях 0,1 В и 0,2 В
  5. Двуполярные характеристики устройства: Одновременная демонстрация превосходных характеристик как n-типовых, так и p-типовых устройств

Подробное описание методов

Анализ свойств материала

Кристаллическая структура:

  • Орторомбическая система, параметры решётки a = 11,43 Å, b = 5,70 Å
  • Толщина атомного слоя h = 4,74 Å, содержит 5 атомных слоёв
  • В центре находится двумерная сетка AlP2³⁻, образованная Al и P, промежутки заполнены Li, по сторонам расположены слои металлического Na

Электронная структура:

  • Прямозонный полупроводник Γ-Γ
  • Ширина запрещённой зоны (GGA-PBE): 1,39 эВ
  • Ширина запрещённой зоны (гибридный функционал HSE06): 1,95 эВ
  • Эффективные массы носителей:
    • Электроны: ma = 0,11 m₀, mb = 0,48 m₀
    • Дырки: ma = 0,14 m₀, mb = 0,43 m₀

Вычислительные методы

Расчёты из первых принципов:

  • Использование программного обеспечения DS-PAW для оптимизации кристаллической структуры и расчёта электронной структуры
  • Базис плоских волн, энергия отсечки 600 эВ
  • Локальное приближение плотности (LDA) для обработки обменно-корреляционной энергии

Расчёты транспорта в устройстве:

  • Метод неравновесной функции Грина (NEGF) из пакета Nanodcal
  • Базис двойной-дзета с поляризацией (DZP)
  • Эквивалентная энергия отсечки в вещественном пространстве 80 Хартри
  • Сетка k-точек: направление a 1×10×1 и 1×200×1, направление b 10×1×1 и 200×1×1
  • Температура электродов 300 К

Параметры конструкции устройства

  • Двухзатворная структура, двумерный канал Na2LiAlP2, встроенный в SiO2
  • Концентрация легирования: 1×10¹⁴ см⁻²
  • Диэлектрический слой: SiO2, относительная диэлектрическая проницаемость 3,9, толщина 4,1 нм
  • Длина затвора совпадает с длиной канала
  • Параметры устройства соответствуют стандартам IRDS и ITRS

Экспериментальная установка

Структура устройства

Используется структура двухзатворного полевого транзистора с монослоем Na2LiAlP2 в качестве канального материала и SiO2 в качестве затворного диэлектрика. Параметры устройства установлены в соответствии со стандартами IRDS (≥12 нм) и ITRS (<10 нм).

Оценочные показатели

  • Ток включения (ION): Плотность тока в состоянии включения при напряжении включения
  • Коэффициент включения/выключения (ION/IOFF): Отношение тока включения к току выключения
  • Подпороговой наклон (SS): Напряжение, необходимое для изменения тока на один порядок величины при изменении напряжения затвора
  • Произведение мощности на задержку (PDP): Показатель энергопотребления при переключении
  • Время задержки (τ): Показатель скорости переключения устройства

Базы для сравнения

Сравнение с требованиями технологических дорожных карт IRDS и ITRS, а также сравнение производительности с другими 2D материалами (B4Cl4/B4Br4, чёрный фосфор, InSe, Bi2O2Se и др.).

Экспериментальные результаты

Основные результаты

Характеристики n-типового устройства:

  • При длине канала 5,7 нм:
    • Ток включения: 16 220 μA/μm (стандарт HP)
    • Подпороговой наклон: 50,46 мВ/дек (VDD = 0,64 В)
    • Коэффициент включения/выключения: 1,62×10⁴
  • При длине канала 7,9 нм:
    • Ток включения: 15 127 μA/μm
    • Подпороговой наклон: 33,74 мВ/дек
    • PDP: 0,19 фДж/μm (лучше требуемого стандартом ITRS значения 0,24 фДж/μm)

Характеристики при низком напряжении:

  • При рабочем напряжении 0,1 В (длина канала 5,7 нм):
    • Подпороговой наклон: 30,33 мВ/дек (преодоление предела Больцмана)
    • Ток включения: 3 972 μA/μm (HP), 2 624 μA/μm (LP)
  • При рабочем напряжении 0,2 В:
    • Подпороговой наклон: 32,73 мВ/дек
    • Ток включения: 7 449 μA/μm (HP)

Характеристики p-типового устройства:

  • При длине канала 7,9 нм:
    • Ток включения: 7 034 μA/μm (стандарт HP)
    • Подпороговой наклон: 32,81 мВ/дек

Анализ направленности

Характеристики устройства при передаче вдоль направления a значительно превосходят характеристики в направлении b:

  • Направление a облегчает достижение состояния выключения
  • Обеспечивает более высокий ток включения и более низкий подпороговой наклон
  • Кривая ток-напряжение более крутая

Физический механизм устройства

Анализ локальной плотности состояний (LDOS) раскрывает механизм управления затвором:

  • Для устройства 5,7 нм при условиях HP:
    • Высота эффективного барьера в состоянии выключения: 0,8 эВ
    • Высота эффективного барьера в состоянии включения: 0,1 эВ
  • При условиях LP высоты барьеров составляют соответственно 1,0 эВ и 0,4 эВ

Связанные работы

Современное состояние исследований транзисторов на 2D материалах

  1. Графен: Высокая подвижность, но нулевая ширина запрещённой зоны
  2. Переходные металлические дихалькогениды (TMDC): Подходящая ширина запрещённой зоны, но низкая подвижность
  3. Чёрный фосфор: Высокая подвижность, но плохая экологическая стабильность
  4. Новые 2D материалы: Такие как MoSi2N4, Bi2O2Se и др., демонстрирующие превосходные характеристики в отдельных аспектах

Система четырёхэлементных соединений A2BXY2

Ранее предложенная авторами новая система четырёхэлементных полупроводниковых соединений, характеризующаяся:

  • Стабильной одномерной цепной или двумерной сетчатой структурой
  • Оптимальной шириной запрещённой зоны (0,78-1,94 эВ)
  • Сверхвысокой теоретической подвижностью носителей (10⁴-10⁵ см²В⁻¹с⁻¹)

Выводы и обсуждение

Основные выводы

  1. Прорывные характеристики производительности: Na2LiAlP2 сохраняет превосходные характеристики полевого транзистора при длине канала 5,7 нм
  2. Преодоление теоретических пределов: Подпороговой наклон преодолевает предел Больцмана 60 мВ/дек
  3. Совместимость с ультранизким напряжением: Соответствие требованиям высокопроизводительного устройства при сверхнизких рабочих напряжениях
  4. Потенциал двуполярного применения: Как n-типовые, так и p-типовые устройства демонстрируют отличные характеристики

Ограничения

  1. Этап теоретического исследования: Основано исключительно на расчётах из первых принципов, отсутствует экспериментальная верификация
  2. Осуществимость изготовления: Хотя теоретически материал может быть расслоен, практическое изготовление и стабильность требуют проверки
  3. Экологическая стабильность: Содержание активных щелочных металлов может привести к проблемам со стабильностью в окружающей среде
  4. Контактное сопротивление: Не учитывается контактное сопротивление и эффекты на границе раздела в реальных устройствах

Направления будущих исследований

  1. Экспериментальное изготовление: Изучение методов синтеза и расслоения Na2LiAlP2
  2. Улучшение стабильности: Исследование методов защиты поверхности и герметизации
  3. Оптимизация устройства: Введение подрезных структур для дальнейшего повышения производительности
  4. Интеграция в технологический процесс: Исследование совместимости с существующими полупроводниковыми технологиями

Глубокая оценка

Преимущества

  1. Строгая методология: Использование зрелой теоретической базы DFT+NEGF с разумно установленными параметрами расчёта
  2. Выдающиеся результаты: Множество ключевых показателей производительности превосходят существующие 2D материалы и технические стандарты
  3. Глубокий анализ: Комплексный анализ от электронной структуры до физических механизмов устройства
  4. Практическая ориентация: Тесная связь с требованиями технологических дорожных карт IRDS/ITRS

Недостатки

  1. Отсутствие экспериментов: Полностью основано на теоретических расчётах, отсутствует экспериментальная верификация
  2. Сомнения в стабильности: Экологическая стабильность 2D материалов, содержащих щелочные металлы, вызывает вопросы
  3. Вызовы в изготовлении: Контролируемое изготовление четырёхэлементных соединений представляет значительную сложность
  4. Ограниченное сравнение: Сравнение с другими 2D материалами может быть более полным

Влияние

  1. Научная ценность: Предоставляет новые идеи для проектирования устройств на 2D материалах
  2. Технологические перспективы: При успешной реализации изготовления может способствовать развитию технологий в эпоху после закона Мура
  3. Теоретический вклад: Обогащает исследования применения четырёхэлементных полупроводниковых соединений в устройствах

Применимые сценарии

  1. Высокопроизводительные вычисления: Сверхвысокий ток включения подходит для высокоскоростных логических устройств
  2. Низкопотребляющие приложения: Превосходные характеристики подпорогового наклона подходят для мобильных устройств
  3. Экстремальное масштабирование: Имеет потенциал применения в технологических узлах ниже 5 нм

Библиография

Статья цитирует 32 важные работы, охватывающие ключевые области исследований физических пределов закона Мура, устройств на 2D материалах и теории квантового транспорта, обеспечивая прочную теоретическую основу для данного исследования.

Общая оценка: Это высококачественная теоретическая исследовательская работа, предлагающая новый материал с прорывным потенциалом в области полевых транзисторов на 2D материалах. Хотя отсутствует экспериментальная верификация, теоретический анализ строг, а результаты впечатляют. При достижении прорыва в экспериментальном изготовлении это исследование может оказать значительное влияние на технологию полупроводниковых устройств.