Криогенная температурная зависимость и гистерезис утечки затвора, индуцированной поверхностными ловушками, в GaN высокоэлектронных транзисторах с высокой подвижностью

Основная информация

• ID статьи: 2510.14456
• Название: Криогенная температурная зависимость и гистерезис утечки затвора, индуцированной поверхностными ловушками, в GaN высокоэлектронных транзисторах с высокой подвижностью
• Авторы: Ching-Yang Pan, Shi-Kai Lin, Yu-An Chen, Pei-hsun Jiang (Национальный педагогический университет Тайваня)
• Классификация: cond-mat.mes-hall physics.app-ph
• Дата публикации: 16 октября 2024 г.
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2510.14456

Аннотация

В данном исследовании детально изучены различные механизмы утечки затвора, индуцированной поверхностными ловушками, в GaN высокоэлектронных транзисторах с высокой подвижностью (HEMT) в диапазоне температур от комнатной до криогенных. При малых напряжениях затвора наблюдается двумерная прыжковая проводимость с переменным расстоянием. При более высоких обратных напряжениях затвора утечка выше 220 K в основном определяется эмиссией Пула-Френкеля, но постепенно переходит к ловушечно-вспомогательному туннелированию ниже 220 K из-за эффекта замораживания ловушек. Высота барьера ловушки, извлеченная из прямого сканирования затвора, составляет 0,65 В, что на 12% выше, чем при обратном сканировании. Зависимость тока утечки затвора от напряжения затвора демонстрирует гистерезис по часовой стрелке выше 220 K и против часовой стрелки ниже 220 K. Это значительное противоположное явление гистерезиса полностью объяснено механизмом ловушек.

Научный контекст и мотивация

1. Проблемы, требующие решения:
   • Механизмы утечки затвора в GaN HEMT при криогенных температурах недостаточно изучены
   • Утечка затвора, индуцированная поверхностными ловушками, оказывает серьезное влияние на надежность приборов
   • Отсутствуют систематические исследования поведения гистерезиса утечки затвора при криогенных температурах
2. Значимость проблемы:
   • Растущий спрос на криогенные электронные приборы в аэрокосмической промышленности, квантовых вычислениях и сверхпроводящих системах
   • GaN HEMT демонстрируют превосходные характеристики при низких температурах, но эффекты ловушек ограничивают надежность приборов
   • Утечка затвора снижает напряжение пробоя и увеличивает потребление энергии в выключенном состоянии
3. Ограничения существующих методов:
   • Предыдущие исследования в основном сосредоточены на температурной зависимости утечки затвора выше комнатной температуры
   • Отсутствуют глубокие исследования утечки затвора при криогенных температурах
   • Недостаточное понимание физических механизмов поведения гистерезиса утечки затвора
4. Научная мотивация:
   • Обеспечить теоретическую основу для разработки и применения криогенных GaN приборов
   • Выявить физические механизмы утечки затвора в различных температурных диапазонах
   • Установить связь между механизмом ловушек и поведением гистерезиса

Основные вклады

1. Систематическое изучение различных механизмов утечки затвора в GaN HEMT в диапазоне температур от 300 K до 1,5 K
2. Обнаружение и объяснение перехода механизма от эмиссии Пула-Френкеля к ловушечно-вспомогательному туннелированию вблизи 220 K
3. Первое наблюдение явления противоположного направления гистерезиса утечки затвора до и после 220 K
4. Точное измерение высоты барьера ловушки (0,65 В) и её связь с направлением сканирования
5. Установление физической модели связи между различными механизмами утечки и поведением гистерезиса

Методология

Структура и изготовление приборов

• Подложка: 4 мкм толстый буферный слой GaN/AlGaN сверхрешетки на подложке Si(111)
• Гетероструктура: GaN(200 нм)/Al₀.₂Ga₀.₈N(25 нм) образует канал двумерного электронного газа
• Электроды: Истоковые и стоковые электроды Ti/Al/Ti/Au, затворные электроды Ni/Au/Ti
• Пассивирующий слой: 450 нм слой SiO₂
• Размеры прибора: ширина затвора 100 мкм, длина затвора 3-5 мкм, расстояние исток-затвор 3-5 мкм, расстояние затвор-сток 20-30 мкм

Методы тестирования

• Температурный диапазон: Систематические измерения от 300 K до 1,5 K
• Электрическая характеризация: Измерения I-V характеристик, C-V характеристик, подвижности и концентрации носителей
• Тестирование утечки затвора: Двусторонние сканирования напряжения затвора, тестирование при различных скоростях сканирования
• Стресс-тестирование: Измерения временной зависимости при фиксированном напряжении затвора

Теоретические модели

1. Двумерная прыжковая проводимость с переменным расстоянием (2D-VRH): $I_{2D-VRH} = I_0 \exp\left[-\left(\frac{T_0}{T}\right)^{1/3}\right]$
2. Эмиссия Пула-Френкеля (PFE): $I_{PFE} \propto E \exp\left[\frac{q}{kT}\left(\sqrt{\frac{qE}{\pi\epsilon}} - \phi_{PFE}\right)\right]$
3. Ловушечно-вспомогательное туннелирование (TAT): $I_{TAT} \propto \exp\left(-\frac{8\pi\sqrt{2m^*q}}{3h}\frac{\phi_{TAT}^{3/2}}{E}\right)$

Экспериментальная установка

Параметры приборов

• Репрезентативный образец: LG = 5 мкм, LSG = 3 мкм, LGD = 30 мкм
• Концентрация носителей при комнатной температуре: ~9×10¹² см⁻²
• Подвижность при комнатной температуре: 1108 см²/(В·с)
• Подвижность при 1,5 K: 2323 см²/(В·с)

Условия измерения

• Температурный шаг: 25 K выше 200 K, 20 K ниже 200 K
• Диапазон сканирования напряжения затвора: -10 В до +2 В
• Скорость сканирования: ±0,05 В за 18-250 мс
• Время стресс-тестирования: до 90 секунд

Оценочные показатели

• Зависимость тока утечки затвора IG от напряжения затвора VG
• Высоты барьеров ловушек φPFE и φTAT
• Площадь и направление гистерезиса
• Показатели температурной зависимости

Экспериментальные результаты

Основные результаты

1. Температурная классификация:
   • Высокотемпературная область (300-220 K): доминирует PFE
   • Среднетемпературная область (200-140 K): переход от PFE к TAT
   • Низкотемпературная область (120-1,5 K): доминирует TAT, температурная зависимость исчезает
2. Идентификация механизмов утечки:
   • VG > 0,3 В: термоэлектронная эмиссия Шоттки
   • -1 В < VG < 0,3 В: механизм 2D-VRH
   • VG < -4 В: PFE (высокая температура) или TAT (низкая температура)
3. Высоты барьеров ловушек:
   • Прямое сканирование: φPFE = 0,65 В
   • Обратное сканирование: φPFE = 0,58 В
   • Разница: 12%

Явления гистерезиса

1. Направление гистерезиса:
   • T > 220 K: гистерезис по часовой стрелке
   • T < 220 K: гистерезис против часовой стрелки
   • T = 220 K: минимальный гистерезис
2. Зависимость от скорости сканирования:
   • Высокая температура: гистерезис нечувствителен к скорости сканирования
   • Низкая температура: сильная зависимость от скорости сканирования
3. Временная зависимость:
   • T > 220 K: IG увеличивается со временем
   • T < 220 K: IG уменьшается со временем

Объяснение физических механизмов

1. Механизм PFE (T > 220 K):
   • Термическое возбуждение электронов из ловушек в зону проводимости
   • Большее количество электронов ловушек обеспечивает больший резервуар носителей
   • Создает гистерезис по часовой стрелке
2. Механизм TAT (T < 220 K):
   • Эффект замораживания ловушек, туннелирование электронов
   • Увеличение заполнения ловушек подавляет туннельный ток
   • Создает гистерезис против часовой стрелки

Связанные работы

Основные направления исследований

1. Исследование криогенных характеристик GaN HEMT
2. Исследование механизмов ловушек в полупроводниковых приборах
3. Анализ температурной зависимости утечки затвора
4. Явления гистерезиса в диодах Шоттки

Уникальность данной работы

• Первое систематическое исследование утечки затвора в GaN HEMT в широком диапазоне температур
• Обнаружение и объяснение обращения направления гистерезиса в зависимости от температуры
• Установление четких границ между различными механизмами утечки

Выводы и обсуждение

Основные выводы

1. Переход механизма: 220 K является критической температурой перехода от PFE к TAT
2. Обращение гистерезиса: Обращение направления гистерезиса напрямую соответствует изменению механизма утечки
3. Эффект замораживания ловушек: Замораживание ловушек при низких температурах является фундаментальной причиной механизма TAT и гистерезиса против часовой стрелки
4. Практическая ценность: Измерение гистерезиса может служить удобным инструментом для идентификации механизма утечки

Ограничения

1. Ограничения материала: Исследование ограничено приборами, выращенными методом MOCVD с пассивацией SiO₂
2. Температурный диапазон: Отношение сигнал-шум в некоторых температурных диапазонах ограничивает точный анализ
3. Теоретическая модель: Неоднородность распределения электрического поля влияет на точное извлечение высоты барьера TAT

Направления будущих исследований

1. Оптимизация технологии: Исследование влияния различных материалов пассивации и методов выращивания
2. Совершенствование теории: Разработка более точной модели распределения поверхностного электрического поля
3. Применение в приборах: Разработка стратегий повышения надежности на основе понимания механизма ловушек

Глубокая оценка

Преимущества

1. Высокая систематичность: Охватывает широкий температурный диапазон, обеспечивает полную физическую картину
2. Четкие механизмы: Точная идентификация различных механизмов утечки через подгонку нескольких теоретических моделей
3. Новизна явлений: Первое обнаружение температурной зависимости обращения направления гистерезиса
4. Разумное объяснение: Логичное и убедительное объяснение механизмов на основе физики ловушек
5. Практическая ценность: Важный справочный материал для проектирования криогенных GaN приборов и оценки надежности

Недостатки

1. Ограничения образцов: Исследование охватывает только одну специфическую структуру прибора и условия технологии
2. Упрощение модели: Некоторые сложные взаимодействия ловушек могут быть упущены
3. Количественный анализ: Извлечение некоторых параметров ограничено экспериментальными условиями

Влияние

1. Научная ценность: Предоставляет новую перспективу и методологию для исследования физики GaN приборов
2. Перспективы применения: Имеет важное руководящее значение для криогенных приложений, таких как квантовые вычисления
3. Вклад методологии: Измерение гистерезиса как инструмент идентификации механизма имеет ценность для распространения

Применимые сценарии

1. Криогенная электроника: Аэрокосмическая промышленность, системы квантовых вычислений
2. Силовая электроника: Преобразователи высокоэффективной мощности
3. Радиочастотные приложения: Малошумящие усилители, усилители мощности
4. Надежность приборов: Анализ отказов и прогнозирование срока службы

Библиография

Статья цитирует 93 связанные работы, охватывающие физику GaN приборов, механизмы ловушек, криогенную электронику и другие важные области, обеспечивая прочную теоретическую основу и справочные материалы для сравнения.

Общая оценка: Это высококачественная экспериментальная физическая статья, которая систематически и глубоко исследует механизмы утечки затвора в GaN HEMT при криогенных температурах, обнаруживает новые физические явления и дает разумное теоретическое объяснение. Результаты исследования имеют важное значение для продвижения применения GaN приборов в экстремальных условиях.