Высокополосный и ультранизкий темновой ток Ge фотодетектор, обеспеченный частотной областью эквализацией

Основная информация

• ID статьи: 2510.13478
• Название: High Bandwidth and Ultra-low Dark Current Ge Photodetector Enabled by Frequency Domain Equalization
• Авторы: Wenxin Deng, Hengsong Yue, Xiaoyan Liu, Jianhong Liang, Jianbin Fu, Shilong Pan, Tao Chu
• Классификация: physics.optics
• Учреждение-издатель: Школа информационных и электронных технологий Чжэцзянского университета, Государственная ключевая лаборатория экстремальной фотоники и приборостроения, Государственная ключевая лаборатория микроволновой фотоники Нанкинского университета аэронавтики и астронавтики
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2510.13478

Аннотация

В данной работе предложен фотодетектор на основе германия (Ge) с частотной областью эквализацией, который достигает улучшения характеристик путем вычитания частотной характеристики низкополосного фотодетектора PDB из частотной характеристики высокополосного фотодетектора PDA. Поскольку затухание PDB на высоких частотах более значительно, чем у PDA, дифференциальная характеристика на высоких частотах демонстрирует более высокие значения по сравнению с низкими частотами. Экспериментальные результаты показывают, что полоса пропускания эквализированного фотодетектора (EqPD) может быть расширена до более чем 110 ГГц, при этом темновой ток снижается до 1 пА, а скорость передачи без возврата к нулю (NRZ) достигает 100 Гбод без необходимости цифровой обработки сигналов.

Исследовательский контекст и мотивация

Определение проблемы

1. Проблема ограничения полосы пропускания: Полоса пропускания фотодетектора на основе германия ограничена двумя факторами: временем транзита носителей заряда и паразитными параметрами (RC). Транспортировка носителей из собственной области в легированную область требует времени, связанного с длиной собственной области P-N перехода; паразитные параметры включают в основном сопротивление кремния и емкость перехода.
2. Проблема темнового тока: Тепловое генерирование носителей в P-N переходе Ge приводит к собственному темновому току, обычно находящемуся в диапазоне нА-мкА, состоящему из диффузионного тока, тока генерации-рекомбинации, тока межзонного туннелирования и тока туннелирования, вспомогательного ловушками.

Значимость исследования

Огромные потребности искусственного интеллекта и облачных вычислений в обработке больших объемов данных создают серьезные вызовы для коммуникаций данных. Кремниевая фотоника, благодаря своей совместимости с технологией CMOS, высокой плотности интеграции, низкому энергопотреблению и низкой стоимости, предоставляет перспективное решение для решения этой проблемы.

Ограничения существующих методов

• Метод сужения собственной области: Хотя может достичь полосы пропускания до 265 ГГц, темновой ток составляет около 200 нА, и изготовление собственной области шириной 100 нм чрезвычайно сложно
• Оптимизация RC параметров: Путем регулировки размера области Ge и легирования кремния, но все еще ограничено временем транзита носителей
• Метод с индуктором: Использование индукторов для снижения эффекта емкости перехода, но имеет сложность изготовления и трудности согласования параметров

Основные вклады

1. Предложена инновационная архитектура эквализированного фотодетектора (EqPD): Использование дифференциальной структуры для реализации эквализации в частотной области, преодоление традиционных ограничений полосы пропускания
2. Достигнуты наивысшие показатели производительности вертикального фотодетектора на основе Ge: Полоса пропускания более 110 ГГц, темновой ток всего 1 пА
3. Подтверждена способность передачи 100 Гбод NRZ: Достижение высокоскоростной передачи данных без необходимости цифровой обработки сигналов
4. Предоставлены теоретический анализ и экспериментальная проверка: Установлена полная модель эквивалентной схемы и анализ передаточной функции

Подробное описание методики

Проектирование архитектуры устройства

EqPD состоит из двух дифференциальных фотодетекторов:

• PDA: Область Ge меньшего размера с более низкой емкостью и более высокой полосой пропускания
• PDB: Область Ge большего размера с более высокой емкостью и более низкой полосой пропускания
• Общий электрод: Соединение N++Ge PDA и P++Si PDB с противоположной полярностью легирования для реализации вычитания тока
• Термически настраиваемый интерферометр Маха-Цендера (MZI): Управление соотношением распределения оптической мощности между двумя областями Ge

Теоретическая модель

Передаточная функция

Передаточная функция EqPD определяется как:

H_Eq(f) = H_t(f)[(1-m)H_a(f) - mH_b(f)]

где:

• m: доля падающей оптической мощности, распределяемая на PDB
• H_t(f): передаточная функция, управляемая носителями заряда
• H_a(f), H_b(f): передаточные функции PDA и PDB, управляемые паразитными параметрами RC

Передаточная функция носителей заряда

H_t(f) = 1/(1 + 2πjfR_tC_t)

Передаточная функция RC

H_i(f) = X_j/[(1 + 2πjfC_p R_load)(X_i + X_j) + 2πjfC_i R_load X_j + X_i + X_j]

Механизм подавления темнового тока

Темновой ток состоит из четырех компонентов:

1. Диффузионный ток: I_Diff = (qD_n n_p^0)/L_n + (qD_p p_n^0)/L_p × e^(qV_d/KT) - 1
2. Ток генерации-рекомбинации: I_GR = (Aqd_i n_i)/(2τ) × e^(qV_d/2KT) - 1
3. Ток межзонного туннелирования: I_BBT
4. Ток туннелирования, вспомогательный ловушками: I_TAT

Путем приложения различных напряжений смещения к PDA и PDB можно достичь взаимного сокращения темновых токов обоих, реализуя ультранизкий темновой ток.

Экспериментальная установка

Изготовление устройства

• Подложка: Пластина SOI с верхним слоем кремния толщиной 220 нм и слоем захороненного оксида толщиной 2 мкм
• Слой Ge: 500 нм эпитаксиального роста, верхние 50 нм сильно легированы до концентрации N++
• Концентрация легирования: P++Si примерно 10^20 см^-3, P+Si примерно 10^19 см^-3
• Размеры устройства: PDA 8×6 мкм, PDB 17×6 мкм

Конфигурация тестирования

• Характеристики малого сигнала: Использование векторного анализатора цепей (Keysight N5245B) и анализатора оптических волн 110 ГГц
• Тестирование диаграммы глаза: Полная цепь, включающая лазер, контроллер поляризации, модулятор Маха-Цендера, усилитель EDFA и другие компоненты
• Тестирование темнового тока: Использование источника напряжения (Keysight B2901A)

Экспериментальные результаты

Основные показатели производительности

Производительность полосы пропускания

• Без эквализации (m=0): Полоса пропускания -3 дБ всего 17 ГГц
• После оптимизации эквализации:
  • m=0.1: 25 ГГц
  • m=0.2: 33 ГГц
  • m=0.3: 55 ГГц
  • m=0.35: 65 ГГц
  • m=0.4: 73 ГГц
  • m=0.45: >110 ГГц (потери РЧ характеристики всего -0.53 дБ)

Подавление темнового тока

• Традиционный одиночный фотодетектор: 2.5 нА (при VB=-1В)
• Оптимизированный EqPD: 1 пА (снижение на 3 порядка величины)
• Эффект подавления при различных смещениях:
  • VB=0В: снижение с 156 пА до 3 пА
  • VB=-1В: снижение с 2.5 нА до 1 пА
  • VB=-2В: снижение с 3.5 нА до 20 пА (снижение в 175 раз)

Способность высокоскоростной передачи

• Передача 100 Гбод NRZ: Достижение четкой диаграммы глаза без DSP
• Скорость передачи при различных значениях m:
  • m=0.2: 70 Гбод
  • m=0.35: 90 Гбод
  • m=0.4: 100 Гбод

Сравнение производительности

Сравнение с существующими технологиями показывает, что данная работа впервые достигает в вертикальном фотодетекторе на основе Ge:

• Наивысшую полосу пропускания: >110 ГГц
• Наименьший темновой ток: 1 пА
• Лучшую комбинированную производительность: Одновременное достижение ультравысокой полосы пропускания и ультранизкого темнового тока

Абляционные эксперименты

Влияние соотношения распределения оптической мощности m

Систематическое исследование влияния различных значений m на производительность:

1. Компромисс полосы пропускания и чувствительности: С увеличением m полоса пропускания возрастает, но чувствительность снижается
2. Оптимальная рабочая точка: При m=0.45 достигается лучшая производительность полосы пропускания
3. Физические ограничения: m должно быть меньше 0.5, иначе эффект эквализации ухудшается

Оптимизация напряжения смещения

Путем точного управления напряжениями смещения PDA и PDB достигается точное сокращение темнового тока, подтверждая точность теоретических предсказаний.

Связанные работы

Основные направления исследований

1. Сужение собственной области: Повышение полосы пропускания путем сокращения времени транзита носителей
2. Оптимизация RC параметров: Регулировка геометрии устройства и концентрации легирования
3. Компенсация индуктором: Использование индукторов для компенсации эффекта емкости
4. Новые структуры: Такие как плавниковые структуры, кольцевые структуры и другие

Уникальность данной работы

• Первое предложение концепции частотной области эквализации: Использование дифференциальной структуры для расширения полосы пропускания
• Преодоление физических ограничений: Выход за пределы времени транзита носителей и ограничений RC
• Простая технология изготовления: Без необходимости сложного нанометрового изготовления
• Сильная универсальность: Применимо к различным типам фотодетекторов

Заключение и обсуждение

Основные выводы

1. Технологический прорыв: Впервые достигнута полоса пропускания >110 ГГц в вертикальном фотодетекторе на основе Ge
2. Подавление темнового тока: Достигнут ультранизкий темновой ток 1 пА, на 3 порядка ниже традиционных структур
3. Практическая ценность: Проверка передачи 100 Гбод NRZ подтверждает потенциал практического применения
4. Теоретический вклад: Установлена полная теоретическая база частотной области эквализации

Ограничения

1. Компромисс чувствительности: Повышение полосы пропускания достигается за счет снижения чувствительности
2. Увеличение сложности: Требуется точное распределение оптической мощности и управление смещением
3. Температурная чувствительность: Термическая настройка MZI может быть подвержена влиянию температуры
4. Допуски изготовления: Требуется высокая согласованность двух фотодетекторов

Будущие направления

1. Дальнейшее расширение полосы пропускания: Путем уменьшения площади PDA и оптимизации концентрации легирования
2. Оптимизация чувствительности: Исследование новых стратегий эквализации для снижения потерь чувствительности
3. Интеграция: Монолитная интеграция с другими устройствами кремниевой фотоники
4. Расширение приложений: Применение в когерентной коммуникации, датчиках и других областях

Глубокая оценка

Преимущества

1. Выдающаяся инновационность: Впервые предложена концепция частотной области эквализации, открывающая новые подходы к проектированию фотодетекторов
2. Превосходная производительность: Достигнуты значительные прорывы в ключевых показателях, достигнут наивысший уровень в области
3. Полная теория: Установлена полная теоретическая модель и анализ эквивалентной схемы
4. Достаточные эксперименты: Полный дизайн экспериментов от характеристик устройства до системной проверки
5. Высокая практическая ценность: Прямое применение в системах высокоскоростной оптической коммуникации следующего поколения

Недостатки

1. Компромиссные отношения: Компромисс между полосой пропускания и чувствительностью требует дальнейшей оптимизации
2. Увеличенная сложность: По сравнению с одиночным фотодетектором, системная сложность увеличена
3. Долгосрочная стабильность: Отсутствуют тесты долгосрочной надежности и температурной стабильности
4. Анализ стоимости: Отсутствует подробное сравнение производственных затрат

Влияние

1. Академическая ценность: Предоставляет новую теоретическую базу для проектирования высокоскоростных фотодетекторов
2. Промышленное значение: Может быть прямо применено в системах коммуникаций центров обработки данных и сетях 5G/6G
3. Распространение технологии: Принцип эквализации может быть расширен на другие типы оптоэлектронных устройств
4. Установление стандартов: Может повлиять на стандарты производительности высокоскоростных фотодетекторов в будущем

Применимые сценарии

1. Высокоскоростная оптическая коммуникация: Оптические модули 100G/400G/800G
2. Взаимосвязь центров обработки данных: Высокоскоростные оптические каналы на коротких расстояниях
3. Фронтальная и обратная линия 5G/6G: Инфраструктура беспроводной коммуникации
4. Оптические вычисления: Интегрированные оптоэлектронные вычислительные чипы
5. Лидар: Приложения высокоскоростного измерения расстояния и визуализации

Список литературы

Статья цитирует 28 важных источников, охватывающих последние достижения в области кремниевой фотоники, проектирования фотодетекторов и высокоскоростной оптической коммуникации, обеспечивая прочную теоретическую базу и техническое сравнение для данной работы.

Общая оценка: Это отличная статья, имеющая важное значение для прорыва в области фотодетекторов. Предложенная авторами концепция частотной области эквализации является новой и уникальной, экспериментальные результаты впечатляют, теоретический анализ глубок и тщательен. Данная работа не только достигает значительного технологического прорыва, но, что более важно, предоставляет совершенно новый подход к проектированию в этой области, обладая важной академической ценностью и практическим значением.