Оценка структурных свойств и энергетики дефектов в сплавах Al$_x$Ga$_{1-x}$N

Основная информация

• ID статьи: 2510.25912
• Название: Evaluation of Structural Properties and Defect Energetics in Al$_x$Ga$_{1-x}$N Alloys
• Авторы: Farshid Reza, Beihan Chen, Miaomiao Jin (Пенсильванский государственный университет)
• Классификация: cond-mat.mtrl-sci (физика конденсированного состояния - материаловедение)
• Дата публикации: Подано на arXiv 29 октября 2025 г.
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2510.25912v1

Аннотация

В данном исследовании систематически изучаются структурные и дефектные свойства сплавов Al$_x$Ga$_{1-x}$N, ключевого материала для высокопроизводительных оптоэлектронных и силовых приборов, с использованием машинного обучения межатомного потенциала (MLIP). Исследование начинается с проверки точности MLIP путём воспроизведения уравнения состояния, постоянных решётки, упругих констант, а также энергий образования и миграции дефектов двоичных конечных материалов (GaN и AlN). Затем потенциал применяется для оценки упругих констант сплава AlGaN, выявляя нелинейные соотношения эффектов сплавообразования. Исследование показывает, что энергия образования пары Френкеля азота и барьеры миграции точечных дефектов азота высоко чувствительны к локальному химическому окружению и пути миграции, тогда как энергии миграции вакансий Ga и Al относительно нечувствительны к составу сплава, но энергии миграции междоузлий проявляют более сильную зависимость от состава. Эти результаты обеспечивают количественное понимание того, как сплавообразование влияет на энергетику дефектов AlGaN.

Исследовательский контекст и мотивация

Исследовательская проблема

Сплавы Al$_x$Ga$_{1-x}$N широко используются в высокочастотных высокомощных электронных приборах (таких как HEMT, LED, радиочастотные усилители), однако влияние состава сплава на энергетику дефектов ещё недостаточно изучено. Облучение и термическая активация вводят в материал дефекты, такие как вакансии и междоузлия, которые снижают электронные свойства и надёжность приборов. Поэтому понимание механизмов образования и миграции дефектов на атомном уровне критически важно для предсказания свойств материала.

Важность проблемы

1. Производительность приборов: Широкая запрещённая зона AlGaN и поляризационные эффекты делают его пригодным для экстремальных условий (например, космических электронных приборов), но радиационное повреждение серьёзно влияет на надёжность приборов
2. Проектирование материалов: Понимание физики дефектов критически важно для разработки стратегий дефектной инженерии для создания радиационно-стойких высокопроизводительных приборов
3. Пробелы в знаниях: Атомное моделирование сплавов AlGaN значительно отстаёт по сравнению с чистыми GaN и AlN

Ограничения существующих методов

1. Метод DFT: Высокие вычислительные затраты, ограничение на малые системы, сложность моделирования крупномасштабного конфигурационного пространства неупорядоченных сплавов
2. Эмпирические потенциалы: Потенциалы Tersoff и Stillinger-Weber масштабируются на большие размеры, но имеют недостаточную точность, особенно для энергетики образования и миграции дефектов
3. Недостаточная специфичность: Существующие эмпирические потенциалы обычно подгоняются для конкретного состава, не обладая универсальностью для систем сплавов с беспорядком состава

Мотивация исследования

Машинное обучение межатомного потенциала (MLIP) предоставляет прорывной путь, сочетая точность, близкую к DFT, с вычислительной эффективностью классической молекулярной динамики. Данное исследование использует разработанный нейросетевой потенциал AlGaN для систематического изучения локальных химических эффектов и поведения дефектов, зависящего от состава, во всём диапазоне составов.

Основные вклады

1. Первое систематическое исследование: Первое систематическое исследование энергетики дефектов сплавов AlGaN во всём диапазоне составов с использованием высокоточного MLIP
2. Валидация метода: Комплексная валидация MLIP при воспроизведении уравнения состояния, упругих констант, энергий образования и миграции дефектов GaN и AlN
3. Нелинейные эффекты сплавообразования: Выявление нелинейных закономерностей изменения упругих констант в зависимости от состава
4. Количественное описание поведения дефектов:
   • Обнаружение высокой чувствительности энергии образования пары Френкеля азота к локальному окружению с двумодальным распределением энергий
   • Выявление механизма стабилизации низкоэнергетических конфигураций дефектов азота в сплавах с низким содержанием Al
   • Определение сильной зависимости энергии миграции междоузлий от состава
5. Инженерные рекомендации: Предоставление атомного уровня понимания для управления толерантностью к дефектам через градиент состава

Подробное описание методов

Определение задачи

Входные данные: Атомные конфигурации сплава Al$_x$Ga$_{1-x}$N (x = 0, 0.25, 0.50, 0.75, 1.0)
Выходные данные:

• Структурные свойства: постоянные решётки, упругие константы
• Свойства дефектов: энергия образования пары Френкеля, барьеры миграции вакансий и междоузлий Ограничения: Вюрцитная кристаллическая структура, нейтральные дефектные состояния

Вычислительная схема

1. Потенциал MLIP

Используется нейросетевой потенциал (NNP) AlGaN, разработанный Huang и соавторами, обученный на обширных данных DFT, охватывающих различные конфигурации и составы. Интегрирован в пакет молекулярной динамики LAMMPS через фреймворк DeepMD-kit.

2. Параметры моделирования

• Суперячейка: 2880 атомов вюрцитной структуры
• Граничные условия: Трёхмерные периодические граничные условия
• Температурный контроль: Термостат Nosé-Hoover, 300 K
• Временной шаг: 1 fs

3. Расчёт структурных свойств

Уравнение состояния (EOS):

• Систематическое изменение объёма суперячейки (равномерное расширение/сжатие параметров решётки)
• Подгонка данных энергия-объём к модели Birch-Murnaghan
• Извлечение равновесных параметров решётки и минимальной энергии

Проверка упорядоченности:

• Моделирование молекулярной динамики методом Монте-Карло (MCMD), 300 K, 100,000 MC шагов
• Разрешение обмена атомами Al-Ga, мониторинг полной потенциальной энергии
• Расчёт функции радиального распределения (RDF) для обнаружения ближнего порядка

Упругие константы: Для вюрцитной структуры независимые упругие константы — C₁₁, C₁₂, C₁₃, C₃₃, C₄₄, рассчитываются путём деформации моделирующего ящика вдоль соответствующих направлений и определения изменения тензора напряжений. Модуль объёмного сжатия получается по формуле:

$B = \frac{Y}{2(1+v)}$

где модуль Юнга $Y = \frac{(C_{11}-C_{12})(C_{11}+2C_{12})}{C_{11}+C_{12}}$, коэффициент Пуассона $v = \frac{C_{12}}{C_{11}+C_{12}}$

4. Расчёт свойств дефектов

Типы дефектов:

• Вакансии: V$_{Al}$, V$_{Ga}$, V$_N$
• Междоузлия: Al$_i$ и Ga$_i$ (октаэдрическая конфигурация), N$_i$ (расщеплённая конфигурация)
• Пары Френкеля: комбинации вакансия-междоузлие одного типа атома
• Дефекты Шоттки: одновременное удаление катиона и аниона (только для двоичных соединений)

Расчёт энергии образования: $E_f = E_{def} - \frac{N_d}{N}E_{perf}$

где $E_{def}$ — полная энергия суперячейки с дефектом, $E_{perf}$ — полная энергия идеальной суперячейки, $N_d$ — число атомов в суперячейке с дефектом, $N$ — число атомов в идеальной суперячейке.

Расчёт барьеров миграции: Используется метод лазающей упругой полосы с зеркальным отталкиванием (CI-NEB):

• Построение конфигураций начального и конечного состояний на основе литературы (для междоузлий используется механизм междоузлия, для вакансий — прыжок к ближайшему соседу)
• Линейная интерполяция промежуточных изображений, алгоритм NEB отслеживает путь минимальной энергии
• Энергия миграции $E_m$ определяется как разница энергии между наивысшей седловой точкой и начальным состоянием

Технологические инновации

1. Стратегия статистической выборки: Для каждого состава сплава генерируется 100 случайных атомных конфигураций для захвата влияния локальных химических изменений
2. Полное покрытие состава: Систематическое исследование полного диапазона составов x = 0, 0.25, 0.50, 0.75, 1.0
3. Большие суперячейки: Суперячейка из 2880 атомов минимизирует эффекты конечного размера, лучше захватывает локальную структурную релаксацию
4. Множественные типы дефектов: Одновременное исследование вакансий, междоузлий и пар Френкеля обеспечивает полную картину дефектов
5. Анализ направленности: Различие между миграцией в плоскости и вне плоскости захватывает анизотропию вюрцитной структуры

Экспериментальная установка

Вычислительные параметры

• Программное обеспечение: LAMMPS + DeepMD-kit
• Потенциал: NNP AlGaN, разработанный Huang et al. (2023)
• Размер суперячейки: 2880 атомов
• Температура: 300 K (динамическое моделирование)
• Временной шаг: 1 fs
• Количество шагов MCMD: 100,000 шагов
• Статистические выборки: 100 случайных конфигураций для каждого состава сплава

Источники сравнительных данных

1. Экспериментальные данные:
   • Постоянные решётки: Roder et al., Figge et al., Chen et al.
   • Упругие константы: Kim et al. (эксперимент), Shimada et al. (DFT)
2. Расчёты DFT: Lei et al., Kyrtsos et al., Limpijumnong et al., Zhu et al.
3. Эмпирические потенциалы: Zhu et al. (потенциал Stillinger-Weber для AlN)

Эталоны валидации

• EOS, постоянные решётки, упругие константы двоичных конечных материалов (GaN, AlN)
• Энергии образования пар Френкеля и дефектов Шоттки для GaN и AlN
• Барьеры миграции вакансий и междоузлий (в плоскости и вне плоскости)

Экспериментальные результаты

Валидация постоянных решётки

Тенденции:

• Постоянные решётки осей a и c монотонно уменьшаются с содержанием Al
• Соответствуют линейному соотношению закона Вегарда
• Согласуются с тенденциями экспериментальных данных (Roder, Figge, Chen и др.)

Систематические отклонения:

• Предсказанные MLIP значения систематически выше экспериментальных примерно на 1-2%
• Объясняется внутренними свойствами функционала PBE, используемого в обучающих данных (PBE обычно предсказывает большие постоянные решётки)
• Несмотря на отклонения, MLIP точно захватывает относительные изменения тенденций

Упругие свойства

Таблица I (единицы: GPa):

Нелинейные эффекты сплавообразования:

1. C₁₁: Значительное снижение при низком содержании Al (эффект размягчения), начинает увеличиваться при высоком содержании Al
2. C₁₂ и C₁₃: Выходят на плато при промежуточных составах
3. C₃₃: Явное снижение при промежуточных составах сплава, указывая на нарушение связей вдоль оси c
4. C₄₄: Монотонное увеличение во всём диапазоне составов, сопротивление сдвигу возрастает с содержанием Al
5. Модуль объёмного сжатия B: Немонотонная тенденция, первоначально снижается при добавлении Al, частично восстанавливается при высоком содержании Al

Физическое объяснение: Замещение Ga меньшими и более лёгкими атомами Al вызывает локальное искажение решётки и ослабление сетки связей, однако более сильные связи Al-N (по сравнению с Ga-N) усиливают некоторые упругие свойства при высоком содержании Al.

Энергия образования пар Френкеля

Валидация двоичных соединений

Стабильные расстояния разделения:

• Пары Френкеля Ga и Al: >5 Å (при меньших расстояниях дефектные пары аннигилируют)
• Пары Френкеля N: ~3 Å достаточно для стабильности

Сравнение энергий образования (единицы: eV):

Ключевые находки:

• Энергия образования пары Френкеля N в GaN значительно ниже, чем пара Френкеля Ga
• В AlN энергии образования пар Френкеля N и Al сопоставимы
• Высокое согласие с данными DFT (ошибка <0.4 eV)

Зависимость от состава в системах сплавов

Ключевые результаты Рисунка 3:

1. Пары Френкеля Ga и Al:
   • Слабая зависимость средней энергии образования от состава
   • Узкое распределение энергий, малое стандартное отклонение
   • Объясняется сходством размеров атомов и окружения связей
2. Пары Френкеля N:
   • Значительное увеличение средней энергии образования с содержанием Al (7.43 eV@GaN → ~10 eV@75%Al)
   • Резкое увеличение стандартного отклонения (отражает разнообразие локального окружения)
   • Объясняется более сильными связями Al-N

Характеристики распределения энергий (Рисунок 4):

Сплав с 25% Al:

• Распределение пар Френкеля N показывает "толстый" хвост низких энергий
• Конфигурация с наименьшей энергией: 6.57 eV (окружение междоузлия, богатое Al)
• Конфигурация с наибольшей энергией: 8.96 eV (окружение междоузлия, богатое Ga)
• Разница энергий: 2.39 eV

Сплав с 75% Al:

• Распределение пар Френкеля N показывает двумодальную характеристику
• Отражает появление двух классов локальных окружений дефектов
• Высокоэнергетический пик соответствует полной координации атома N атомами Al

Физический механизм:

• Низкое содержание Al: изолированные атомы Al локально размягчают решётку, снижая энергию образования дефектов N
• Высокое содержание Al: сильные связи Al-N доминируют, повышая общую энергию образования
• Нелинейная зависимость имеет значение для инженерии дефектов

Энергия миграции вакансий

Валидация двоичных соединений

Таблица III (единицы: eV):

Анизотропия: Барьеры миграции вне плоскости обычно выше, чем в плоскости (анизотропия связей вюрцитной структуры)

Зависимость от состава в системах сплавов

Ключевые находки Рисунков 5 и 6:

1. Вакансии катионов (V$_{Ga}$, V$_{Al}$):
   • Средняя энергия миграции слегка увеличивается с содержанием Al
   • Узкое распределение энергий, нечувствительно к локальным химическим колебаниям
   • Распределение в плоскости более узкое, чем вне плоскости
   • Согласуется с результатами DFT Warnick и др. (Al₀.₃Ga₀.₇N: 1.8 eV@V$_{Ga}$, 1.6 eV@V$_{Al}$)
2. Вакансия N (V$_N$):
   • Средняя энергия миграции достигает пика при 50% Al
   • Распределение энергий чрезвычайно широкое (особенно при высоком содержании Al)
   • Отражает максимизацию беспорядка локального окружения
   • Наличие низкоэнергетических путей миграции указывает на предпочтительные каналы диффузии
   • Значение DFT Warnick (2.2 eV@30%Al) попадает в диапазон распределения данного исследования

Физическое объяснение:

• 25% Al: большинство путей подобны окружению, богатому Ga
• 50% Al: локальное окружение сильно смешано, большие вариации связей Ga-N и Al-N
• 75% Al: окружение, богатое Al, доминирует, средний барьер слегка снижается, но распределение остаётся широким

Энергия миграции междоузлий

Валидация двоичных соединений

Таблица IV (единицы: eV, механизм междоузлия):

Примечание: Хотя MLIP не моделирует явно зарядовые состояния, пути миграции и относительные энергетические масштабы согласуются с литературой

Зависимость от состава в системах сплавов

Ключевые находки Рисунков 7 и 8:

1. Междоузлие Ga:
   • Средний барьер миграции изменяется умеренно с составом
   • Распределение энергий значительно расширяется в сплаве
   • При 75% Al появляется хвост низких барьеров (канал перколяционной диффузии)
   • Указывает на усиленный дальнодействующий транспорт Ga в богатых Al сплавах
2. Междоузлие Al:
   • Барьер миграции увеличивается с содержанием Al
   • Распределение смещается в сторону высоких энергий и расширяется
   • Объясняется более жёсткой сетью связей Al-N
3. Междоузлие N:
   • GaN→25%Al: средний барьер увеличивается ~на 0.4 eV
   • 25%→75%Al: средний барьер относительно стабилен
   • Пик гистограммы становится уже (возможно, ограниченные пути миграции)
   • При 75% Al появляется хвост низких барьеров (подобно Ga$_i$)

Важная находка: Появление низкоэнергетических каналов диффузии в богатых Al сплавах может привести к локализованной усиленной диффузии, имеющей важное значение для эволюции радиационного повреждения.

Связанные работы

Исследования GaN и AlN

1. Исследования DFT:
   • Lei et al.: сравнение межатомных потенциалов GaN
   • Kyrtsos et al.: миграция углерода и собственных точечных дефектов в GaN
   • Limpijumnong & Van de Walle: диффузия собственных дефектов в GaN
   • Zhu et al.: атомный метод для дефектов и миграции в AlN
2. Эмпирические потенциалы: Потенциалы Tersoff, Stillinger-Weber используются для исследований теплопроводности и интерфейсов

Исследования сплавов AlGaN (ограниченные)

1. Исследования MD:
   • Теплопроводность различных интерфейсов AlGaN (Huang, Luo и др.)
   • Движение ионов F в 25% AlGaN (Yuan и др.)
   • Влияние Al на производство дефектов при облучении (Jin и др.)
2. Исследования DFT:
   • Warnick et al.: диффузия вакансий в 30% AlGaN под деформацией и электрическим полем
   • Li et al.: вакансионные состояния в Al₆Ga₂₄N₃₀

Машинное обучение потенциалов

• NNP показывают сильную предсказательную способность в различных материальных системах (углерод, Ag₂S, GaN, Ga₂O₃, AlN)
• Разработанный Huang et al. (2023) NNP AlGaN служит основой данного исследования

Преимущества данной работы

1. Первое исследование полного состава: Систематическое охватывание полного диапазона составов AlGaN x=0-1
2. Статистическая выборка: 100 случайных конфигураций захватывают эффекты локального окружения
3. Полные типы дефектов: Одновременное исследование энергий образования и миграции
4. Количественные локальные эффекты: Выявление низкоэнергетических конфигураций дефектов и каналов миграции

Выводы и обсуждение

Основные выводы

1. Структурные свойства:
   • Постоянные решётки следуют монотонному изменению закона Вегарда
   • Упругие константы показывают значительные нелинейные эффекты сплавообразования
   • C₄₄ монотонно увеличивается, C₃₃ снижается при промежуточных составах
2. Энергия образования пар Френкеля:
   • Слабая зависимость пар Френкеля катионов от состава
   • Высокая чувствительность пар Френкеля N к локальной координации Al/Ga
   • Появление низкоэнергетических конфигураций дефектов N при низком содержании Al (эффект стабилизации локального обогащения Al)
   • Двумодальное распределение при высоком содержании Al (два класса локальных окружений)
3. Миграция вакансий:
   • Миграция вакансий катионов относительно нечувствительна к составу
   • Миграция вакансии N достигает пика при 50% Al, распределение чрезвычайно широкое
   • Наличие предпочтительных каналов диффузии
4. Миграция междоузлий:
   • Появление низкоэнергетических каналов для Ga$_i$ в богатых Al сплавах
   • Барьер Al$_i$ увеличивается с содержанием Al
   • Появление низкоэнергетического хвоста N$_i$ при 75% Al
5. Инженерное значение:
   • Градиент состава может управлять толерантностью к дефектам
   • Низкоэнергетические конфигурации предпочтительно образуются при облучении
   • Влияет на последующую динамику агломерации и миграции дефектов

Ограничения

1. Отсутствие зарядовых состояний: MLIP не моделирует явно зарядовые состояния дефектов, что важно в реальных приборах
2. Температурные ограничения: Исследование проводилось в основном при 300 K, поведение при высоких температурах требует дальнейшего изучения
3. Зависимость от обучающих данных: Систематическое отклонение функционала PBE (переоценка постоянных решётки)
4. Типы дефектов: Не охватывает сложные кластеры дефектов, дислокации и другие расширенные дефекты
5. Динамика: Не исследует эволюцию дефектов на больших временных масштабах и агломерацию
6. Эффекты деформации: Не систематически рассматривает влияние внешней деформации на энергетику дефектов

Будущие направления

1. Расширенные дефекты: Исследование кластеров дефектов, структуры ядра дислокаций
2. Динамика эволюции: Долгосрочное MD моделирование каскадов радиационного повреждения и агломерации дефектов
3. Температурная зависимость: Систематическое исследование поведения дефектов в широком диапазоне температур
4. Эффекты электрического поля: Объединение моделей заряда для исследования дефектов в условиях работы приборов
5. Эффекты интерфейса: Дефекты на интерфейсе гетероструктуры AlGaN/GaN
6. Градиентные материалы: Поведение дефектов в функционально-градиентных материалах
7. Экспериментальная валидация: Сравнение с позитронной аннигиляцией, спектроскопией переходных глубоких уровней и другими экспериментами

Глубокая оценка

Преимущества

1. Методологическая инновация:
   • Первое систематическое исследование энергетики дефектов AlGaN полного состава с использованием MLIP
   • Эффективная стратегия статистической выборки (100 конфигураций) захватывает эффекты локального окружения
   • Большие суперячейки (2880 атомов) минимизируют эффекты конечного размера
2. Достаточность экспериментов:
   • Комплексная валидация двоичных конечных материалов (EOS, упругие свойства, образование/миграция дефектов)
   • Систематическое охватывание нескольких точек состава (x=0, 0.25, 0.5, 0.75, 1.0)
   • Множественные типы дефектов (вакансии, междоузлия, пары Френкеля)
   • Анализ направленности (в плоскости/вне плоскости)
3. Убедительность результатов:
   • Высокое согласие с данными DFT и экспериментом (ошибка <10%)
   • Выявление чётких физических тенденций и механизмов
   • Богатые количественные данные (таблицы + гистограммы распределений)
   • Обнаружение новых явлений (низкоэнергетические конфигурации дефектов и каналы миграции)
4. Ясность изложения:
   • Чёткая структура, логичное построение
   • Подробное описание методов, воспроизводимость
   • Высокое качество графиков, богатая информативность
   • Глубокое физическое объяснение
5. Научная ценность:
   • Заполнение пробела в исследовании дефектов AlGaN
   • Количественные рекомендации для инженерии дефектов
   • Демонстрация потенциала MLIP в сложных системах сплавов

Недостатки

1. Методологические ограничения:
   • Отсутствие моделирования зарядовых состояний (эффекты уровня Ферми)
   • Единственная температурная точка (300 K)
   • Систематическое отклонение функционала PBE не скорректировано
2. Параметры экспериментов:
   • Не рассмотрены внешние деформация и электрическое поле
   • Эффекты концентрации дефектов (взаимодействие дефект-дефект) не исследованы
   • Только нейтральные дефекты (в реальных приборах сложная зарядовая ситуация)
3. Глубина анализа:
   • Физический механизм некоторых немонотонных тенденций может быть рассмотрен глубже
   • Отсутствует прямое сравнение с экспериментальными концентрациями дефектов и коэффициентами миграции
   • Недостаточный анализ геометрических характеристик низкоэнергетических каналов миграции
4. Практическое применение:
   • Отсутствуют конкретные рекомендации параметров для проектирования приборов
   • Зависимость от дозы облучения не рассмотрена
   • Динамика рекомбинации и аннигиляции дефектов не исследована

Влияние

1. Научный вклад:
   • Первое систематическое исследование дефектов AlGaN с использованием MLIP
   • Выявление нелинейных эффектов сплавообразования на энергетику дефектов
   • Предоставление эталонных данных и методологической базы для последующих исследований
2. Практическая ценность:
   • Руководство для проектирования приборов AlGaN, устойчивых к облучению
   • Атомный уровень понимания для оптимизации состава
   • Поддержка разработки стратегий инженерии дефектов
3. Воспроизводимость:
   • Подробное описание методов
   • Использование открытого ПО (LAMMPS, DeepMD-kit)
   • Опубликованный потенциал (Huang et al. 2023)
   • Полные вычислительные параметры
4. Ограничения:
   • Требует высокопроизводительных вычислительных ресурсов
   • Зависит от конкретного потенциала MLIP
   • Экспериментальная валидация требует дальнейшей работы

Применимые сценарии

1. Проектирование материалов:
   • Оптимизация состава приборов AlGaN HEMT, LED
   • Отбор материалов, устойчивых к облучению
   • Проектирование структур с градиентом состава
2. Инженерия дефектов:
   • Оптимизация процессов отжига (использование данных барьеров миграции)
   • Стратегии легирования (на основе энергий образования дефектов)
   • Предсказание радиационного повреждения
3. Фундаментальные исследования:
   • Физика дефектов в сплавах
   • Развитие и валидация методов MLIP
   • Входные параметры для многомасштабного моделирования
4. Неприменимые сценарии:
   • Исследования, требующие точного моделирования зарядовых состояний
   • Поведение при экстремальных температурах (>1000 K)
   • Сложные кластеры дефектов, сетки дислокаций
   • Оптические переходы и электронные возбуждённые состояния

Ключевые ссылки

1. Методологическая основа:
   • Huang et al. (2023): Разработка NNP AlGaN Phys. Chem. Chem. Phys. 25, 2349
   • Wang et al. (2018): Фреймворк DeepMD-kit Comput. Phys. Commun. 228, 178
2. Эталоны валидации:
   • Lei et al. (2023): Сравнение межатомных потенциалов GaN AIP Advances 13
   • Kyrtsos et al. (2016): Миграция дефектов в GaN Phys. Rev. B 93, 245201
   • Zhu et al. (2023): Вычислительное исследование дефектов AlN J. Mater. Chem. A 11, 15482
3. Экспериментальное сравнение:
   • Kim et al. (1996): Упругие константы Phys. Rev. B 53, 16310
   • Roder et al. (2005): Тепловое расширение GaN Phys. Rev. B 72, 085218
4. Предыдущие работы по AlGaN:
   • Warnick et al. (2011): Диффузия вакансий в 30% AlGaN Phys. Rev. B 84, 214109
   • Jin et al. (2025): Радиационный отклик AlGaN Acta Mater. 289, 120891

Общая оценка: Это высококачественная статья в области вычислительного материаловедения, первая систематически использующая машинное обучение потенциалов для исследования энергетики дефектов сплавов AlGaN. Методология строга, валидация полна, результаты богаты, выявлены важные физические закономерности и нелинейные эффекты сплавообразования. Несмотря на ограничения, связанные с отсутствием моделирования зарядовых состояний, работа предоставляет ценные количественные данные и атомный уровень понимания для физики дефектов AlGaN и проектирования приборов, имея значительное значение для развития этой области. Исследование демонстрирует мощный потенциал MLIP в сложных системах сплавов и устанавливает методологический эталон для последующих исследований.