Сравнительное исследование фонон-ограниченного переноса носителей в семействе полупроводников Вейля TaAs

Основная информация

• ID статьи: 2510.14048
• Название: Comparative study of phonon-limited carrier transport in the Weyl semimetal TaAs family
• Авторы: Shashi B. Mishra, Zhe Liu, Sabyasachi Tiwari, Feliciano Giustino, Elena R. Margine
• Классификация: cond-mat.mes-hall, cond-mat.mtrl-sci
• Дата публикации: 15 октября 2025 г.
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2510.14048

Аннотация

В данной работе с использованием первопринципного ab initio уравнения Больцмана для переноса систематически исследованы характеристики фонон-ограниченного переноса в полупроводниках Вейля семейства TaAs. Рассчитанная проводимость показывает высокое согласие с экспериментальными данными высокачественных образцов, подтверждая, что перенос в этих системах в основном ограничен фононным рассеянием. Среди четырёх соединений NbP демонстрирует наивысшую проводимость, главным образом обусловленную его большой скоростью Ферми, компенсирующей более сильную скорость рассеяния. Напротив, TaAs показывает наименьшую проводимость, что связано с уменьшением карманов носителей и ограниченной скоростью носителей. Кроме того, проводимость NbP практически не чувствительна к малому легированию дырами или электронами, тогда как TaAs демонстрирует явную электрон-дырочную асимметрию.

Научный контекст и мотивация

Постановка проблемы

Монофосфиды семейства TaAs являются первой материальной системой, в которой фермионы Вейля были теоретически предсказаны и экспериментально обнаружены. Эти соединения обладают объёмноцентрированной тетрагональной неинверсионно-симметричной структурой, и благодаря отсутствию инверсионной симметрии и наличию спин-орбитального взаимодействия (SOC) возникают топологически защищённые узлы Вейля, приводящие к аномальным физическим откликам, таким как киральная аномалия, гигантское магнитосопротивление и сверхвысокая подвижность носителей.

Значимость исследования

1. Фундаментальное физическое значение: Понимание механизма электрон-фононного взаимодействия в полупроводниках Вейля имеет решающее значение для исследования топологических квантовых явлений
2. Перспективы применения: Эти материалы имеют широкие перспективы применения в электронных и спинтронных устройствах следующего поколения
3. Различия в экспериментальных наблюдениях: Различные соединения демонстрируют значительно отличающиеся подвижности, например NbP обычно показывает более высокую подвижность, чем TaAs

Ограничения существующих исследований

Хотя топологические свойства семейства TaAs достаточно хорошо изучены, его свойства переноса заряда остаются активной областью исследований. Ранее отсутствовал систематический анализ проводимости всех четырёх соединений семейства TaAs, а также объяснение того, почему NbP демонстрирует наивысшую подвижность в этом ряду.

Основные вклады

1. Систематическое теоретическое исследование: Впервые проведено систематическое первопринципное сравнительное исследование проводимости четырёх соединений: TaAs, TaP, NbAs и NbP
2. Выяснение механизмов переноса: Выявлены скорость электрон-фононного рассеяния и скорость носителей как основные факторы, контролирующие проводимость
3. Анализ эффектов легирования: Обнаружено, что NbP нечувствителен к электронному или дырочному легированию, тогда как в других соединениях дырочные носители всегда демонстрируют наивысшую проводимость
4. Теоретико-экспериментальная верификация: Расчётные результаты показывают высокое согласие с экспериментальными данными высокачественных образцов, подтверждая доминирующую роль фононного рассеяния

Методология

Расчётная схема

Исследование основано на теории функционала плотности (DFT) и теории возмущений функционала плотности (DFPT) с использованием пакета Quantum ESPRESSO для расчётов электронной структуры.

Технические детали

1. Выбор псевдопотенциалов: Использованы оптимизированные консервативные псевдопотенциалы Вандербильта (ONCVPSP) из библиотеки Pseudo Dojo
2. Параметры расчётов:
   • Энергия отсечки плоских волн: 80 Ry
   • Расширение Метфессела-Паксона: 0,01 Ry
   • Сетка k-точек: 12×12×12 (самосогласованные расчёты)
   • Сетка q-точек: 4×4×4 (расчёты фононов)

Методы расчёта переноса

Использован код EPW для расчёта электрон-фононного взаимодействия и свойств переноса:

1. Ванниеровская интерполяция: Волновые функции электронов получены на сетке 8×8×8 k-точек
2. Выбор орбиталей: Для каждого атома Ta/Nb использованы 5 d-орбиталей, для каждого атома As/P — 3 p-орбитали
3. Решение уравнения Больцмана: Итеративное уравнение Больцмана для переноса (IBTE) решено на плотной сетке из 140³ k-точек и 70³ q-точек

Технологические инновации

1. Точная обработка: Учтены эффекты спин-орбитального взаимодействия для точного описания структуры узлов Вейля
2. Высокоточные расчёты: Использованы достаточно плотные сетки k-точек и q-точек для обеспечения сходимости результатов
3. Многоуровневый анализ: Проведено сравнительное исследование с использованием IBTE и приближения релаксационного времени собственной энергии (SERTA)

Экспериментальная установка

Исследуемые материалы

Объектом исследования являются четыре соединения семейства TaAs: TaAs, TaP, NbAs и NbP, обладающие одинаковой объёмноцентрированной тетрагональной кристаллической структурой (пространственная группа I41md), но с различными параметрами решётки.

Параметры расчётов

• Энергетическое окно: ±0,2 эВ вокруг уровня Ферми
• Энергетическое расширение: 2 мэВ гауссова расширения
• Диапазон температур: 0–300 К
• Уровни легирования: Смещение уровня Ферми ±25 мэВ

Сравнительные эталоны

Проведено сравнение с несколькими наборами экспериментальных данных, включая результаты измерений высокачественных монокристаллических образцов, полученные Zhang и др., Huang и др., Sankar и др.

Результаты исследования

Основные находки

Упорядочение проводимости

Среди четырёх соединений упорядочение проводимости при комнатной температуре следующее: NbP > NbAs ≈ TaP > TaAs

Конкретные значения (300 K):

• NbP: ~5×10⁴ S/см
• NbAs: ~4×10⁴ S/см
• TaP: ~4×10⁴ S/см
• TaAs: ~3×10⁴ S/см

Температурная зависимость

Все соединения демонстрируют поведение, характеризующееся быстрым снижением от ~10⁵–10⁶ S/см при низких температурах до нескольких ×10⁴ S/см вблизи 300 K, что согласуется с экспериментальными наблюдениями.

Анализ микроскопических механизмов

Разложение влияющих факторов

В соответствии с упрощённым выражением Больцмана σxx ∝ N(εF)⟨v²x⟩τ(εF):

1. Плотность состояний N(εF): Максимальна для NbP, способствует рассеянию
2. Скорость рассеяния τ⁻¹(εF): Максимальна для NbP, минимальна для TaAs
3. Скорость носителей ⟨v²x⟩: Максимальна для NbP, компенсирует эффект сильного рассеяния

Ключевые выводы

Высокая проводимость NbP обусловлена её большой скоростью Ферми, компенсирующей эффект сильного рассеяния, тогда как TaAs демонстрирует наименьшую проводимость из-за меньшего числа карманов носителей и ограниченной скорости.

Эффекты легирования

Электрон-дырочная асимметрия

• TaAs: Демонстрирует явную электрон-дырочную асимметрию, дырочное легирование повышает проводимость
• NbP: Практически нечувствителен к легированию ±25 мэВ, три кривые почти совпадают
• TaP и NbAs: Демонстрируют среднюю степень асимметрии

Физический механизм

Асимметрия тесно связана с положением узлов Вейля и топологией поверхности Ферми. Большие, почти скомпенсированные карманы электронов и дырок в NbP обеспечивают, что малое смещение уровня Ферми не активирует новые каналы рассеяния.

Анализ с разложением по частотам

Разложение скорости рассеяния по частотам фононов показывает, что все соединения взаимодействуют с фононами во всём диапазоне частот, причём TaAs накапливается медленнее всего с минимальным значением насыщения, а NbP накапливается наиболее интенсивно с максимальным интегральным рассеянием.

Связанные работы

Теоретические исследования

• Huang и др., Weng и др. впервые предсказали фермионы Вейля в семействе TaAs
• Sun и др. исследовали топологические поверхностные состояния и дуги Ферми
• Множество исследований изучали тенденции в структурных, электронных и колебательных свойствах

Экспериментальные исследования

• Xu и др., Lv и др. впервые экспериментально обнаружили полупроводник Вейля TaAs
• Измерения переноса последовательно показывают огромные подвижности, иногда превышающие 10⁶ см²V⁻¹s⁻¹
• Между различными соединениями наблюдаются значительные различия в подвижности

Вклад данной работы

По сравнению с предыдущими исследованиями, данная работа впервые предоставляет систематический теоретический анализ проводимости всего семейства TaAs, объясняет наблюдаемые экспериментальные тенденции и выявляет микроскопические механизмы переноса.

Выводы и обсуждение

Основные выводы

1. Доминирование фононного рассеяния: Перенос в высокачественных образцах действительно в основном ограничен фононным рассеянием
2. Механизм упорядочения материалов: Упорядочение проводимости NbP > NbAs ≈ TaP > TaAs в основном определяется конкуренцией между скоростью носителей и скоростью рассеяния
3. Чувствительность к легированию: Различные соединения демонстрируют огромные различия в чувствительности к легированию, отражая топологию их поверхности Ферми и ограничения фазового пространства

Физическая картина

Несмотря на то что NbP обладает наиболее сильной скоростью рассеяния, его повышенная скорость носителей (обусловленная более слабым SOC и расширенной линейной дисперсией) компенсирует эффект рассеяния, приводя к наивысшей проводимости.

Ограничения

1. Приближения в расчётах: Внутренние ограничения DFT-подхода могут привести к недооценке некоторых релевантных эффектов
2. Диапазон температур: Основное внимание уделено температурам вблизи комнатной, поведение при экстремально низких температурах обсуждается менее подробно
3. Качество образцов: Теоретические расчёты соответствуют идеальным кристаллам, реальные образцы могут содержать дефекты и примеси

Направления будущих исследований

1. Расширение исследований: Распространение методологии на другие системы полупроводников Вейля
2. Нелинейные эффекты: Исследование нелинейных свойств переноса в сильных электрических полях
3. Применение в устройствах: Исследование потенциала применения в практических устройствах

Глубокая оценка

Преимущества

1. Передовая методология: Использование новейших методов первопринципного расчёта переноса, технологический маршрут зрелый и надёжный
2. Высокая систематичность: Впервые проведено систематическое сравнение всего семейства TaAs, заполнен пробел в области
3. Сочетание теории и эксперимента: Расчётные результаты показывают высокое согласие с экспериментальными данными, подтверждая надёжность теоретического метода
4. Глубокие физические выводы: Выявлены микроскопические механизмы различий в проводимости, предоставлена ясная физическая картина

Недостатки

1. Упрощённый анализ механизмов: Хотя предоставлены качественные объяснения, микроскопический анализ механизма увеличения скорости носителей недостаточно глубок
2. Температурная зависимость: Поведение в низкотемпературной области обсуждается относительно менее подробно
3. Ограничения экспериментального сравнения: Качество экспериментальных данных для некоторых соединений (например, NbAs) неоднородно, что влияет на эффективность сравнения

Влияние

1. Научный вклад: Предоставляет важную теоретическую основу для понимания свойств переноса в полупроводниках Вейля
2. Методологическая ценность: Устанавливает стандартный расчётный процесс для исследования свойств переноса в топологических полупроводниках
3. Практическое руководство: Предоставляет теоретическое руководство для выбора материалов и проектирования устройств

Области применения

1. Фундаментальные исследования: Исследование механизмов физики топологических полупроводников
2. Проектирование материалов: Предсказание характеристик новых полупроводников Вейля
3. Разработка устройств: Проектирование электронных устройств на основе полупроводников Вейля

Библиография

Данная работа ссылается на важные публикации в этой области, включая:

• Теоретические работы по предсказанию полупроводников Вейля (Huang et al., Weng et al.)
• Экспериментальные открытия (Xu et al., Lv et al.)
• Измерения свойств переноса (Zhang et al., Shekhar et al.)
• Развитие расчётных методов (Giustino et al., Poncé et al.)

Общая оценка: Это высокачественная теоретическая физическая работа, в которой с использованием передовых первопринципных методов систематически исследованы свойства переноса в полупроводниках Вейля семейства TaAs. Теоретические расчёты показывают высокое согласие с экспериментом и предоставляют важные выводы для понимания механизмов переноса в этих материалах. Технологический маршрут работы ясен, результаты надёжны, и она имеет значительную научную ценность и практическое значение для данной области.