2025-11-21T02:10:15.519449

Dispersion engineered AlGaAs-on-insulator nanophotonics by distributed feedback

Talenti, Lovisolo, Xiao et al.
Technological advances in the fabrication of nanophotonic circuits have driven the scientific community to increasingly focus on the precise tailoring of their key optical properties, over a broadband spectral domain. In this context, the modulation of the local refractive index can be exploited to customize an effective reflectivity by the use of distributed Bragg mirrors, enabling the on-chip integration of Fabry-Pérot resonators. The resulting cavity length is strongly wavelength-dependent, offering practical solutions to the growing demand of dispersion engineering. Owing to their typically high core-to-cladding refractive index contrast and exceptional nonlinear properties, III-V semiconductor-based platforms represent promising candidates for the fabrication of Bragg reflectors. In this work, we propose an AlGaAs-on-insulator linear resonator based on distributed Bragg mirrors. We discuss the first experimental demonstration of a systematic, shape-constrained inverse design technique which tailors a prescribed dispersion profile, showing a strong agreement between simulations and measurements. In perspective, the proposed approach offers an efficient and general response to the challenge of dispersion engineering in integrated optical circuits.
academic

Дисперсионная инженерия наноФотоники AlGaAs-on-insulator посредством распределённой обратной связи

Основная информация

  • ID статьи: 2510.14729
  • Название: Dispersion engineered AlGaAs-on-insulator nanophotonics by distributed feedback
  • Авторы: Francesco Rinaldo Talenti, Luca Lovisolo, Zijun Xiao, Zeina Saleh, Andrea Gerini, Carlos Alonso-Ramos, Martina Morassi, Aristide Lemaître, Stefan Wabnitz, Alfredo De Rossi, Giuseppe Leo, Laurent Vivien
  • Классификация: physics.optics
  • Дата публикации: 16 октября 2025 г.
  • Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2510.14729v1

Аннотация

Прогресс в технологии изготовления нанофотонных схем привёл к растущему интересу научного сообщества к точной настройке ключевых оптических свойств в широком спектральном диапазоне. В этом контексте модуляция локального показателя преломления позволяет настраивать эффективную отражательную способность посредством распределённых брэгговских отражателей (DBR), обеспечивая интеграцию резонаторов Фабри-Перо на кристалле. Полученная длина полости демонстрирует сильную зависимость от длины волны, предоставляя практическое решение для растущих потребностей в дисперсионной инженерии. Полупроводниковые платформы III-V группы, характеризующиеся типичным высоким контрастом показателя преломления сердцевина-оболочка и превосходными нелинейными свойствами, представляют перспективных кандидатов для изготовления брэгговских отражателей. В данной работе авторы предлагают линейные резонаторы AlGaAs-on-insulator на основе распределённых брэгговских отражателей и обсуждают первую экспериментальную демонстрацию систематического метода обратного проектирования с ограничениями формы, который позволяет настраивать предустановленные распределения дисперсии, демонстрируя сильное согласие между моделированием и измерениями.

Исследовательский контекст и мотивация

Определение проблемы

  1. Основная задача: С развитием нанофотоники точное управление дисперсионными характеристиками интегрированных оптических устройств стало критической необходимостью, особенно для реализации дисперсионной инженерии в широком спектральном диапазоне.
  2. Технические требования: Традиционные резонаторы Фабри-Перо требуют интеграции на кристалле, что предполагает использование распределённых брэгговских отражателей (DBR) вместо традиционных торцевых зеркал при одновременном точном управлении дисперсионными характеристиками устройства.
  3. Преимущества материалов: Полупроводниковые материалы III-V группы (особенно AlGaAs) обладают высоким контрастом показателя преломления и превосходными нелинейными оптическими свойствами, позволяя подавлять двухфотонное поглощение на телекоммуникационных длинах волн.
  4. Проблемы проектирования: Существующие конструкции фотонных кристаллических полостей не имеют систематического метода дисперсионной инженерии, требуя разработки методов обратного проектирования, способных точно настраивать распределение дисперсии.

Основные вклады

  1. Первая экспериментальная демонстрация: Предложен и экспериментально верифицирован систематический метод обратного проектирования с ограничениями формы на платформе AlGaAs-on-insulator.
  2. Метод дисперсионной инженерии: Разработан метод точного управления фотонной запрещённой зоной и эффективной отражательной способностью путём модуляции геометрии волновода.
  3. Теоретическая модель: Установлена упрощённая модель (RM) на основе теории связанных волн, значительно повышающая вычислительную эффективность при сохранении высокой точности.
  4. Проектирование устройства: Реализован непрерывный переход от чистой фотонной кристаллической полости к гибридному резонатору Фабри-Перо с фотонным кристаллом.
  5. Экспериментальная верификация: Валидация методики проектирования посредством систематической линейной оптической характеризации с высокой степенью согласия между теорией и экспериментом.

Подробное описание методологии

Определение задачи

Спроектировать линейный резонатор на платформе AlGaAs-OI посредством распределённых брэгговских отражателей для точного управления дисперсионными характеристиками. Входные данные: целевое распределение дисперсии; выходные данные: оптимизированные геометрические параметры волновода; ограничения: технологические допуски и материальные свойства.

Архитектура модели

1. Проектирование структуры устройства

  • Базовая структура: Слой Al₁₈%Ga₈₂%As толщиной 400 нм на слое захороненного оксида толщиной 2 мкм, кремниевая подложка
  • Конфигурация полости: Центральный сегмент волновода с симметрично расположенными DBR по обе стороны
  • Проектирование элементарной ячейки: Синусоидальная модуляция с фиксированным периодом Λ = 0,33 мкм, переменная амплитуда Γ/2

2. Математическая модель

Выражение для эффективной ширины волновода вдоль направления распространения:

w_eff(x) = w₀ + Γ(x)/2 × sin(2πx/Λ)

где w₀ = 0,61 мкм — средняя ширина.

3. Теория связанных волн

Упрощённая модель, описывающая связь противоположно распространяющихся волн:

(D∂²ₓ ± iv_g∂ₓ + ω₀ - ω)A± + KA± = 0

где D — параметр дисперсии, v_g — групповая скорость, K — сила связи.

4. Модель потенциальной ямы

Построение эффективной потенциальной ямы путём отображения краёв фотонной запрещённой зоны:

V(x) = ω₀(x) + K(x)/2

Технические инновации

  1. Обратное проектирование с ограничениями формы: В отличие от традиционного обратного проектирования фотонных кристаллов, данный метод фиксирует форму элементарной ячейки, оптимизируя только распределение амплитуды модуляции Γ(x).
  2. Параметризация полиномом: Использование обобщённого полиномиального разложения для представления Γ(x):
Γ(x) = Σ(n=1 to N) Γₙ|x|ⁿ  (в области DBR)
  1. Быстрый решатель: На основе одномерной теории связанных волн упрощённая модель сокращает время вычисления с часов до секунд.
  2. Оптимизация функции стоимости:
cost_f = Σₘ |D_int,m - D̃_int,m|/D₁

Минимизация методом градиентного спуска Нелдера-Мида.

Экспериментальная установка

Изготовление устройства

  • Материальная система: Платформа AlGaAs-on-insulator
  • Технологический процесс: Использование нанотехнологических объектов сети RENATECH во Франции
  • Схема связи: Подволновые дифракционные решётки для связи света на кристалле
  • Количество образцов: Изготовлено более 50 полостей, у 9 образцов наблюдались чёткие резонансы

Конфигурация измерений

  • Метод измерения: Стандартный эксперимент пропускания с полосой пропускания >100 нм
  • Условия связи: Тестирование различных условий связи между волноводом и полостью
  • Добротность: Наблюдалось слабое связывание, добротность нагруженной полости Q_L ≲ 6×10⁵

Показатели оценки

  • Интегральная дисперсия: D_int,m = ωₘ - ω_ref - mD₁
  • Статистика добротности: Оценка производительности устройства
  • Подгонка параметров дисперсии: Разложение четвёртого порядка для подгонки резонансных частот

Экспериментальные результаты

Основные результаты

1. Три конфигурации проектирования

  • L₀ = 0 мкм: Конфигурация чистого фотонного кристалла
  • L₁ = 40 мкм: Гибридная конструкция со средней длиной однородного сегмента
  • L₂ = 150 мкм: Конфигурация, близкая к Фабри-Перо

2. Производительность дисперсионной инженерии

  • Конфигурация L₀: Идеальное совпадение теории и эксперимента
  • Конфигурации L₁ и L₂: Небольшие отклонения в высокочастотной области, обусловленные несоответствием групповой скорости

3. Статистика добротности

Экспериментально измеренные параметры дисперсии (выраженные как D_n/2π):

  • L₀: D₁ = 470±90 ГГц, D₂ = -30±60 ГГц
  • L₁: D₁ = 310±90 ГГц, D₂ = 120±90 ГГц
  • L₂: D₁ = 225±11 ГГц, D₂ = 2±8 ГГц

Абляционные исследования

Путём сравнения конструкций с различными длинами центрального сегмента верифицирована непрерывность перехода от фотонной кристаллической полости к резонатору Фабри-Перо.

Анализ конкретных случаев

  • Модуляция фотонной запрещённой зоны: Подтверждение геометрии конструкции посредством изображений СЭМ
  • Подгонка резонанса: Демонстрация типичной формы резонансной линии и результатов подгонки
  • Статистика дисперсии: Статистическое сравнение экспериментальных данных с теоретическими предсказаниями

Связанные работы

Основные направления исследований

  1. Резонаторы Фабри-Перо на оптических волокнах: Применение для модуляционной неустойчивости и генерации частотных гребней
  2. Интегрированные системы на кристалле: Реализация DBR на кремниевых нитридных платформах
  3. Полупроводниковые платформы III-V: Нелинейное преобразование частоты и лазеры с распределённой обратной связью
  4. Фотонные кристаллические полости: Механизмы мягкого ограничения и конструкции с высокой добротностью

Преимущества данной работы

По сравнению с существующими работами, в данной статье впервые реализован систематический метод обратного проектирования дисперсионной инженерии с экспериментальной верификацией на платформе AlGaAs-OI.

Заключение и обсуждение

Основные выводы

  1. Успешно продемонстрирована система распределённой обратной связи с дисперсионной инженерией на платформе AlGaAs-OI
  2. Верифицирована эффективность метода обратного проектирования с ограничениями формы
  3. Реализован непрерывный переход от фотонной кристаллической полости к резонатору Фабри-Перо
  4. Теоретическая модель и экспериментальные результаты демонстрируют высокое согласие, особенно в конфигурации чистого фотонного кристалла

Ограничения

  1. Технологические допуски: Наблюдаемые колебания резонанса указывают на то, что технологические допуски могут влиять на воспроизводимость результатов
  2. Несоответствие групповой скорости: В гибридных конфигурациях существует несоответствие групповой скорости, приводящее к потерям рассеяния
  3. Оптимизация связи: Большинство устройств находятся в режиме слабой связи, требуя дальнейшей оптимизации условий связи
  4. Ограничение полосы пропускания: Диапазон настройки фотонной запрещённой зоны ограничен материальными свойствами до ~50 ТГц

Направления будущих исследований

  1. Расширение полосы пропускания: Расширение на операционную полосу ω ⇄ 2ω
  2. Микрокольцевые устройства: Расширение метода на микрокольцевые резонаторы
  3. Нелинейные приложения: Оптимизация для низкомощного нелинейного смешивания частот
  4. Улучшение производства: Введение линейных конических сегментов для снижения несоответствия групповой скорости

Глубокая оценка

Достоинства

  1. Инновационность метода: Впервые систематически применено обратное проектирование к дисперсионной инженерии на платформе AlGaAs-OI
  2. Теоретическая строгость: Установлена полная теоретическая база от теории связанных волн до алгоритмов оптимизации
  3. Достаточность экспериментов: Статистический анализ более чем 50 образцов верифицирует надёжность метода
  4. Вычислительная эффективность: Упрощённая модель сокращает время вычисления с часов до секунд
  5. Перспективы применения: Предоставляет универсальное решение для дисперсионной инженерии интегрированных оптических схем

Недостатки

  1. Производственные вызовы: Только около 18% устройств демонстрируют чёткие резонансы, указывая на необходимость дальнейшей оптимизации технологического процесса
  2. Ограничения связи: Большинство устройств находятся в режиме слабой связи, ограничивая точность оценки производительности
  3. Теоретические отклонения: Отклонения между теорией и экспериментом в гибридных конфигурациях требуют более глубокого физического анализа
  4. Оптимизация параметров: Выбор полиномиального порядка N=4 не имеет достаточного теоретического обоснования

Влияние

  1. Научный вклад: Предоставляет новую парадигму проектирования для области дисперсионной инженерии нанофотоники
  2. Технологическая ценность: Высокие нелинейные свойства платформы AlGaAs-OI имеют важное применение в квантовой оптике и нелинейной оптике
  3. Промышленное применение: Метод может быть расширен на другие платформы с высоким контрастом показателя преломления
  4. Воспроизводимость: Детальные теоретические модели и экспериментальные параметры способствуют воспроизведению результатов

Применимые сценарии

  1. Микрополостные лазеры: Оптимизация дисперсии лазеров с распределённой обратной связью
  2. Генерация частотных гребней: Параметрические генераторы с низким пороговым значением
  3. Нелинейная оптика: Четырёхволновое смешивание и генерация второй гармоники
  4. Квантовая оптика: Источники одиночных фотонов и обработка квантовой информации

Библиография

Статья цитирует 51 важную работу, охватывающую резонаторы Фабри-Перо на оптических волокнах, теорию фотонных кристаллов, полупроводниковые платформы III-V, методы обратного проектирования и другие смежные области, обеспечивая прочную теоретическую базу и технический контекст для данного исследования.

Резюме: Это статья, имеющая важное значение в области дисперсионной инженерии нанофотоники, впервые реализующая экспериментальную верификацию систематической настройки дисперсии на платформе AlGaAs-OI. Статья демонстрирует превосходные результаты в теоретическом моделировании, оптимизации алгоритмов и экспериментальной верификации, предоставляя новое решение для точного проектирования интегрированных оптических устройств. Несмотря на наличие пространства для улучшения в технологическом процессе и производительности устройства, инновационный метод проектирования и хорошие экспериментальные результаты закладывают важную основу для дальнейшего развития этой области.