Спаривание критической плотности тока и состояние без вихрей в нанопроводах FeSe

Основная информация

• ID статьи: 2511.19054
• Название: Depairing critical current density and the vortex-free state in FeSe nanobridges
• Авторы: Yue Sun, Yuling Xiang, Zhixiang Shi, Tsuyoshi Tamegai, Haruhisa Kitano
• Классификация: cond-mat.supr-con (сверхпроводимость), cond-mat.str-el (сильно коррелированные электронные системы)
• Дата публикации: 25 ноября 2025 г.
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2511.19054

Аннотация

Предел распаривания (depairing limit) и состояние без вихрей (vortex-free state) в сверхпроводниках имеют критическое значение для исследования физики сверхпроводящего тока и приложений, связанных с устранением шума, вызванного движением вихрей. В данном исследовании предел распаривания и состояние без вихрей реализованы в сверхпроводнике FeSe посредством геометрических ограничений. Исследователи использовали метод "pickup" с фокусированным ионным пучком (FIB) для изготовления серии узких мостиков различной ширины в одном и том же месте монокристалла. Путём простого уменьшения ширины мостика критическая плотность тока (Jc) увеличилась более чем на порядок величины, что свидетельствует о достижении предела распаривания. Кроме того, в мостиках с шириной, меньшей глубины проникновения (λ), Jc проявляет устойчивость в магнитных полях вплоть до 1 кОе, что является убедительным доказательством состояния без вихрей, создаваемого усилением нижнего критического поля, вызванным геометрическими ограничениями.

Исследовательский контекст и мотивация

Исследовательская проблема

Данное исследование направлено на решение проблемы реализации критической плотности тока при распаивании и состояния без вихрей в сверхпроводниках. Оба этих состояния имеют критическое значение как для понимания механизмов сверхпроводящего тока, так и для практических приложений.

Важность проблемы

1. Физическое значение: Критическая плотность тока при распаивании непосредственно отражает критическую скорость куперовских пар и размер щели сверхпроводимости, являясь ключевым параметром для понимания механизма сверхпроводимости
2. Прикладная ценность: Состояние без вихрей может устранить шум, связанный с движением вихрей, имея важное значение для приложений сверхпроводящих устройств в условиях высокого магнитного поля
3. Характеристики материала: Jc при распаивании представляет теоретический предел тока, который может переносить сверхпроводник

Ограничения существующих методов

1. Неоднородное распределение тока: В обычных сверхпроводниках из-за эффекта Мейсснера сверхпроводящий ток имеет тенденцию накапливаться на поверхности/краях, что приводит к проникновению вихрей в образец при общем Jc, намного ниже Jc при распаивании
2. Жёсткие геометрические условия: Теоретически требуется, чтобы поперечные размеры образца были одновременно меньше как длины когерентности, так и глубины проникновения, однако длина когерентности высокотемпературных сверхпроводников составляет всего несколько нанометров, что затрудняет выполнение этого условия
3. Недостаточное исследование железопниктидных сверхпроводников: Хотя предел распаривания и состояние без вихрей хорошо изучены в низкотемпературных и медьсодержащих высокотемпературных сверхпроводниках, в железопниктидных сверхпроводниках (IBS) они остаются малоизученными

Мотивация исследования

FeSe как представительный материал железопниктидных сверхпроводников обладает уникальными преимуществами:

• Tc может быть повышена с 10 К до 44 К путём замещения Te, приложения высокого давления или протонирования
• Однослойные плёнки FeSe даже показывают признаки сверхпроводимости выше 65 К
• Достигнута высокого качества лента FeSe с легированием Te, с Jc, превышающей 10⁶ A/см² в собственном поле
• Обладает малой поверхностью Ферми, многозонной структурой, находясь в области кроссовера BCS-BEC

Основные вклады

1. Первая реализация предела распаривания в монокристалле FeSe посредством геометрических ограничений: Путём уменьшения ширины мостика получена критическая плотность тока, превышающая Jc без закрепления на более чем порядок величины в одном и том же месте кристалла
2. Подтверждение состояния без вихрей при ширине, меньшей глубины проникновения: В нанопроводах с W < λ Jc остаётся устойчивой в магнитных полях вплоть до 1 кОе
3. Выявление эффекта усиления нижнего критического поля геометрическими ограничениями: Расчёты на основе формулы Абрикосова показывают, что при уменьшении W/λ μ₀Hc1 значительно усиливается, что согласуется с экспериментальными наблюдениями
4. Предоставление нового подхода к исследованию физики сверхпроводящего тока в железопниктидных сверхпроводниках: Предоставлены экспериментальные доказательства для понимания механизма распаивания в многозонных сверхпроводниках
5. Разработка уникального метода изготовления "pickup": Использование последовательного фрезерования FIB для изготовления мостиков различной ширины в одном и том же месте монокристалла эффективно устраняет влияние различий в качестве кристалла

Подробное описание методов

Определение задачи

Основная задача данного исследования:

• Входные данные: Образец монокристалла FeSe
• Обработка: Изготовление нанопроводов различной ширины (W >> Λ, W ~ 2Λ, W < Λ) с использованием технологии FIB
• Выходные данные: Измерение критической плотности тока нанопроводов различной ширины и её зависимости от температуры и магнитного поля
• Цель: Проверка реализации предела распаривания и существования состояния без вихрей

Экспериментальная архитектура

1. Подготовка образца

Применена техника изготовления FIB с методом "pickup":

Процедура:

1. Использование FIB для травления тонкой пластины (lamella) вдоль оси c с типичными размерами 10×10 мкм² и толщиной <1 мкм
2. Осторожное поднятие пластины кварцевой иглой и её перенос на кремниевую подложку с контактными рисунками
3. Соединение пластины с золотыми контактными площадками путём осаждения Pt
4. Использование FIB для создания узкого мостика в плоскости ab между двумя электродами напряжения
5. Дальнейшее уменьшение ширины нанопровода в процессе постобработки

Ключевые параметры:

• Длина Пирла: Λ = 2λ²/h = 620 нм (λ = 450 нм, h = 650 нм)
• Два изготовленных устройства: W = 1250 нм (~ 2Λ) и W = 390 нм (< Λ)
• Толщина h = 650 нм остаётся постоянной

Преимущества метода:

• Изготовление мостиков различной ширины в одном и том же месте одного кристалла эффективно устраняет различия в качестве кристалла
• Обеспечивает точный контроль геометрических размеров мостика

2. Методы измерения

Измерение сопротивления:

• Стандартная четырёхзондовая техника
• Tc ~ 8 К (W = 1250 нм), ширина перехода <0,5 К
• Tc(нулевое сопротивление) ~ 7,5 К (W = 390 нм), переход немного шире (приписывается повреждению от ионов Ga⁺)

Измерение характеристик I-V:

• Использование системы импульсного тока Keithley Delta
• Ширина импульса: 100 мкс, интервал: 3 с (коэффициент заполнения ~ 3,3×10⁻⁵), минимизация эффектов нагрева
• Время интегрирования напряжения: 55 мкс
• Критерий критического тока: 100 мкВ
• Магнитное поле прикладывается после охлаждения без поля до целевой температуры

Технические инновации

1. Реализация однородного распределения тока посредством геометрических ограничений

Теоретическая основа:

• При уменьшении W до длины Пирла Λ распределение плотности тока в мостике становится однородным
• Избегается накопление тока на поверхности/краях, предотвращается преждевременное проникновение вихрей

Экспериментальная проверка:

• Значительное усиление Jc при уменьшении W:
  • W >> Λ (объёмный образец): Jc ~ 2×10⁴ A/см² (4 К)
  • W ~ 2Λ: Jc ~ 5×10⁴ A/см²
  • W < Λ: Jc > 2×10⁵ A/см²
• Усиление превышает порядок величины, что невозможно объяснить механизмом без закрепления

2. Геометрическое усиление нижнего критического поля

Формула Абрикосова: $\mu_0 H_{c1} = \frac{\Phi_0}{4\pi\lambda^2}\left(\log\kappa + 0.081 - 2\sum_{n=1}^{\infty}(-1)^{n+1}K_0\left(\frac{Wn}{\lambda}\right)\right)\left(1-\text{sech}\left(\frac{W}{2\lambda}\right)\right)^{-1}$

Результаты расчётов:

• W >> λ: μ₀Hc1 ~ 30 Oe (согласуется с литературой)
• W/λ ~ 2: μ₀Hc1 > 100 Oe
• W/λ = 0,5: μ₀Hc1 > 1 кОе
• W/λ = 0,1: μ₀Hc1 > 10 кОе

3. Сравнение с теорией

Теория Гинзбурга-Ландау (GL): Jc(t) = Jc(0)(1-t)^(3/2), где t = T/Tc

Экспериментальные находки:

• Измеренный Jc при распаивании значительно ниже предсказаний теории GL и теории Крамера-Лангера (KL)
• Возможные причины: особенности FeSe
  • Микроскопическая многозонная поверхность Ферми
  • Многозонная структура
  • Нахождение в области кроссовера BCS-BEC
  • Более сильные электронные корреляции по сравнению с простым BCS сверхпроводником

Экспериментальная установка

Подготовка образца

Выращивание монокристалла FeSe:

• Метод: газофазный транспорт
• Качество: высокого качества монокристалл, Tc ~ 8 К

Изготовление нанопровода:

• Техника: FIB (Focused Ion Beam)
• Метод: метод "pickup" (обычно используется для подготовки образцов ПЭМ)
• Ключевые параметры:
  • Размер пластины: 10×10 мкм²
  • Толщина: h = 650 нм
  • Ширина мостика: W = 1250 нм и 390 нм
  • Длина Пирла: Λ = 620 нм

Параметры измерения

Диапазон температур: 3-8 К

Диапазон магнитного поля: 0-5 Т

Направление магнитного поля:

• H ∥ ab (магнитное поле параллельно плоскости ab)
• H ∥ c (магнитное поле параллельно оси c)

Направление тока: I ∥ ab

Оценочные показатели

1. Критическая плотность тока Jc: Определяется с использованием критерия 100 мкВ
2. Температурная зависимость: Соотношение Jc(T)
3. Зависимость от магнитного поля: Соотношение Jc(H)
4. Сравнение с теорией: Сравнение нормализованного Jc с предсказаниями теории GL/KL

Методы сравнения

1. Объёмный образец (W >> Λ): Оценка Jc(без закрепления) на основе петель магнитного гистерезиса (MHL) с использованием модели Бина
2. Нанопровода (W ~ 2Λ, W < Λ): Прямое измерение Jc из кривых I-V
3. Теоретические модели: Предсказания Jc при распаивании согласно теориям GL и KL

Экспериментальные результаты

Основные результаты

1. Зависимость критической плотности тока от ширины

Значения Jc при нулевом поле и 4 К:

• W >> Λ (объёмный образец): ~ 2×10⁴ A/см²
• W ~ 2Λ: ~ 5×10⁴ A/см² (увеличение в 2,5 раза)
• W < Λ: > 2×10⁵ A/см² (увеличение более чем в 10 раз)

Ключевые находки:

• Значительное усиление Jc при уменьшении ширины мостика
• Jc в мостике с W < Λ превышает Jc без закрепления на порядок величины
• Такое усиление может быть объяснено только переходом от режима без закрепления к режиму распаивания

2. Температурная зависимость

Экспериментальные наблюдения:

• Все мостики различной ширины показывают снижение Jc с повышением температуры
• Мостик с W < Λ сохраняет наивысший Jc во всём диапазоне температур

Сравнение с теорией:

• Экстраполяция линейной зависимости J_c^(2/3) от t = T/Tc для получения Jc(0)
• После нормализации Jc(t)/Jc(0) сравнивается с теориями GL и KL
• Экспериментальные значения значительно ниже предсказаний обеих теорий

Возможные причины отклонения от теории:

• Многозонные характеристики FeSe
• Сильные электронные корреляции в области кроссовера BCS-BEC
• Простая модель BCS, предполагаемая теориями, неприменима к FeSe

3. Зависимость от магнитного поля (W < Λ)

Направление H ∥ ab:

• Jc остаётся почти неизменной при H < 1 кОе
• Небольшое снижение в диапазоне 1-10 кОе
• Значительное снижение при H > 10 кОе

Направление H ∥ c:

• Аналогичная картина поведения
• Jc остаётся устойчивой при H < 1 кОе
• Постепенное снижение при высоких полях

Сравнение с объёмным образцом (W >> Λ):

• При 4 К Jc объёмного образца быстро снижается при низких полях
• H ∥ ab: снижение с ~2×10⁴ до ~5×10³ A/см² (H ~ 1 кОе)
• H ∥ c: снижение происходит быстрее
• Это быстрое снижение обусловлено проникновением вихрей и процессом распаивания

4. Доказательства состояния без вихрей

Ключевые наблюдения:

• В мостиках с W < Λ Jc остаётся устойчивой в магнитных полях вплоть до 1 кОе
• Это резко контрастирует со сценарием без закрепления, где Jc высоко чувствительна к магнитному полю

Физическое объяснение:

• μ₀Hc1 объёмного FeSe ~ 30 Oe
• Геометрические ограничения приводят к усилению μ₀Hc1 до ~1 кОе
• При H < Hc1 образец находится в состоянии без вихрей
• Отсутствие вихрей означает, что Jc не подвергается влиянию движения вихрей и остаётся на уровне распаивания

Сравнение теоретических расчётов с экспериментом

Расчёты по формуле Абрикосова:

• W/λ >> 1: μ₀Hc1 ~ 30 Oe (согласуется с экспериментальными данными)
• W/λ ~ 2: μ₀Hc1 > 100 Oe
• W/λ = 0,5: μ₀Hc1 > 1 кОе (согласуется с экспериментально наблюдаемым верхним пределом состояния без вихрей)

Причины недооценки теорией:

1. Ограничения предположений: Расчёты предполагают абсолютную стабильность захвата вихрей, нулевые члены свободной энергии, приводя к насыщению усиления μ₀Hc1 при малых W
2. Эффекты размагничивания: Эффекты размагничивания, вызванные геометрией образца, не учитываются
3. Поверхностное закрепление: Беспорядочная поверхность (толщина ~5 нм), создаваемая фрезерованием FIB, обеспечивает дополнительное закрепление, препятствующее проникновению магнитного потока

Сводка экспериментальных находок

1. Реализация предела распаивания: Впервые реализована в FeSe посредством геометрических ограничений, с увеличением Jc более чем на порядок величины
2. Расширение состояния без вихрей: Путём уменьшения ширины мостика состояние без вихрей может поддерживаться вплоть до 1 кОе
3. Расхождение между теорией и экспериментом: Экспериментальный Jc ниже теоретических предсказаний, возможно, связано с многозонными и сильно коррелированными характеристиками FeSe
4. Эффективность геометрических ограничений: Доказано, что геометрические ограничения являются эффективным способом реализации режима распаивания и состояния без вихрей в железопниктидных сверхпроводниках

Связанные работы

Исследования предела распаивания

Медьсодержащие высокотемпературные сверхпроводники:

• Нанопровода YBCO: Уже реализован предел распаивания, в нанопроводах шириной 80 нм и толщиной 150 нм начало проникновения вихрей усилено до ~1 Т
• Нанопроводы YBCO: Реализация однородного распределения тока путём уменьшения ширины до длины Пирла

Железопниктидные сверхпроводники:

• Ba₀,₅K₀,₅Fe₂As₂: Уже реализован предел распаивания
• Мостики Fe₁₊ᵧTe₁₋ₓSeₓ вдоль оси c: Сообщено о поведении при распаивании
• BaFe₂As₂ с легированием P: Наблюдены характеристики распаивания
• Данная работа: Первое систематическое исследование предела распаивания и состояния без вихрей в FeSe

Теоретическая база

Теория Гинзбурга-Ландау (GL):

• Предсказывает Jc(t) = Jc(0)(1-t)^(3/2)
• Применима в диапазоне температур, близких к Tc

Теория Крамера-Лангера (KL):

• Основана на численных расчётах уравнения Эйленбергера для Jc при распаивании
• Предполагает, что сверхпроводящий ток пропорционален градиенту фазы параметра порядка

Формула Абрикосова:

• Вычисляет зависимость Hc1 от ширины в тонких слоях сверхпроводников
• Учитывает эффекты геометрических ограничений

Уникальные вклады данной работы

1. Выбор материала: FeSe как представитель железопниктидных сверхпроводников с многозонными и BCS-BEC кроссовер характеристиками
2. Метод изготовления: Изготовление мостиков различной ширины в одном и том же месте одного кристалла, устранение различий в качестве материала
3. Систематическое исследование: Одновременное исследование предела распаивания и состояния без вихрей, предоставление полной физической картины
4. Сравнение с теорией: Выявление систематического расхождения между экспериментом и теорией, указание на важность многозонности и сильных корреляций

Выводы и обсуждение

Основные выводы

1. Реализация предела распаивания:
   • Успешно реализован предел распаивания в нанопроводах FeSe посредством геометрических ограничений
   • Jc увеличена с 2×10⁴ A/см² в объёмном образце до >2×10⁵ A/см² в нанопроводе
   • Усиление превышает порядок величины, подтверждая переход от режима без закрепления к режиму распаивания
2. Доказательства состояния без вихрей:
   • В мостиках с W < λ Jc остаётся устойчивой в магнитных полях вплоть до 1 кОе
   • Геометрические ограничения приводят к усилению μ₀Hc1 с ~30 Oe до ~1 кОе
   • Предоставлены убедительные доказательства существования состояния без вихрей
3. Сравнение теории и эксперимента:
   • Экспериментально измеренный Jc при распаивании значительно ниже предсказаний теорий GL и KL
   • Это обусловлено многозонными характеристиками FeSe и сильными электронными корреляциями в области кроссовера BCS-BEC
   • Простая модель BCS, предполагаемая существующими теориями, неприменима к FeSe
4. Перспективы приложений:
   • Предоставлен новый подход к исследованию физики сверхпроводящего тока
   • Имеет потенциал для приложений, связанных с устранением шума от движения вихрей
   • Особенно перспективна для сверхпроводящих устройств в условиях высокого магнитного поля

Ограничения

1. Подавление Tc:
   • Ионная имплантация Ga⁺ во время подготовки FIB приводит к снижению Tc с 8 К до 7,5 К
   • Переход сверхпроводимости становится шире, что может повлиять на точность измерений низкотемпературных характеристик
   • Влияние слоя поверхностного повреждения (~5 нм) сложно оценить количественно
2. Ограничения теоретических расчётов:
   • Формула Абрикосова недооценивает экспериментально наблюдаемое μ₀Hc1
   • Не полностью учитываются эффекты размагничивания и поверхностного закрепления
   • Отсутствует теория распаивания, применимая к многозонным сильно коррелированным сверхпроводникам
3. Методы измерения:
   • Использование критерия 100 мкВ для определения Ic может привести к ошибке ~5% вблизи Tc
   • Хотя импульсное измерение тока снижает эффекты нагрева, оно может их не полностью устранить
   • Отсутствуют прямые наблюдения вихрей с использованием методов визуализации
4. Ограничения размера образца:
   • Исследованы только два конкретных значения ширины (W ~ 2Λ и W < Λ)
   • Отсутствуют более систематические данные о зависимости от ширины
   • Не исследовано влияние изменения толщины
5. Диапазон температур и магнитных полей:
   • Измерения ограничены диапазоном температур 3-8 К
   • Максимальное магнитное поле 5 Т, поведение при более высоких полях не исследовано

Направления будущих исследований

1. Прямая визуализация вихрей:
   • Использование сканирующей туннельной микроскопии (STM) или магнитно-силовой микроскопии (MFM) для прямого наблюдения отталкивания вихрей, вызванного геометрическими ограничениями
   • Визуализация процессов формирования и разрушения состояния без вихрей
2. Систематическое исследование зависимости от размеров:
   • Изготовление большего количества нанопроводов различной ширины и толщины
   • Систематическое исследование влияния соотношения сторон на μ₀Hc1 и Jc
   • Исследование оптимальных геометрических параметров
3. Улучшение методов изготовления:
   • Оптимизация параметров процесса FIB для снижения повреждений от ионной имплантации
   • Исследование альтернативных методов нанообработки (низкоэнергетический FIB, другие методы)
   • Исследование методов постобработки (отжиг) для восстановления Tc
4. Развитие теории:
   • Разработка теории распаивания, применимой к многозонным сильно коррелированным сверхпроводникам
   • Более точные модели, учитывающие эффекты размагничивания и поверхностного закрепления
   • Расчёты из первых принципов для понимания особенностей FeSe
5. Другие железопниктидные сверхпроводники:
   • Распространение методов на другие железопниктидные сверхпроводники (FeSe₁₋ₓTeₓ, системы 1111 и т.д.)
   • Сравнение поведения при распаивании в различных материалах
   • Исследование влияния параметров материала (Tc, λ, ξ) на распаивание и состояние без вихрей
6. Исследование практических приложений:
   • Исследование потенциала применения в сверхпроводящих квантовых устройствах
   • Исследование низкошумной сверхпроводящей электроники в условиях высокого магнитного поля
   • Разработка новых типов сверхпроводящих устройств на основе состояния без вихрей

Глубокая оценка

Преимущества

1. Инновационность методов:
   • Метод "pickup" для изготовления мостиков различной ширины в одном и том же месте кристалла является идеальным методом для исследования геометрических эффектов
   • Эффективно устраняет различия в качестве материала, делая результаты более надёжными
   • Методика может быть распространена на другие слоистые сверхпроводящие материалы
2. Полнота экспериментов:
   • Систематические измерения температурной и магнитной зависимостей
   • Исследование двух направлений магнитного поля (H ∥ ab и H ∥ c)
   • Использование техники импульсного тока для эффективного снижения эффектов нагрева
   • Сравнение поведения объёмного образца и нанопроводов
3. Убедительность результатов:
   • Увеличение Jc более чем на порядок величины - неоспоримое доказательство
   • Магнитная устойчивость согласуется с теоретически ожидаемым усилением μ₀Hc1
   • Множественные независимые доказательства поддерживают выводы о распаивании и состоянии без вихрей
   • Высокое качество данных с ошибками <5%
4. Физические инсайты:
   • Выявлены причины отклонения экспериментальных результатов от теории, связанные с многозонными и сильно коррелированными характеристиками FeSe
   • Выяснено глубокое влияние геометрических ограничений на сверхпроводящие характеристики
   • Предоставлены важные экспериментальные доказательства для понимания механизма распаивания в железопниктидных сверхпроводниках
5. Ясность изложения:
   • Чёткая структура и логичное построение
   • Высокое качество графиков и информативность рисунков
   • Подробное обсуждение экспериментальных деталей и возможных источников ошибок

Недостатки

1. Глубина теоретического объяснения:
   • Объяснение причин отклонения экспериментального Jc от теоретических предсказаний носит в основном качественный характер
   • Отсутствуют количественные расчёты в рамках многозонной модели
   • Недостаточно глубокое обсуждение конкретного влияния кроссовера BCS-BEC на распаивание
2. Отсутствие прямых доказательств:
   • Отсутствуют прямые наблюдения вихрей с использованием методов визуализации
   • Доказательства состояния без вихрей в основном косвенные (магнитная устойчивость Jc)
   • Отсутствуют прямые измерения однородности распределения тока
3. Ограниченное количество образцов:
   • Исследованы только два конкретных значения ширины мостика
   • Отсутствуют более детальные данные о зависимости от ширины
   • Не исследовано систематическое влияние изменения толщины
4. Влияние повреждений от Ga⁺:
   • Хотя упоминается подавление Tc, количественная оценка влияния на Jc отсутствует
   • Слой поверхностного повреждения может влиять на оценку μ₀Hc1
   • Отсутствует детальная характеризация слоя повреждения (например, анализ ПЭМ)
5. Исследование поведения в высоких полях:
   • Недостаточное обсуждение механизма снижения Jc при H > 1 кОе
   • Отсутствует анализ режима проникновения вихрей
   • Не исследовано поведение при более высоких магнитных полях

Влияние

1. Вклад в область:
   • Первое систематическое доказательство предела распаивания и состояния без вихрей в FeSe
   • Предоставлен важный пример для исследования сверхпроводящего тока в железопниктидных сверхпроводниках
   • Методы могут быть распространены на другие слоистые сверхпроводящие материалы
   • Продвижение исследований эффектов геометрических ограничений в физике сверхпроводимости
2. Практическая ценность:
   • Предоставлены новые идеи для разработки низкошумных сверхпроводящих устройств
   • Потенциальное применение в условиях высокого магнитного поля
   • Значение для сверхпроводящей электроники и квантовых устройств
   • Предоставлены новые подходы к оптимизации характеристик сверхпроводящих устройств
3. Воспроизводимость:
   • Подробное описание экспериментальных методов обеспечивает высокую воспроизводимость
   • Техника FIB хорошо развита и легко доступна
   • Методы измерения стандартны и могут быть повторены в других лабораториях
   • Теоретические расчёты основаны на известных формулах и легко проверяются
4. Вдохновение для последующих исследований:
   • Стимулирует проведение аналогичных исследований на других железопниктидных сверхпроводниках
   • Способствует развитию теории распаивания для многозонных сильно коррелированных сверхпроводников
   • Способствует применению методов прямой визуализации вихрей
   • Предоставляет руководство для геометрического проектирования сверхпроводящих устройств

Сценарии применения

1. Фундаментальные исследования:
   • Исследование внутреннего механизма распаивания в сверхпроводниках
   • Исследование физики сверхпроводящего тока в многозонных сверхпроводниках
   • Понимание влияния геометрических ограничений на сверхпроводящие характеристики
   • Исследование явлений сверхпроводимости в области кроссовера BCS-BEC
2. Отбор материалов:
   • Оценка Jc при распаивании различных сверхпроводящих материалов
   • Сравнение эффектов геометрических ограничений в различных железопниктидных сверхпроводниках
   • Оптимизация параметров материала (λ, ξ) для достижения высокого Jc
3. Приложения устройств:
   • Проектирование низкошумных сверхпроводящих кубитов
   • Разработка высокочувствительных сверхпроводящих детекторов для работы в высоких магнитных полях
   • Изготовление сверхпроводящих однофотонных детекторов на основе нанопроводов (SNSPD) с высокой производительностью
   • Применение в высокочастотных устройствах сверхпроводящей электроники
4. Распространение технологии:
   • Распространение на другие слоистые сверхпроводящие материалы (медьсодержащие, никелевые сверхпроводники)
   • Применение к исследованиям двумерных сверхпроводников
   • Комбинирование с другими методами нанообработки (электронно-лучевая литография)
   • Интеграция с другими методами характеризации (STM, MFM)

Список литературы

В данной работе цитируются ключевые работы из нескольких областей:

Основы теории сверхпроводимости:

• M. Tinkham, "Introduction to superconductivity" (1996) - классический учебник по физике сверхпроводимости

Исследования распаивания:

• S. Nawaz et al., Phys. Rev. Lett. 110, 167004 (2013) - предел распаивания в YBCO
• J. Li et al., Appl. Phys. Lett. 103, 062603 (2013) - распаивание в Ba₀,₅K₀,₅Fe₂As₂

Состояние без вихрей:

• V. Rouco et al., Nano Letters 19, 4174 (2019) - отталкивание вихрей в нанопроводах YBCO
• K. H. Kuit et al., Phys. Rev. B 77, 134504 (2008) - теория захвата и отталкивания вихрей

Материал FeSe:

• F. C. Hsu et al., Proc. Nat. Acad. Sci. 105, 14262 (2008) - открытие FeSe
• S. Kasahara et al., Proc. Nat. Acad. Sci. 111, 16309 (2014) - кроссовер BCS-BEC в FeSe

Эти работы обеспечивают прочную теоретическую основу и экспериментальные ориентиры для данного исследования.