Первопринципное исследование пентагональных монослоёв TiN$_8$ и MoN$_8$ как новых магнитных топологических изоляторов

Основная информация

• ID статьи: 2510.13107
• Название: First-Principles Exploration of Pentagonal TiN$_8$ and MoN$_8$ Monolayers as New Magnetic Topological Insulator
• Авторы: Чжэн Ван, Бэйчэнь Жуань, Чжохэн Ли, Шу-Шэнь Люй, Кайсюань Чэнь
• Учреждение: Школа материаловедения, Кампус Шэньчжэня Университета Чжуншань
• Классификация: cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
• Дата публикации: 16 октября 2025 г.
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2510.13107

Аннотация

Поиск устойчивых собственных магнитных топологических материалов с квантовым аномальным эффектом Холла (QAH) является центральной задачей физики конденсированного состояния и революционных электронных приложений. Однако прогресс затруднён ограниченным количеством кандидатных материалов, плохой стабильностью и сложностью синтеза. В данной работе предложена новая исследовательская парадигма путём изучения ранее игнорировавшихся возникающих магнитных свойств и нетривиальной топологии зонной структуры в двумерных пентагональных монослоях MN$_8$. Посредством расчётов из первых принципов выявлено, что эти системы обладают внеплоскостным ферромагнитным основным состоянием, что является ключевой характеристикой нетривиальных топологических свойств, обусловленных локализованными d-орбиталями встроенных переходных металлов. TiN$_8$ идентифицирован как QAH-изолятор с числом Чёрна $C=-1$, а MoN$_8$ предсказан как редкий QAH-изолятор с высоким числом Чёрна $C=2$.

Исследовательский контекст и мотивация

Определение проблемы

1. Основная задача: дефицит и практические проблемы материалов с эффектом QAH
2. Ограничения существующих материалов:
   • Экспериментально реализованные двумерные магнитные топологические изоляторы, такие как тонкие плёнки Cr-легированного (Bi,Sb)$_2$Te$_3$, сталкиваются с трудностями синтеза и плохой стабильностью
   • Ограниченное количество кандидатных материалов ограничивает практическое применение

Значимость исследования

• Эффект QAH предоставляет перспективную платформу для низкопотребляющих электронных устройств и топологических квантовых вычислений
• Быстрое развитие двумерных ван-дер-ваальсовых материалов предлагает пути преодоления проблем, стоящих перед традиционными магнитными топологическими изоляторами
• Пентагональные структурные материалы демонстрируют превосходные механические и электронные свойства

Исследовательская мотивация

• Предыдущие исследования структур penta-MN$_8$ сосредоточивались только на кристаллической структуре и общих физических свойствах, игнорируя локальные свойства d-орбиталей переходных металлов
• Отсутствие систематического исследования возникающих магнитных свойств и нетривиальной топологии зонной структуры
• Необходимость расширения библиотеки кандидатных материалов магнитных топологических материалов

Основные вклады

1. Открытие нового семейства QAH-материалов: первое предсказание собственных магнитных топологических свойств изоляторов в семействе penta-MN$_8$
2. Идентификация топологических изоляторов с высоким числом Чёрна: MoN$_8$ обладает редким высоким числом Чёрна $C=2$
3. Раскрытие магнитного механизма: выяснение механизма образования внеплоскостного ферромагнитного основного состояния, вызванного локализацией d-орбиталей
4. Установление теоретической базы: построение упрощённой модели плотной связи для объяснения происхождения топологических свойств
5. Расширение пространства проектирования материалов: предоставление теоретической основы для проектирования устройств спинтроники следующего поколения и квантовых вычислений

Подробное описание методов

Методы расчёта

Расчёты из первых принципов:

• Использование пакета VASP для расчётов теории функционала плотности (DFT)
• Применение метода проектируемых дополненных волн (PAW) для обработки электрон-ионного взаимодействия
• Функционал обмена-корреляции: PBE
• Энергия отсечки плоских волн: 600 эВ
• Сетка k-точек: 11×11×1 с центрированием на Γ

Ключевые технические параметры:

• Метод DFT+U для обработки кулоновского взаимодействия d-орбиталей: U(Ti)=3,0 эВ, U(Mo)=2,0 эВ
• Метод DFT-D3 для коррекции ван-дер-ваальсова взаимодействия
• Толщина вакуумного слоя: 15 Å

Расчёт топологических свойств

Метод функций Ванье:

• Использование пакетов Wannier90 и WannierTools
• Формула расчёта числа Чёрна: $C = \frac{1}{2\pi}\sum_n \int_{BZ} d^2k \Omega_n$

Расчёт кривизны Берри: $\Omega_n(k) = -\sum_{n'\neq n} \frac{2\text{Im}\langle\psi_{nk}|v_x|\psi_{n'k}\rangle\langle\psi_{n'k}|v_y|\psi_{nk}\rangle}{(\varepsilon_{n'}-\varepsilon_n)^2}$

Анализ магнитных свойств

Модель Гейзенберга: $H = H_0 - \sum_{\langle i,j\rangle} J_1 S_i \cdot S_j - \sum_{\langle\langle i,j\rangle\rangle} J_2 S_i \cdot S_j - \sum_i A S_i^2$

где $J_1$ и $J_2$ — параметры обменного взаимодействия ближайших и вторых ближайших соседей соответственно, $A$ — энергия магнитной анизотропии.

Экспериментальная установка

Структурные модели

• TiN$_8$: γ-фаза, плоская геометрия, пространственная группа P6/m, постоянная решётки a=5,47 Å
• MoN$_8$: β-фаза, гофрированная морфология, пространственная группа P3, постоянная решётки a=5,28 Å
• Каждая элементарная ячейка содержит 1 атом переходного металла и 8 атомов азота (6 позиций N1 + 2 позиции N2)

Проверка стабильности

• Расчёт фононной дисперсии: использование теории возмущений функционала плотности (DFPT)
• Молекулярно-динамическое моделирование: моделирование AIMD для проверки термической стабильности
• Определение магнитного основного состояния: сравнение конфигураций FM, AFM-stripe, AFM-zigzag

Оценочные показатели

• Структура зон и размер запрещённой зоны
• Число Чёрна и граничные состояния топологии
• Параметры магнитного обмена и температура Кюри
• Структурная стабильность (фононные частоты, AIMD)

Экспериментальные результаты

Структура и стабильность

• TiN$_8$: демонстрирует термическую стабильность при 300 K, отсутствие мнимых частот в фононной дисперсии
• MoN$_8$: сложно сохранить целостность структуры при 50 K (в течение 3 пс), однако топологические свойства заслуживают исследования

Электронная структура и магнетизм

Распределение магнитных моментов:

• TiN$_8$: 1,92 μ$_B$/элементарная ячейка, электронная конфигурация 3d$^2$↑
• MoN$_8$: 2,00 μ$_B$/элементарная ячейка, электронная конфигурация 3d$^3$↑d$^1$↓

Свойства связей:

• Анализ Бадера показывает значительную ковалентность связей Ti-N и Mo-N
• Функция локализации электронов (ELF) подтверждает сильную ковалентную связь между атомами металла и азота

Магнитное обменное взаимодействие

Топологические свойства

Топологические характеристики TiN$_8$:

• Число Чёрна: $C = -1$
• Запрещённая зона с учётом спин-орбитального взаимодействия: K-точка 1020 мэВ, Γ-точка 932 мэВ
• Глобальная запрещённая зона: 223 мэВ (непрямая)
• Хиральные граничные состояния, соединяющие уровень Ферми

Топологические характеристики MoN$_8$:

• Число Чёрна: $C = 2$ (высокое число Чёрна)
• Запрещённая зона с учётом спин-орбитального взаимодействия: K-точка 41 мэВ, Γ-точка 63 мэВ
• Глобальная запрещённая зона: 12 мэВ
• Два одинаково направленных хиральных граничных состояния пересекают уровень Ферми

Проверка модели плотной связи

Построена упрощённая двухполосная модель на основе орбиталей $(d_{xz}, d_{yz})$:

• K-точка: линейная дисперсия, вклад в число Чёрна $C = -1/2$
• Γ-точка: параболическая дисперсия, вклад в число Чёрна $C = 1$
• Модель успешно объясняет топологические характеристики расчётов из первых принципов

Связанные работы

Прогресс в исследовании топологических изоляторов

• Традиционные трёхмерные топологические изоляторы: Bi$_2$Se$_3$, Bi$_2$Te$_3$ и др.
• Теоретические предсказания и экспериментальная реализация двумерных изоляторов Чёрна и эффекта QAH
• Редкость топологических изоляторов с высоким числом Чёрна

Пентагональные двумерные материалы

• Теоретические предсказания и экспериментальный синтез penta-graphene, penta-MX$_2$ и др.
• Открытие больших циклических молекул N$_{18}$ как основы для структур penta-MN$_8$
• Предыдущие исследования игнорировали магнитные и топологические свойства

Магнитные топологические материалы

• Быстрое развитие ван-дер-ваальсовых магнитных материалов
• Топологические свойства семейства материалов MnBi$_2$Te$_4$
• Механизмы связи магнитных и топологических свойств в двумерных материалах

Выводы и обсуждение

Основные выводы

1. Новое семейство материалов: семейство penta-MN$_8$ предоставляет новую материальную платформу для магнитных топологических изоляторов
2. Топологическое разнообразие: TiN$_8$ (C=-1) и MoN$_8$ (C=2) демонстрируют богатые топологические фазы
3. Физический механизм: локализация d-орбиталей и спиновая поляризация являются ключевыми движущими силами топологических свойств
4. Теоретическая база: модель плотной связи раскрывает различные вклады точек Γ и K в число Чёрна

Ограничения

1. Структурная стабильность: плохая термическая стабильность MoN$_8$ ограничивает практическое применение
2. Проблемы синтеза: требуются условия высокого давления и температуры, экспериментальный синтез ещё требует проверки
3. Зависимость от параметров: топологические свойства чувствительны к параметру Хаббарда U
4. Размер запрещённой зоны: малая запрещённая зона MoN$_8$ (12 мэВ) может повлиять на применение при комнатной температуре

Будущие направления

1. Оптимизация материалов: повышение структурной стабильности посредством деформации, легирования и других методов
2. Экспериментальная проверка: исследование путей синтеза и характеризация топологических свойств
3. Применение в устройствах: проектирование устройств спинтроники на основе эффекта QAH
4. Теоретическое расширение: исследование соединений penta-MN$_8$ других переходных металлов

Глубокая оценка

Преимущества

1. Высокая инновационность: первое систематическое исследование магнитных топологических свойств penta-MN$_8$, открытие материалов с высоким числом Чёрна
2. Комплексная методология: сочетание расчётов из первых принципов, модели плотной связи и моделирования Монте-Карло
3. Глубокие физические insights: ясное объяснение связи между d-орбиталями, магнетизмом и топологическими свойствами
4. Теоретическая строгость: стандартные методы расчёта кривизны Берри и числа Чёрна, надёжные результаты

Недостатки

1. Ограничения практичности: плохая стабильность MoN$_8$, TiN$_8$ требует большого значения U для проявления AFM основного состояния
2. Отсутствие экспериментов: чисто теоретическое исследование, отсутствие экспериментальной проверки и анализа возможности синтеза
3. Чувствительность к параметрам: сильная зависимость от выбора параметра DFT+U
4. Перспективы применения: проблемы малой запрещённой зоны и стабильности могут ограничить практическое применение в устройствах

Влияние

1. Научный вклад: значительное расширение библиотеки кандидатных материалов магнитных топологических изоляторов
2. Теоретическая ценность: новая перспектива для понимания связи магнитных и топологических свойств в двумерных материалах
3. Потенциал применения: теоретическое руководство для проектирования устройств квантовых вычислений и спинтроники
4. Воспроизводимость: детальные методы расчёта и явные параметры облегчают проверку другими исследовательскими группами

Применимые сценарии

1. Фундаментальные исследования: теоретические исследования топологической физики и магнитных материалов
2. Проектирование материалов: вычислительный скрининг новых двумерных магнитных топологических материалов
3. Концепции устройств: концептуальное проектирование и оптимизация устройств с эффектом QAH
4. Учебные примеры: типичные примеры расчётов из первых принципов и анализа топологических свойств

Библиография

В данной работе цитируется 40 соответствующих источников, охватывающих ключевые области теории топологических изоляторов, двумерных материалов, магнитного взаимодействия и вычислительной методологии, обеспечивая прочную теоретическую основу для исследования.

Общая оценка: Это высококачественная теоретическая исследовательская работа, внёсшая значительный вклад в область двумерных магнитных топологических материалов. Несмотря на вызовы в отношении экспериментальной осуществимости, её теоретическая инновационность и роль в развитии этой области заслуживают признания.